公开(公告)号：US20060125099A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10520456

申请日：2003-07-09

申请人： Roy Gordon ,  Seigi Suh ,  Jill Becker

发明人： Roy Gordon ,  Seigi Suh ,  Jill Becker

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

摘要： Tungsten nitride films were deposited on heated substrates by the reaction of vapors of tungsten bis(alkylimide)bis(dialkylamide) and a Lewis base or a hydrogen plasma. For example, vapors of tungsten bis(tert-butylimide)bis(dimethylamide) and ammonia gas supplied in alternate doses to surfaces heated to 300° C. produced coatings of tungsten nitride having very uniform thickness and excellent step coverage in holes with aspect ratios up to at least 40:1. The films are metallic and good electrical conductors. Suitable applications in microelectronics include barriers to the diffusion of copper and electrodes for capacitors. Similar processes deposit molybdenum nitride, which is suitable for layers alternating with silicon in X-ray mirrors.

公开(公告)号：US20050277780A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11199032

申请日：2005-08-08

申请人： Roy Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

发明人： Roy Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

IPC分类号： C23C16/42 ,  C07F9/09 ,  C07F9/11 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  C07F11/00 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C01B13/34 ,  C01B25/30 ,  C01B25/36 ,  C01B33/126 ,  C01B33/20 ,  C01B33/26 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G35/00 ,  C07F9/091 ,  C07F9/11 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517

摘要： Metal silicates or phosphates are deposited on a heated substrate by the reaction of vapors of alkoxysilanols or alkylphosphates along with reactive metal amides, alkyls or alkoxides. For example, vapors of tris(tert-butoxy)silanol react with vapors of tetrakis(ethylmethylamido)hafnium to deposit hafnium silicate on surfaces heated to 300° C. The product film has a very uniform stoichiometry throughout the reactor. Similarly, vapors of diisopropylphosphate react with vapors of lithium bis(ethyldimethylsilyl)amide to deposit lithium phosphate films on substrates heated to 250° C. Supplying the vapors in alternating pulses produces these same compositions with a very uniform distribution of thickness and excellent step coverage.

摘要翻译： 金属硅酸盐或磷酸盐通过烷氧基硅烷醇或烷基磷酸盐的蒸气与活性金属酰胺，烷基或醇盐的反应沉积在加热的底物上。 例如，三（叔丁氧基）硅烷醇的蒸气与四（乙基甲基氨基）铪的蒸气反应，在加热到300℃的表面上沉积硅酸铪。产物膜在整个反应器中具有非常均匀的化学计量。 类似地，二异丙基磷酸盐的蒸气与双（乙基二甲基甲硅烷基）氨基锂的蒸气反应，以将磷酸锂膜沉积在加热至250℃的基板上。以交替脉冲提供蒸气产生具有非常均匀的厚度分布和优异的台阶覆盖率的相同组成。

公开(公告)号：US20120028478A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12407556

申请日：2009-03-19

申请人： Roy G. Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

发明人： Roy G. Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C01B13/34 ,  C01B25/30 ,  C01B25/36 ,  C01B33/126 ,  C01B33/20 ,  C01B33/26 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G35/00 ,  C07F9/091 ,  C07F9/11 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517

摘要： Metal silicates or phosphates are deposited on a heated substrate by the reaction of vapors of alkoxysilanols or alkylphosphates along with reactive metal amides, alkyls or alkoxides. For example, vapors of tris(tert-butoxy)silanol react with vapors of tetrakis(ethylmethylamido)hafnium to deposit hafnium silicate on surfaces heated to 300° C. The product film has a very uniform stoichiometry throughout the reactor. Similarly, vapors of diisopropylphosphate react with vapors of lithium bis(ethyldimethylsilyl)amide to deposit lithium phosphate films on substrates heated to 250° C. Supplying the vapors in alternating pulses produces these same compositions with a very uniform distribution of thickness and excellent step coverage.

