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公开(公告)号：US5040090A
公开(公告)日：1991-08-13
申请号：US514607
申请日：1990-04-26
申请人： Siegfried Birkle , Johann Kammermaier , Albert Hammerschmidt , Gerhard Rittmayer , Hellmut Ahne
发明人： Siegfried Birkle , Johann Kammermaier , Albert Hammerschmidt , Gerhard Rittmayer , Hellmut Ahne
IPC分类号： G01N27/22
CPC分类号： G01N27/225 , Y10T29/49002
摘要： A capacitive moisture sensor with a dielectric consisting of a moisture sensitive polymer which is mounted between two electrodes fulfills all the requirements of capacitive moisture sensors to a high degree, in particular with regard to a high long-term stability, when the organic polymer is a polybenzoxazole or a polybenzothiazole.
摘要翻译： 具有由两个电极之间的湿敏聚合物组成的电介质的电容式湿度传感器在高有机聚合物是有机聚合物时，高度地满足电容式湿度传感器的所有要求，特别是关于高的长期稳定性 聚苯并恶唑或聚苯并噻唑。
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公开(公告)号：US5206534A
公开(公告)日：1993-04-27
申请号：US747695
申请日：1991-08-20
IPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/074 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/03762 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： In the case of a photocell based on gallium arsenide or indium phosphide, a layer of amorphous, hydrogenous carbon (a-C:H) having a thickness of .ltoreq.0.1 .mu.m and a specific electrical resistance of .gtoreq.10.sup.6 .OMEGA..cm is placed on a layer of p-doped gallium arsenide (GaAs) or indium phosphide (InP).
摘要翻译： 在基于砷化镓或磷化铟的光电池的情况下，厚度为0.1μm，比电阻≥106欧姆·厘米的无定形氢碳（aC：H）层为 放置在p掺杂砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）层上。
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3.发明授权
公开(公告)号：US5055421A
公开(公告)日：1991-10-08
申请号：US458716
申请日：1990-02-05
IPC分类号： B01J19/08 , C23C16/00 , C23C16/26 , H01L21/205 , H01L21/365 , H01L29/16
CPC分类号： H01L21/02527 , C23C16/26 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L29/1604
摘要： The invention provides a method for making a new semiconductor base material comprising thin layers of amorphous, hydrogenous carbon (a-c:H) with a specific electrical resistance of between 10.sup.1 and 10.sup.8 .OMEGA..cm and a charge carrier concentration (n+p) of between 10.sup.10 and 10.sup.18 cm.sup.-3, respectively at room temperature. The new semiconductor base material can be manufactured in thin layer technology with the application of band processes and exhibits a charge carrier mobility of at least 1 cm.sup.2.v.sup.-1.s.sup.-1.
摘要翻译： PCT No.PCT / EP88 / 00526 Sec。 371 1990年2月5日第 102（e）日期1990年2月5日PCT提交1988年6月14日PCT公布。 出版物WO89 / 01237 日期：1989年2月9日。本发明提供了一种制备新的半导体基材的方法，该半导体基材包含非晶态氢（ac：H）薄层，其电阻介于101和108欧姆计之间，电荷载流子浓度 （n + p）分别为1010至1018cm-3。 新的半导体基底材料可以通过应用带状工艺在薄层技术中制造并且表现出至少1cm2.v-1.s-1的载流子迁移率。
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公开(公告)号：US5037876A
公开(公告)日：1991-08-06
申请号：US504931
申请日：1990-04-05
申请人： Siegfried Birkle , Albert Hammerschmidt , Johann Kammermaier , Rainer Leuschner , Rolf-W. Schulte
发明人： Siegfried Birkle , Albert Hammerschmidt , Johann Kammermaier , Rainer Leuschner , Rolf-W. Schulte
IPC分类号： C08K3/04 , C08K3/02 , C08L79/04 , C08L79/08 , H01B3/00 , H01B3/30 , H01G4/20 , H01L21/312 , H01L23/29 , H01L23/373
CPC分类号： H01L21/312 , H01L23/295 , H01L23/3737 , H01L2924/0002
摘要： A planarizing dielectric, which is particularly suitable for electronic components, fulfills the required properties to a high degree when it comprises a matrix of a high-temperature resistant, organic polymer, into which matrix is intercalated in fine distribution a solid filler material, which is etchable in oxygen plasma, has high thermal conductivity and good dielectric properties.
摘要翻译： 特别适用于电子部件的平面化电介质当其包含耐高温有机聚合物的基质时，能够高度地满足所需的性能，基质以精细分布嵌入其中的固体填充材料，其为 在氧等离子体中可蚀刻，具有高导热性和良好的介电性能。
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公开(公告)号：US4729906A
公开(公告)日：1988-03-08
申请号：US824937
申请日：1986-01-31
IPC分类号： C08F2/00 , B05D3/14 , B05D7/24 , C08F2/46 , C08F2/52 , C08F114/26 , C08G85/00 , C08J7/04 , C23C14/12 , B05D3/06
CPC分类号： B05D1/62 , C08F114/26 , C08F2/52 , B05D2506/10
摘要： Glow polymerisate layers can be generated on a substrate, starting from hydrocarbons and/or fluorocarbons, by means of a high-frequency, low-pressure glow discharge. Glow polymerisates completely saturated with hydrogen or fluorine are obtained when the glow discharge is carried out in the microwave range between 0.5 and 1.000 GHz and if the amplitude E.sub.0 of the effective field strength in the vicinity of the substrate no greater than 850 V/cm.
