公开(公告)号：US07446341B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US10669227

申请日：2003-09-24

申请人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Wilhelm Stein ,  Stephan Kaiser ,  Volker Harle ,  Berthold Hahn

发明人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Wilhelm Stein ,  Stephan Kaiser ,  Volker Harle ,  Berthold Hahn

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a semiconductor body (1), which has an active zone (2), in which, for the purpose of electrical contact connection, a patterned contact layer (3) is applied on a surface of the semiconductor body. Interspaces (4) are distributed over the contact layer (3) and are provided for the purpose of forming free areas (5) on the surface which are not covered by the contact layer (3). The free areas (5) are covered with a mirror (6). The separation of the two functions of contact connection and reflection makes it possible to achieve a particularly high performance of the component.

摘要翻译： 具有半导体本体（1）的辐射发射半导体部件具有活动区域（2），其中为了电接触连接，将图案化接触层（3）施加在半导体本体的表面上 。 间隙（4）分布在接触层（3）上，并且被提供用于在表面上形成未被接触层（3）覆盖的自由区域（5）。 自由区域（5）用镜子（6）覆盖。 接触连接和反射的两个功能的分离使得可以实现特别高的部件性能。

公开(公告)号：US20050104083A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US11017615

申请日：2004-12-20

申请人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer

发明人： Stefan Bader ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Hans-Jurgen Lugauer

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L29/24

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating a radiation-emitting semiconductor chip having a thin-film element based on III-V nitride semiconductor material includes the steps of depositing a layer sequence of a thin-film element on an epitaxy substrate. The thin-film element is joined to a carrier, and the epitaxy substrate is removed from the thin-film element. The epitaxy substrate has a substrate body made from PolySiC or PolyGaN or from SiC, GaN or sapphire, which is joined to a grown-on layer by a bonding layer, and on which the layer sequence of the thin-film element is deposited by epitaxy.

摘要翻译： 一种制造具有基于III-V族氮化物半导体材料的薄膜元件的辐射发射半导体芯片的方法包括以下步骤：在外延衬底上沉积薄膜元件层序列。 将薄膜元件接合到载体上，并且将外延基板从薄膜元件移除。 外延衬底具有由PolySiC或PolyGaN制成的衬底主体或由SiC，GaN或蓝宝石构成的衬底主体，其通过结合层连接到生长层上，并且通过外延沉积薄膜元件的层序列 。

公开(公告)号：US20050239270A1

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：US10503042

申请日：2003-01-30

申请人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

发明人： Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Stephan Kaiser ,  Frank Otte ,  Andreas Plössl

IPC分类号： B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40 ,  C30B33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/762 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K26/40 ,  B23K26/50 ,  B23K2103/172 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

摘要： A method for producing a semiconductor component, in particular a thin-film component, a semiconductor layer being separated from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateaulike spatial beam profile. Furthermore, the semiconductor layer, prior to separation, is applied to a carrier with an adapted thermal expansion coefficient. The method is suitable in particular for semiconductor layers containing a nitride compound semiconductor.

摘要翻译： 一种用于制造半导体部件的方法，特别是薄膜部件，通过用具有平板空间光束轮廓的激光束照射与基板分离的半导体层。 此外，半导体层在分离之前被施加到具有适应的热膨胀系数的载体上。 该方法特别适用于含有氮化物半导体的半导体层。

公开(公告)号：US07696078B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11654224

申请日：2007-01-16

申请人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

发明人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32

摘要： A method for producing an electrical contact of an optoelectronic semiconductor chip (1), comprising providing a mirror layer (2), comprised of a metal or metal alloy, over the semiconductor chip; providing a protective layer (3) over said mirror layer; providing a layer sequence of a barrier layer and a coupling layer (5) over said protective layer; and providing a solder layer (8) over said layer sequence.

摘要翻译： 一种用于制造光电半导体芯片（1）的电接触的方法，包括在半导体芯片上提供由金属或金属合金构成的镜层（2）; 在所述镜层上提供保护层（3）; 在所述保护层上提供阻挡层和耦合层（5）的层序列; 以及在所述层序列上提供焊料层（8）。

公开(公告)号：US07164158B2

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：US10789199

申请日：2004-02-26

申请人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

发明人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32

摘要： An electrical contact for an optoelectronic device which includes a mirror layer (2) of a metal or a metal alloy, a protective layer (3), which serves for reducing the corrosion of the mirror layer (2), a barrier layer (4), a coupling layer (5), and a solder layer (8). A contact of this type is distinguished by high reflectivity, good ohmic contact with respect to the semiconductor, good adhesion on the semiconductor and good adhesion of the layers forming the contact with one another, good thermal stability, high stability with respect to environmental influences, and also solderability and patternability.

