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    Vertical profile fixing
    2.
    发明申请
    Vertical profile fixing 有权
    垂直型材固定

    公开(公告)号：US20070075038A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：US11244870

    申请日：2005-10-05

    申请人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

    发明人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C03C15/00

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.

    摘要翻译： 提供了一种蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。

    Etch features with reduced line edge roughness
    4.
    发明申请
    Etch features with reduced line edge roughness 有权
    蚀刻特征，线边缘粗糙度降低

    公开(公告)号：US20070042607A1

    公开(公告)日：2007-02-22

    申请号：US11208098

    申请日：2005-08-18

    申请人： S.M. Sadjadi ,  Eric Hudson

    发明人： S.M. Sadjadi ,  Eric Hudson

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/302 ,  B44C1/22

    CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for forming a feature in a layer with reduced line edge roughening is provided. A photoresist layer is formed over the layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A sidewall layer with a thickness less than 100 nm is formed over the sidewalls of the photoresist features by performing for a plurality of cycles. Each cycle comprises depositing a layer on the photoresist layer wherein the deposited layer has a thickness between a monolayer to 20 nm. Features are etched into the layer through the photoresist features. The photoresist layer and sidewall layer are stripped.

    摘要翻译： 提供了一种在具有减少的线边缘粗糙度的层中形成特征的方法。 在该层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 通过执行多个循环，在光致抗蚀剂特征的侧壁上形成厚度小于100nm的侧壁层。 每个循环包括在光致抗蚀剂层上沉积一层，其中沉积层的厚度介于单层至20nm之间。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到该层中。 剥离光致抗蚀剂层和侧壁层。

    Stabilized photoresist structure for etching process
    5.
    发明申请
    Stabilized photoresist structure for etching process 有权
    用于蚀刻工艺的稳定光致抗蚀剂结构

    公开(公告)号：US20060205220A1

    公开(公告)日：2006-09-14

    申请号：US11076087

    申请日：2005-03-08

    申请人： Eric Hudson ,  S.M. Sadjadi

    发明人： Eric Hudson ,  S.M. Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76807 ,  H01L2221/1063 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/947

    摘要： A method for forming features in an etch layer is provided. A first mask is formed over the etch layer where the first mask defines a plurality of spaces with widths. The first mask is laterally etched where the etched first mask defines a plurality of spaces with widths that are greater than the widths of the spaces of the first mask. A sidewall layer is formed over the etched first mask where the sidewall layer defines a plurality of spaces with widths that are less than the widths of the spaces defined by the etched first mask. Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, where the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the etched first mask. The mask and sidewall layer are removed.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成第一掩模，其中第一掩模限定具有宽度的多个空间。 第一掩模被横向蚀刻，其中蚀刻的第一掩模限定宽度大于第一掩模的空间的宽度的多个空间。 在蚀刻的第一掩模上形成侧壁层，其中侧壁层限定宽度小于由蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度的多个空间。 特征通过侧壁蚀刻到蚀刻层中，其中特征具有的宽度小于由蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。 去除掩模和侧壁层。

    HARDMASK OPEN AND ETCH PROFILE CONTROL WITH HARDMASK OPEN
    6.
    发明申请
    HARDMASK OPEN AND ETCH PROFILE CONTROL WITH HARDMASK OPEN 审中-公开
    HARDMASK打开和调试配置控制与HARDMASK开放

    公开(公告)号：US20100327413A1

    公开(公告)日：2010-12-30

    申请号：US12595234

    申请日：2008-05-02

    申请人： Jong Pil Lee ,  Seiji Kawaguchi ,  Camelia Rusu ,  Zhisong Huang ,  Mukund Srinivasan ,  Eric Hudson ,  Aaron Eppler

    发明人： Jong Pil Lee ,  Seiji Kawaguchi ,  Camelia Rusu ,  Zhisong Huang ,  Mukund Srinivasan ,  Eric Hudson ,  Aaron Eppler

    IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/08 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/31122

    摘要： A method for opening a carbon-based hardmask layer formed on an etch layer over a substrate is provided. The hardmask layer is disposed below a patterned mask. The substrate is placed in a plasma processing chamber. The hardmask layer is opened by flowing a hardmask opening gas including a COS component into the plasma chamber, forming a plasma from the hardmask opening gas, and stopping the flow of the hardmask opening gas. The hardmask layer may be made of amorphous carbon, or made of spun-on carbon, and the hardmask opening gas may further include O2.