摘要翻译： 辉光聚合物层可以通过高频低压辉光放电从烃和/或碳氟化合物开始在基底上产生。 当在0.5〜1.000GHz的微波范围内进行辉光放电时，如果衬底附近的有效场强的振幅E0不大于850V / cm，则获得完全饱和的氢或氟的辉光聚合物。
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6.发明授权Method of preparing layers of vinylidene fluoride polymers and vinylidene fluoride/trifluoroethylene copolymers on a substrate 失效在基材上制备偏二氟乙烯聚合物和偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物层的方法
公开(公告)号：US5035917A
公开(公告)日：1991-07-30
申请号：US529246
申请日：1990-05-25
IPC分类号： C08F2/00 , C08F2/52 , C08F14/22 , C09D127/12 , C09D127/16 , C23C16/00
CPC分类号： C09D127/16 , C08F14/22 , C08F2/52
摘要： Layers consisting of vinylidene fluoride polymers or vinylidene fluoride/trifluoroethylene copolymers can be prepared with a thickness of
摘要翻译： 由偏二氟乙烯聚合物或偏二氟乙烯/三氟乙烯共聚物组成的层可以制备厚度<10μm的介电常数或铁电性能同时对应于已知材料。 浓度为5×10 -9 mol / cm 3的偏二氟乙烯或偏二氟乙烯和三氟乙烯的混合物经受由微波激发的低压等离子体聚合，并且聚合物或共聚物以电 场强<850 V / cm。
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公开(公告)号：US5162875A
公开(公告)日：1992-11-10
申请号：US473619
申请日：1990-02-01
IPC分类号： H01L29/78 , C23C16/26 , H01L21/312 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/29 , C23C16/26 , H01L21/56 , H01L23/298 , H01L2924/0002
摘要： Hard, mechanically and chemically stable protective layers for electroactive passivation layers of semiconductor components, which also act as diffusion barriers against moisture and ions, comprise a thin layer of amorphous, hydrogenated carbon.
摘要翻译： 半导体组件的电活性钝化层的硬的，机械的和化学上稳定的保护层，其也作为防止水分和离子的扩散阻挡层，包括非晶形氢化碳的薄层。
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公开(公告)号：US5039358A
公开(公告)日：1991-08-13
申请号：US473577
申请日：1990-02-01
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/29 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , Y10S438/958
摘要： The invention provides electroactive passivation layers for semiconductor components comprising a thin layer of amorphous, hydrogenated carbon.
摘要翻译： 本发明提供了用于半导体部件的电活性钝化层，其包括非晶形氢化碳薄层。
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9.发明授权
公开(公告)号：US5108860A
公开(公告)日：1992-04-28
申请号：US552524
申请日：1990-07-16
CPC分类号： G03G5/08285
摘要： An electrophotographic recording material is applied on a plate-shaped or drum-shaped substrate in a layer structure of superposed layers which comprises a photoconductive layer and at least the uppermost layer is fashioned of amorphous, hydrogen-containing carbon. The amorphous, hydrogen-containing carbon layer is deposited from a radio frequency excited low-pressure plasma with gaseous hydrocarbon as a reaction gas and in which a self-bias DC voltage is superimposed on the radio frequency field. The a-c:H material obtained in this manner is semiconducting and has photoconductive properties so that it can be employed for the photoconductive layer of the electrophotographic recording material.
摘要翻译： 将电子照相记录材料以包含光电导层的重叠层的层结构施加在板状或鼓形衬底上，并且至少最上层由无定形含氢碳形成。 从具有气态碳氢化合物的射频激发低压等离子体作为反应气体沉积无定形含氢碳层，其中自偏压直流电压叠加在射频场上。 以这种方式获得的a-c：H材料是半导体的并且具有光电导性质，使得其可用于电子照相记录材料的光电导层。
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公开(公告)号：US5196907A
公开(公告)日：1993-03-23
申请号：US924422
申请日：1992-07-31
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L29/51
CPC分类号： H01L21/28264 , H01L21/044 , H01L21/28167 , H01L21/3146 , H01L29/51 , H01L21/28194
摘要： A Metal Insulator Semiconductor Field-Effect Transistor (MISFET) has an insulating layer arranged between a gate electrode and a semiconductor substrate. The insulating layer is a layer of amorphous, hydrogenated carbon (a-C:H) with a thickness--in the region of the gate electrode--of up to 1 .mu.m, and with a resistivity (.eta.) greater than or equal to 10.sup.6 .OMEGA..multidot.cm at the boundary surface to the semiconductor substrate. The semiconductor substrate consists of a semiconductor material other than silicon.
摘要翻译： 金属绝缘体半导体场效应晶体管（MISFET）具有布置在栅电极和半导体衬底之间的绝缘层。 绝缘层是一层非晶氢化碳（aC：H），其厚度在栅电极的区域至多为1μm，电阻率（eta）大于或等于106欧米伽xcm 在与半导体基板的边界面。 半导体衬底由除硅之外的半导体材料组成。
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