利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

30 条记录 (耗时 0.03 秒)

    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD
    2.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING METHOD 审中-公开
    积极抵抗组成和图案形成方法

    公开(公告)号：US20090023096A1

    公开(公告)日：2009-01-22

    申请号：US12176589

    申请日：2008-07-21

    申请人： Shinji TARUTANI ,  Kenji WADA ,  Hideaki TSUBAKI

    发明人： Shinji TARUTANI ,  Kenji WADA ,  Hideaki TSUBAKI

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

    摘要： A positive resist composition, includes: (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a resin of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid, the resin containing 80 mol % or more of an aromatic group-free copolymerization component; and (C) a compound capable of decomposing under an action of an acid to generate an acid, wherein an absolute value of difference in pKa between the acid generated from the component (A) and the acid generated from the component (C) is 2 or less, and an absolute value of difference in molecular weight between the acid generated from the component (A) and the acid generated from the component (C) is 50 or less.

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包括：（A）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物; （B）在酸的作用下在碱性显影剂中的溶解度增加的树脂，所述树脂含有80摩尔％以上的无芳族基团的共聚成分; 和（C）能够在酸的作用下分解以产生酸的化合物，其中由组分（A）产生的酸与由组分（C）产生的酸之间的pKa的差异绝对值为2 （A）生成的酸与由成分（C）生成的酸之间的分子量差的绝对值为50以下。

    PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST COMPOSITION, DEVELOPER AND RINSING SOLUTION USED IN THE PATTERN FORMING METHOD
    3.
    发明申请
    PATTERN FORMING METHOD, AND RESIST COMPOSITION, DEVELOPER AND RINSING SOLUTION USED IN THE PATTERN FORMING METHOD 有权
    图案形成方法和耐蚀组合物，图案形成方法中使用的开发者和研磨溶液

    公开(公告)号：US20110305992A1

    公开(公告)日：2011-12-15

    申请号：US13196530

    申请日：2011-08-02

    申请人： Shinji TARUTANI ,  Hideaki TSUBAKI ,  Kazuyoshi MIZUTANI ,  Kenji WADA ,  Wataru HOSHINO

    发明人： Shinji TARUTANI ,  Hideaki TSUBAKI ,  Kazuyoshi MIZUTANI ,  Kenji WADA ,  Wataru HOSHINO

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/77

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

    摘要： A pattern forming method comprising a step of applying a resist composition whose solubility in a negative tone developer decreases upon irradiation with an actinic ray or radiation and which contains a resin having an alicyclic hydrocarbon structure and a dispersity of 1.7 or less and being capable of increasing the polarity by the action of an acid, an exposure step, and a development step using a negative tone developer; a resist composition for use in the method; and a developer and a rinsing solution for use in the method, are provided, whereby a pattern with reduced line edge roughness and high dimensional uniformity can be formed.

    摘要翻译： 一种图案形成方法，包括施加抗蚀剂组合物的步骤，所述抗蚀剂组合物在负光谱显影剂中的溶解度随着光化射线或辐射的照射而降低，并且其含有具有脂环族烃结构和分散性为1.7以下并且能够增加的树脂 通过酸的作用的极性，曝光步骤和使用负色调显影剂的显影步骤; 用于该方法的抗蚀剂组合物; 并且提供了用于该方法的显影剂和冲洗溶液，由此可以形成线边缘粗糙度降低且尺寸均匀性高的图案。

    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING MEHTOD
    7.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING MEHTOD 失效
    积极抵抗组成和形成模式的图案

    公开(公告)号：US20090035692A1

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：US12181757

    申请日：2008-07-29

    申请人： Shinji TARUTANI ,  Hideaki TSUBAKI ,  Kenji WADA

    发明人： Shinji TARUTANI ,  Hideaki TSUBAKI ,  Kenji WADA

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111

    摘要： A positive resist composition, includes: (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a resin of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; (C) a compound capable of decomposing under an action of an acid to generate an acid; and (D) a compound which itself acts as a base for the acids generated from the component (A) and the component (C) but decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to lose a basicity for the acids generated from the component (A) and the component (C).

    摘要翻译： 正型抗蚀剂组合物包括：（A）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物; （B）在碱性显影剂中的溶解度在酸的作用下增加的树脂; （C）能够在酸的作用下分解以产生酸的化合物; 和（D）本身作为由组分（A）和组分（C）产生的酸的碱的化合物，但是在用光化射线或辐射照射时分解，以失去由组分（A）产生的酸的碱度 ）和组分（C）。

    METHOD OF FORMING PATTERNS
    10.
    发明申请
    METHOD OF FORMING PATTERNS 有权
    形成图案的方法

    公开(公告)号：US20120088194A1

    公开(公告)日：2012-04-12

    申请号：US13283125

    申请日：2011-10-27

    申请人： Hideaki TSUBAKI

    发明人： Hideaki TSUBAKI

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： C09D127/12 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0275

    摘要： A method of forming patterns includes (a) coating a substrate with a resist composition for negative development to form a resist film, wherein the resist composition contains a resin capable of increasing the polarity by the action of the acid and becomes more soluble in a positive developer and less soluble in a negative developer upon irradiation with an actinic ray or radiation, (b) forming a protective film on the resist film with a protective film composition after forming the resist film and before exposing the resist film, (c) exposing the resist film via an immersion medium, and (d) performing development with a negative developer.

    摘要翻译： 一种形成图案的方法包括（a）用负显影用抗蚀剂组合物涂覆基材以形成抗蚀剂膜，其中抗蚀剂组合物含有能够通过酸的作用而增加极性的树脂，并变得更可溶于阳性 显影剂，并且在用光化射线或辐射照射时不太可溶于负显影剂，（b）在形成抗蚀剂膜之后和在曝光抗蚀剂膜之前，用保护膜组合物在抗蚀剂膜上形成保护膜，（c） 通过浸渍介质形成抗蚀膜，（d）用负极显影剂进行显影。