    摘要翻译： 提供了一种用于打开形成在衬底上的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。 硬掩模层设置在图案化掩模下方。 将基板放置在等离子体处理室中。 通过将包括COS组分的硬掩模开口气体流入等离子体室来打开硬掩模层，从硬掩模开口气体形成等离子体，并阻止硬掩模开口气体的流动。 硬掩模层可以由无定形碳制成，或由旋涂碳制成，并且硬掩模开口气体还可以包括O 2。

    Etch profile control
    7.
    发明申请
    Etch profile control 有权
    蚀刻轮廓控制

    公开(公告)号：US20060226120A1

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：US11095932

    申请日：2005-03-30

    申请人： Camelia Rusu ,  Zhisong Huang ,  Mukund Srinivasan ,  Eric Hudson ,  Aaron Eppler

    发明人： Camelia Rusu ,  Zhisong Huang ,  Mukund Srinivasan ,  Eric Hudson ,  Aaron Eppler

    IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/31116

    摘要： A method for etching a dielectric layer over a substrate and disposed below a mask is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. An etchant gas comprising O2 and a sulfur component gas comprising at least one of H2S and a compound containing at least one carbon sulfur bond is provided into the plasma chamber. A plasma is formed from the etchant gas. Features are etched into the etch layer through the photoresist mask with the plasma from the etchant gas.

    摘要翻译： 提供了一种用于在衬底上蚀刻介质层并且设置在掩模下方的方法。 将基板放置在等离子体处理室中。 包含O 2 2的蚀刻剂气体和包含H 2 S 2的至少一种的硫成分气体和含有至少一个碳硫键的化合物被提供到等离子体室中。 等离子体由蚀刻剂气体形成。 通过来自蚀刻剂气体的等离子体通过光致抗蚀剂掩模将特征蚀刻到蚀刻层中。

    Post-development treatment of patterned photoresist to promote cross-linking of polymer chains
    8.
    发明授权
    Post-development treatment of patterned photoresist to promote cross-linking of polymer chains 有权
    显影处理图案化的光致抗蚀剂以促进聚合物链的交联

    公开(公告)号：US06780569B1

    公开(公告)日：2004-08-24

    申请号：US10068282

    申请日：2002-02-04

    申请人： Eric Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Daxing Ren ,  Wan-Lin Chen ,  Douglas Keil ,  Peter Cirigliano

    发明人： Eric Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Daxing Ren ,  Wan-Lin Chen ,  Douglas Keil ,  Peter Cirigliano

    IPC分类号： G03F700

    CPC分类号： G03F7/40

    摘要： A method for creating semiconductor devices is provided. A photoresist layer is provided on a wafer. The photoresist layer is patterned. Polymers in the patterned photoresist layer are chemically cross-linked by exposure to at least one reactive chemical. The pattern in the photoresist layer is transferred to the wafer. A reaction chamber for processing a wafer with a patterned layer of photoresist material, wherein the photoresist material was patterned by exposing the photoresist material using light of a wavelength less than 248 nm is provided. A chamber is provided with a central cavity. A wafer support for supporting the wafer in the central cavity is provided. A cross-linking reactive chemical source in fluid contact with the chamber and which provides a reactive chemical which causes cross-linking of the photoresist is provided.

    摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的方法。 在晶片上设置光致抗蚀剂层。 对光致抗蚀剂层进行图案化。 图案化光致抗蚀剂层中的聚合物通过暴露于至少一种反应性化学物质而被化学交联。 光致抗蚀剂层中的图案被转印到晶片上。 一种用于处理具有图案化的光致抗蚀剂材料层的晶片的反应室，其中通过使用波长小于248nm的光暴露光致抗蚀剂材料来对光致抗蚀剂材料进行图案化。 腔室设有中心腔。 提供了用于在中心腔中支撑晶片的晶片支撑件。 提供了与室流体接触并提供引起光致抗蚀剂交联的反应性化学物质的交联反应性化学源。

    Method for stripping photoresist from etched wafer
    9.
    发明申请
    Method for stripping photoresist from etched wafer 有权
    从蚀刻晶片剥离光刻胶的方法

    公开(公告)号：US20060024968A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10910059

    申请日：2004-08-02

    申请人： Eric Hudson ,  Peter Cirigliano

    发明人： Eric Hudson ,  Peter Cirigliano

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： G03F7/427 ,  H01L21/31138

    摘要： A method of forming a feature in a low-k (k

    摘要翻译： 提供了在低k（k <3.0）电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 提供了包含CO 2 2的汽提气体。 由包含CO 2 2的汽提气体形成等离子体。 来自包含CO 2 2的汽提气体的等离子体用于剥离图案化的光致抗蚀剂掩模。