利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

70 条记录 (耗时 0.025 秒)

    High density plasma process chamber
    6.
    发明授权
    High density plasma process chamber 失效
    高密度等离子体处理室

    公开(公告)号：US6095084A

    公开(公告)日：2000-08-01

    申请号：US893599

    申请日：1997-07-14

    申请人： Shamouil Shamouilian ,  Ananda H. Kumar ,  Arnold Kholodenko ,  Dennis S. Grimard ,  Jonathan D. Mohn ,  Michael G. Chafin ,  Kenneth S. Collins

    发明人： Shamouil Shamouilian ,  Ananda H. Kumar ,  Arnold Kholodenko ,  Dennis S. Grimard ,  Jonathan D. Mohn ,  Michael G. Chafin ,  Kenneth S. Collins

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/00

    摘要： A process chamber 55 for processing a semiconductor substrate 60 in a plasma, comprises a process gas distributor 100 for distributing process gas into a plasma zone 65 in the chamber. An inductor antenna 135 is used to form an inductive plasma from the process gas in the plasma zone. A primary bias electrode 145 on a ceiling 140 of the chamber 55 has a conducting surface 150 exposed to the plasma zone 65. A dielectric member 155 comprising a power electrode 165 embedded therein, has a receiving surface for receiving a substrate 60. A secondary bias electrode 170 below the dielectric member 155 has a conducting surface 175 exposed to the plasma zone 65. An electrode voltage supply 180 maintains the power electrode 165, primary bias electrode 145, and secondary bias electrode 170, at different electrical potentials to provide a high density, highly directional, plasma in the plasma zone 65 of the chamber 55.

    摘要翻译： 用于处理等离子体中的半导体衬底60的处理室55包括用于将处理气体分配到室中的等离子体区65中的处理气体分配器100。 电感天线135用于从等离子体区域中的处理气体形成感应等离子体。 腔室55的天花板140上的主偏压电极145具有暴露于等离子体区域65的导电表面150.包括嵌入其中的功率电极165的电介质构件155具有用于接收衬底60的接收表面。次级偏压 在电介质构件155下方的电极170具有暴露于等离子体区65的导电表面175.电极电压源180​​将功率电极165，初级偏压电极145和次级偏置电极170保持在不同的电位以提供高密度 ，在室55的等离子体区65中的高度方向性的等离子体。