摘要翻译： 一种用于光电器件的电接触件，其包括金属或金属合金的镜层（2），用于减少镜层（2）的腐蚀的保护层（3），阻挡层（4） ，耦合层（5）和焊料层（8）。 这种类型的接触的特征在于高反射率，与半导体的良好的欧姆接触，对半导体的良好的粘合性以及形成彼此接触的层的良好粘附性，良好的热稳定性，相对于环境影响的高稳定性， 以及可焊性和图案性。

公开(公告)号：US20070117235A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11654224

申请日：2007-01-16

申请人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

发明人： Wilhelm Stein ,  Michael Fehrer ,  Johannes Baur ,  Matthias Winter ,  Andreas Ploessl ,  Stephan Kaiser ,  Berthold Hahn ,  Franz Eberhard

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32

摘要： A method for producing an electrical contact of an optoelectronic semiconductor chip (1), comprising providing a mirror layer (2), comprised of a metal or metal alloy, over the semiconductor chip; providing a protective layer (3) over said mirror layer; providing a layer sequence of a barrier layer and a coupling layer (5) over said protective layer; and providing a solder layer (8) over said layer sequence.

摘要翻译： 一种用于制造光电半导体芯片（1）的电接触的方法，包括在半导体芯片上提供由金属或金属合金构成的镜层（2）; 在所述镜层上提供保护层（3）; 在所述保护层上提供阻挡层和耦合层（5）的层序列; 以及在所述层序列上提供焊料层（8）。

公开(公告)号：US20080179380A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11567977

申请日：2006-12-07

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Marianne Ortmann ,  Uwe Strauss ,  Johannes Volkl ,  Ulrich Zehnder

IPC分类号： A47J36/02

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00014

摘要： A radiation-emitting semiconductor component has an improved radiation efficiency. The semiconductor component has a multilayer structure with an active layer for generating radiation within the multilayer structure and also a window having a first and a second main surface. The multi-layer structure adjoins the first main surface of the window. At least one recess, such as a trench or a pit, is formed in the window from the second main surface for the purpose of increasing the radiation efficiency. The recess preferably has a trapezoidal cross section tapering toward the first main surface and can be produced for example by sawing into the window.

摘要翻译： 辐射发射半导体组件具有改进的辐射效率。 半导体部件具有多层结构，其具有用于在多层结构内产生辐射的有源层，以及具有第一和第二主表面的窗口。 多层结构邻接窗口的第一主表面。 为了提高辐射效率，至少一个凹槽（例如沟槽或凹坑）从第二主表面形成在窗口中。 凹部优选地具有朝向第一主表面渐缩的梯形横截面，并且可以例如通过锯入窗口来制造。

公开(公告)号：US07592636B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US10529625

申请日：2003-09-23

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a radiation-transmissive substrate (1), on the underside of which a radiation-generating layer (2) is arranged, in which the substrate (1) has inclined side areas (3), in which the refractive index of the substrate (1) is greater than the refractive index of the radiation-generating layer, in which the difference in refractive index results in an unilluminated substrate region (4), into which no photons are coupled directly from the radiation-generating layer, and in which the substrate (1) has essentially perpendicular side areas (5) in the unilluminated region. The component has the advantage that it can be produced with a better area yield from a wafer.

摘要翻译： 一种具有辐射透射性衬底（1）的辐射发射半导体部件，其底部布置有辐射产生层（2），其中衬底（1）具有倾斜的侧面区域（3），其中 衬底（1）的折射率大于辐射产生层的折射率，其中折射率差导致未发射的衬底区域（4），其中没有光子直接从辐射产生层 层，并且其中衬底（1）在未发光区域中具有基本上垂直的侧面区域（5）。 该组件的优点是可以从晶片获得更好的面积产率。

公开(公告)号：US20060124945A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10529625

申请日：2003-09-23

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A radiation-emitting semiconductor component having a radiation-transmissive substrate (1), on the underside of which a radiation-generating layer (2) is arranged, in which the substrate (1) has inclined side areas (3), in which the refractive index of the substrate (1) is greater than the refractive index of the radiation-generating layer, in which the difference in refractive index results in an unilluminated substrate region (4), into which no photons are coupled directly from the radiation-generating layer, and in which the substrate (1) has essentially perpendicular side areas (5) in the unilluminated region. The component has the advantage that it can be produced with a better area yield from a wafer.

摘要翻译： 一种具有辐射透射性衬底（1）的辐射发射半导体部件，其底部布置有辐射产生层（2），其中衬底（1）具有倾斜的侧面区域（3），其中 衬底（1）的折射率大于辐射产生层的折射率，其中折射率差导致未发射的衬底区域（4），其中没有光子直接从辐射产生层 层，并且其中衬底（1）在未发光区域中具有基本上垂直的侧面区域（5）。 该组件的优点是可以从晶片获得更好的面积产率。

公开(公告)号：US06891199B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10343851

申请日：2001-07-24

申请人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Ulrich Jacob ,  Werner Plass ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder

发明人： Johannes Baur ,  Dominik Eisert ,  Michael Fehrer ,  Berthold Hahn ,  Volker Harle ,  Ulrich Jacob ,  Werner Plass ,  Uwe Strauss ,  Johannes Völkl ,  Ulrich Zehnder

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： Proposed for high-performance light-emitting diodes are semiconductor chips (1) whose longitudinal sides are substantially longer than their transverse sides. Light extraction can be substantially improved in this manner.

摘要翻译： 用于高性能发光二极管的半导体芯片（1）的纵向边比其横向侧面大得多。 以这种方式可以显着改善光提取。