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    Display device and manufacturing method thereof
    9.
    发明授权
    Display device and manufacturing method thereof 有权
    显示装置及其制造方法

    公开(公告)号：US09287436B2

    公开(公告)日：2016-03-15

    申请号：US13717914

    申请日：2012-12-18

    申请人： SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. ,  INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY ,  ULSAN COLLEGE INDUSTRY COOPERATION

    发明人： Sang Youn Han ,  Cheol Kyu Kim ,  Jun Ho Song ,  Sung Hoon Yang ,  Kyung Tea Park ,  Seung Mi Seo ,  Suk Won Jung ,  Do Young Kim ,  Sun Jo Kim ,  Hyung Jun Kim

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L31/1812 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14679

    摘要： A display device includes: a first substrate; a photo transistor on the first substrate; and a switching transistor connected to the photo transistor. The photo transistor includes a light blocking film on the first substrate, a first gate electrode on the light blocking film and in contact with the light blocking film, a first semiconductor layer on the first gate electrode and overlapping the light blocking film, and a first source electrode and a first drain electrode on the first semiconductor layer. The switching transistor includes a second gate electrode on the first substrate, a second semiconductor layer on the second gate electrode and overlapping the second gate electrode, and a second source electrode and a second drain electrode on the second semiconductor layer. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are at a same layer of the display device, and each includes crystalline silicon germanium.

    摘要翻译： 一种显示装置，包括：第一基板; 第一基板上的光电晶体管; 以及连接到光电晶体管的开关晶体管。 所述光电晶体管包括在所述第一基板上的遮光膜，所述遮光膜上的与所述遮光膜接触的第一栅电极，所述第一栅电极上的与所述遮光膜重叠的第一半导体层， 源电极和第一半导体层上的第一漏电极。 开关晶体管包括在第一衬底上的第二栅极电极，在第二栅电极上的第二半导体层，并与第二栅电极重叠，第二源电极和第二漏电极在第二半导体层上。 第一半导体层和第二半导体层位于显示装置的相同层，并且各自包括晶体硅锗。