摘要翻译： 金属硅酸盐或磷酸盐通过烷氧基硅烷醇或烷基磷酸盐的蒸气与活性金属酰胺，烷基或醇盐的反应沉积在加热的底物上。 例如，三（叔丁氧基）硅烷醇的蒸气与四（乙基甲基氨基）铪的蒸气反应，在加热到300℃的表面上沉积硅酸铪。产物膜在整个反应器中具有非常均匀的化学计量。 类似地，二异丙基磷酸盐的蒸气与双（乙基二甲基甲硅烷基）氨基锂的蒸气反应，以将磷酸锂膜沉积在加热至250℃的基板上。以交替脉冲提供蒸气产生具有非常均匀的厚度分布和优异的台阶覆盖率的相同组成。

公开(公告)号：US07560581B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US10520456

申请日：2003-07-09

申请人： Roy G. Gordon ,  Seigi Suh ,  Jill Becker

发明人： Roy G. Gordon ,  Seigi Suh ,  Jill Becker

IPC分类号： C07F11/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F11/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76841 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4966

摘要： Tungsten nitride films were deposited on heated substrates by the reaction of vapors of tungsten bis(alkylimide)bis(dialkylamide) and a Lewis base or a hydrogen plasma. For example, vapors of tungsten bis(tert-butylimide)bis(dimethylamide) and ammonia gas supplied in alternate doses to surfaces heated to 300° C. produced coatings of tungsten nitride having very uniform thickness and excellent step coverage in holes with aspect ratios up to at least 40:1. The films are metallic and good electrical conductors. Suitable applications in microelectronics include barriers to the diffusion of copper and electrodes for capacitors. Similar processes deposit molybdenum nitride, which is suitable for layers alternating with silicon in X-ray mirrors.

摘要翻译： 通过二（烷基酰亚胺）双（二烷基酰胺）二氧化钨和路易斯碱或氢等离子体的蒸气的反应，将氮化钨膜沉积在加热的基底上。 例如，双（叔丁基酰亚胺）双（二甲基酰胺）二氧化钨和氨气的蒸气以加热到300℃的表面的交替剂量供应，产生具有非常均匀厚度的氮化钨涂层，并且在具有纵横比的孔中具有优异的台阶覆盖 至少40：1。 这些膜是金属和良好的电导体。 在微电子学中的适用应用包括铜和电容器电极的扩散障碍。 类似的方法沉积氮化钼，其适合于在X射线反射镜中与硅交替的层。

公开(公告)号：US06969539B2

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：US10381628

申请日：2001-09-28

申请人： Roy G. Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

发明人： Roy G. Gordon ,  Jill Becker ,  Dennis Hausmann ,  Seigi Suh

IPC分类号： C23C16/42 ,  C07F9/09 ,  C07F9/11 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02148 ,  C01B13/34 ,  C01B25/30 ,  C01B25/36 ,  C01B33/126 ,  C01B33/20 ,  C01B33/26 ,  C01G25/02 ,  C01G27/02 ,  C01G35/00 ,  C07F9/091 ,  C07F9/11 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517

摘要： Metal silicates or phosphates are deposited on a heated substrate by the reaction of vapors of alkoxysilanols or alkylphosphates along with reactive metal amides, alkyls or alkoxides. For example, vapors of tris-(ter-butoxy)silanol react with vapors of tetrakis(ethylmethylamido)hafnium to deposit hafnium silicate on surfaces heated to 300° C. The product film has a very uniform stoichiometry throughout the reactor. Similarly, vapors of diisopropylphosphate react with vapors of lithium bis(ethyldimethylsilyl)amide to deposit lithium phosphate films on substrates heated to 250° C. supplying the vapors in alternating pulse produces these same compositions with a very uniform distribution of thickness and excellent step coverage.

摘要翻译： 金属硅酸盐或磷酸盐通过烷氧基硅烷醇或烷基磷酸盐的蒸气与活性金属酰胺，烷基或醇盐的反应沉积在加热的底物上。 例如，三（叔丁氧基）硅烷醇的蒸气与四（乙基甲基氨基）铪的蒸气反应，在加热至300℃的表面上沉积硅酸铪。产物膜在整个反应器中具有非常均匀的化学计量。 类似地，二异丙基磷酸盐的蒸气与双（乙基二甲基甲硅烷基）氨基锂的蒸气反应，以将磷酸锂膜沉积在加热至250℃的基底上，以交替脉冲提供蒸气，产生具有非常均匀的厚度分布和优异的台阶覆盖率的相同组成。

公开(公告)号：US07601181B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11923974

申请日：2007-10-25

申请人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Fredrick Ihlefeld ,  Jon Paul Maria ,  Seigi Suh

发明人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Fredrick Ihlefeld ,  Jon Paul Maria ,  Seigi Suh

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01G9/00

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/82 ,  C01P2006/40 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T428/31678

摘要： Described herein are methods for making articles comprising a dielectric layer formed from any solution composition that can form barium titanate during firing and containing manganese in an amount between 0.002 and 0.05 atom percent of the solution composition, wherein the dielectric layer has been formed on metal foil and fired in a reducing atmosphere.

