公开(公告)号：US20060194439A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11223363

申请日：2005-09-09

申请人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Ji Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

发明人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Ji Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/949

摘要： A method for etching a feature in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have striations forming peaks and valleys. The striations of the sidewalls of the photoresist features are reduced. The reducing the striations comprises at least one cycle, wherein each cycle comprises etching back peaks formed by the striations of the sidewalls of the photoresist features and depositing on the sidewalls of the photoresist features. Features are etched into the etch layer through the photoresist features. The photoresist mask is removed.

公开(公告)号：US06780569B1

公开(公告)日：2004-08-24

申请号：US10068282

申请日：2002-02-04

申请人： Eric Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Daxing Ren ,  Wan-Lin Chen ,  Douglas Keil ,  Peter Cirigliano

发明人： Eric Hudson ,  Reza Sadjadi ,  Daxing Ren ,  Wan-Lin Chen ,  Douglas Keil ,  Peter Cirigliano

IPC分类号： G03F700

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A method for creating semiconductor devices is provided. A photoresist layer is provided on a wafer. The photoresist layer is patterned. Polymers in the patterned photoresist layer are chemically cross-linked by exposure to at least one reactive chemical. The pattern in the photoresist layer is transferred to the wafer. A reaction chamber for processing a wafer with a patterned layer of photoresist material, wherein the photoresist material was patterned by exposing the photoresist material using light of a wavelength less than 248 nm is provided. A chamber is provided with a central cavity. A wafer support for supporting the wafer in the central cavity is provided. A cross-linking reactive chemical source in fluid contact with the chamber and which provides a reactive chemical which causes cross-linking of the photoresist is provided.

摘要翻译： 提供了一种用于制造半导体器件的方法。 在晶片上设置光致抗蚀剂层。 对光致抗蚀剂层进行图案化。 图案化光致抗蚀剂层中的聚合物通过暴露于至少一种反应性化学物质而被化学交联。 光致抗蚀剂层中的图案被转印到晶片上。 一种用于处理具有图案化的光致抗蚀剂材料层的晶片的反应室，其中通过使用波长小于248nm的光暴露光致抗蚀剂材料来对光致抗蚀剂材料进行图案化。 腔室设有中心腔。 提供了用于在中心腔中支撑晶片的晶片支撑件。 提供了与室流体接触并提供引起光致抗蚀剂交联的反应性化学物质的交联反应性化学源。

公开(公告)号：US20060024968A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10910059

申请日：2004-08-02

申请人： Eric Hudson ,  Peter Cirigliano

发明人： Eric Hudson ,  Peter Cirigliano

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： G03F7/427 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k (k

摘要翻译： 提供了在低k（k <3.0）电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k电介质层中。 提供了包含CO 2 2的汽提气体。 由包含CO 2 2的汽提气体形成等离子体。 来自包含CO 2 2的汽提气体的等离子体用于剥离图案化的光致抗蚀剂掩模。

公开(公告)号：US20070075038A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11244870

申请日：2005-10-05

申请人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

发明人： S.M. Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Jisoo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric Hudson

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C03C15/00

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/31144

摘要： A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.

摘要翻译： 提供了一种蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。

公开(公告)号：US07364623B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11044576

申请日：2005-01-27

申请人： Peter Cirigliano

发明人： Peter Cirigliano

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67069 ,  Y10S156/915

摘要： A confinement assembly for a semiconductor processing chamber is provided. The confinement assembly includes a plurality of confinement rings disposed over each other. Each of the plurality of confinement rings are separated by a space and each of the plurality of confinement rings have a plurality of holes defined therein. A plunger extending through aligned holes of corresponding confinement rings is provided. The plunger is moveable in a plane substantially orthogonal to the confinement rings. A proportional adjustment support is affixed to the plunger. The proportional adjustment support is configured to support the confinement rings, such that as the plunger moves in the plane, the space separating each of the plurality of confinement rings is proportionally adjusted. In one embodiment the proportional adjustment support is a bellows sleeve. A semiconductor processing chamber and a method for confining a plasma in an etch chamber having a plurality of confinement rings are provided.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体处理室的限制组件。 限制组件包括彼此设置的多个限制环。 多个限制环中的每一个由空间分开，并且多个限制环中的每一个具有限定在其中的多个孔。 提供了延伸穿过相应限制环的对准孔的柱塞。 柱塞可在基本上垂直于限制环的平面内移动。 柱塞附加比例调节支架。 比例调节支撑件构造成支撑限制环，使得当柱塞在平面中移动时，分配多个限制环中的每一个的空间成比例地调整。 在一个实施例中，比例调节支撑件是波纹管套筒。 提供半导体处理室和用于将等离子体限制在具有多个限制环的蚀刻室中的方法。

公开(公告)号：US08268118B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12711420

申请日：2010-02-24

申请人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Sangheon Lee ,  Dae-Han Choi ,  Jisoo Kim ,  Peter Cirigliano ,  Zhisong Huang ,  Robert Charatan ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  Y10S438/947

摘要： A method for forming a feature in an etch layer is provided. A photoresist layer is formed over the etch layer. The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions of the photoresist features. Openings in the control layer are opened with a control layer breakthrough chemistry. Features are etched into the etch layer with an etch chemistry, which is different from the control layer break through chemistry, wherein the control layer is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer.

摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积保形层以减少光刻胶特征的临界尺寸。 控制层的开口打开，控制层突破性化学。 特征被蚀刻到蚀刻层中，其蚀刻化学性质不同于控制层突破性化学，其中控制层比蚀刻化学性质比共形层更耐蚀刻蚀刻。

公开(公告)号：US07772122B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12233517

申请日：2008-09-18

申请人： Peter Cirigliano ,  Helen Zhu ,  Ji Soo Kim ,  S. M. Reza Sadjadi

发明人： Peter Cirigliano ,  Helen Zhu ,  Ji Soo Kim ,  S. M. Reza Sadjadi

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

摘要： An etch layer underlying a patterned photoresist mask is provided. A plurality of sidewall forming processes are performed. Each sidewall forming process comprises depositing a protective layer on the patterned photoresist mask by performing multiple cyclical depositions. Each cyclical deposition involves at least a depositing phase for depositing a deposition layer over surfaces of the patterned photoresist mask and a profile shaping phase for shaping vertical surfaces in the deposition layer. Each sidewall forming process further comprises a breakthrough etch for selectively etching horizontal surfaces of the protective layer with respect to vertical surfaces of the protective layer. Afterwards, the etch layer is etched to form a feature having a critical dimension that is less than the critical dimension of the features in the patterned photoresist mask.

摘要翻译： 提供了图案化光刻胶掩模下面的蚀刻层。 执行多个侧壁形成工序。 每个侧壁形成工艺包括通过执行多个循环沉积在图案化的光致抗蚀剂掩模上沉积保护层。 每个循环沉积涉及至少沉积阶段，用于在图案化的光致抗蚀剂掩模的表面上沉积沉积层，以及用于在沉积层中形成垂直表面的轮廓成形阶段。 每个侧壁形成工艺还包括用于相对于保护层的垂直表面选择性地蚀刻保护层的水平表面的穿透蚀刻。 之后，刻蚀蚀刻层以形成临界尺寸小于图案化光致抗蚀剂掩模中特征的临界尺寸的特征。

公开(公告)号：US07491647B2

公开(公告)日：2009-02-17

申请号：US11223363

申请日：2005-09-09

申请人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Ji Soo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

发明人： S. M. Reza Sadjadi ,  Peter Cirigliano ,  Ji Soo Kim ,  Zhisong Huang ,  Eric A. Hudson

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/949

摘要： A method for etching a feature in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have striations forming peaks and valleys. The striations of the sidewalls of the photoresist features are reduced. The reducing the striations comprises at least one cycle, wherein each cycle comprises etching back peaks formed by the striations of the sidewalls of the photoresist features and depositing on the sidewalls of the photoresist features. Features are etched into the etch layer through the photoresist features. The photoresist mask is removed.

摘要翻译： 提供了蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁具有形成峰和谷的条纹。 光致抗蚀剂特征的侧壁的条纹减小。 减小条纹包括至少一个周期，其中每个周期包括蚀刻由光致抗蚀剂特征的侧壁的条纹形成的峰，并沉积在光致抗蚀剂特征的侧壁上。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除光致抗蚀剂掩模。

公开(公告)号：US07396769B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10910059

申请日：2004-08-02

申请人： Eric A. Hudson ,  Peter Cirigliano

发明人： Eric A. Hudson ,  Peter Cirigliano

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/427 ,  H01L21/31138

摘要： A method of forming a feature in a low-k (k

摘要翻译： 提供了在低k（k <3.0）电介质层中形成特征的方法。 将低k电介质层放置在衬底上。 将图案化的光致抗蚀剂掩模放置在低k电介质层上。 至少一个特征被蚀刻到低k介电层中。 提供了包含CO 2 2的汽提气体。 由包含CO 2 2的汽提气体形成等离子体。 来自包含CO 2 2的汽提气体的等离子体用于剥离图案化的光致抗蚀剂掩模。

公开(公告)号：US06794293B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US09972765

申请日：2001-10-05

申请人： SiYi Li ,  S. M. Reza Sadjadi ,  David R. Pirkle ,  Steve Lassig ,  Sean Kang ,  Vinay Pohray ,  Peter Cirigliano

发明人： SiYi Li ,  S. M. Reza Sadjadi ,  David R. Pirkle ,  Steve Lassig ,  Sean Kang ,  Vinay Pohray ,  Peter Cirigliano

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808

摘要： The present inventions is a method of trench formation within a dielectric layer, comprising, first, etching a via within the dielectric layer. After the via is etched, an organic plug is used to fill a portion of the via. After the desired amount of organic plug has been etched from the via, a trench is etched with a first gas mixture to a first depth, and a second gas mixture is used to further etch the trench to the final desired trench depth. Preferably, the method is used for low-k dielectrics that do not have an intermediate etch stop layer. Additionally, it is preferable that the first gas mixture is a polymeric gas mixture and the second gas mixture is a non-polymeric gas mixture. As a result of using this method, an interconnect structure for a low-k dielectric without an intermediate etch stop layer having a trench with trench edges that are substantially orthogonal and a via with via edges that are substantially orthogonal is generated.

摘要翻译： 本发明是一种在电介质层内形成沟槽的方法，包括：首先蚀刻电介质层内的通孔。 在蚀刻通孔之后，使用有机插塞来填充通孔的一部分。 在从通孔蚀刻所需量的有机插塞之后，用第一气体混合物蚀刻沟槽至第一深度，并且使用第二气体混合物来进一步将沟槽蚀刻到最终期望的沟槽深度。 优选地，该方法用于不具有中间蚀刻停止层的低k电介质。 另外，优选地，第一气体混合物是聚合气体混合物，第二气体混合物是非聚合气体混合物。 作为使用该方法的结果，产生用于低k电介质的互连结构，而不具有中间蚀刻停止层，该中间蚀刻停止层具有沟槽边缘，其基本上正交，并且具有基本正交的通孔边缘的通孔。