摘要翻译： 本文描述了制备制品的方法，所述方法包括由任意溶液组合物形成的介电层，所述溶液组合物在焙烧期间可以形成钛酸钡并且含有0.002至0.05原子％的溶液组成的量，其中介电层已经形成在金属箔 并在还原气氛中开火。

公开(公告)号：US08183108B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12301791

申请日：2006-06-15

申请人： William J. Borland ,  Seigi Suh ,  Jon-Paul Maria ,  Jon Fredrick Ihlefeld ,  Ian Burn

发明人： William J. Borland ,  Seigi Suh ,  Jon-Paul Maria ,  Jon Fredrick Ihlefeld ,  Ian Burn

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01B3/20 ,  H01B3/00

CPC分类号： H01L21/31691 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1266 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01G4/129 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0355

摘要： A method of making dense dielectrics layers via chemical solution deposition by adding inorganic glass fluxed material to high dielectric constant compositions, depositing the resultant mixture onto a substrate and annealing the substrate at temperatures between the softening point of the inorganic glass flux and the melting point of the substrate. A method of making a capacitor comprising a dense dielectric layer.

摘要翻译： 一种通过在高介电常数组合物中添加无机玻璃助熔材料，通过化学溶液沉积制造致密电介质层的方法，将所得混合物沉积在基材上，并在无机玻璃熔剂的软化点和熔点之间的温度 底物。 一种制造包括致密介电层的电容器的方法。

公开(公告)号：US20080044672A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11923594

申请日：2007-10-24

申请人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Ihlefeld ,  Jon-Paul Maria ,  Seigi Suh

发明人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Ihlefeld ,  Jon-Paul Maria ,  Seigi Suh

IPC分类号： B32B15/01

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/82 ,  C01P2006/40 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention is directed to an article comprising a dielectric layer formed from any solution composition that can form barium titanate during firing and containing manganese in an amount between 0.002 and 0.05 atom percent of the solution composition, wherein the dielectric layer has been formed on metal foil and fired in a reducing atmosphere.

摘要翻译： 本发明涉及一种制品，其包括由任意的溶液组合物形成的介电层，所述溶液组合物可在焙烧期间形成钛酸钡并且含有0.002至0.05原子％的溶液组合物中的锰，其中介电层已形成于金属 在还原气氛中进行烫伤。

公开(公告)号：US07795663B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11157894

申请日：2005-06-21

申请人： Seigi Suh ,  William J. Borland

发明人： Seigi Suh ,  William J. Borland

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/02197 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355

摘要： The present invention is directed to a dielectric thin film composition comprising: (1) one or more barium/titanium-containing additives selected from (a) barium titanate, (b) any composition that can form barium titanate during firing, and (c) mixtures thereof; dissolved in (2) organic medium; and wherein said thin film composition is doped with 0.002-0.05 atom percent of a dopant comprising an element selected from Sc, Cr, Fe, Co, Ni, Ca, Zn, Al, Ga, Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb, Lu and mixtures thereof and to capacitors comprising such compositions.

摘要翻译： 本发明涉及一种电介质薄膜组合物，其包括：（1）一种或多种选自（a）钛酸钡的钡/钛的添加剂，（b）在烧制期间可形成钛酸钡的任何组合物，和（c） 其混合物; 溶于（2）有机介质; 并且其中所述薄膜组合物掺杂0.002-0.05原子％的包含选自Sc，Cr，Fe，Co，Ni，Ca，Zn，Al，Ga，Y，Nd，Sm，Eu，Gd中的元素的掺杂剂， Dy，Ho，Er，Yb，Lu及其混合物，以及包含这种组合物的电容器。

公开(公告)号：US20080047117A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11923974

申请日：2007-10-25

申请人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Ihlefeld ,  Jon Maria ,  Seigi Suh

发明人： William Borland ,  Ian Burn ,  Jon Ihlefeld ,  Jon Maria ,  Seigi Suh

IPC分类号： H01G7/00 ,  H05K3/30

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/82 ,  C01P2006/40 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0355 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T428/31678

摘要： Described herein are methods for making articles comprising a dielectric layer formed from any solution composition that can form barium titanate during firing and containing manganese in an amount between 0.002 and 0.05 atom percent of the solution composition, wherein the dielectric layer has been formed on metal foil and fired in a reducing atmosphere.

摘要翻译： 本文描述了制备制品的方法，所述方法包括由任意溶液组合物形成的介电层，所述溶液组合物在焙烧期间可以形成钛酸钡并且含有0.002至0.05原子％的溶液组成的量，其中介电层已经形成在金属箔 并在还原气氛中开火。