公开(公告)号：US20090107521A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12296989

申请日：2007-04-11

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Jiro Yamanaka ,  Nobutaka Mizutani ,  Osamu Nakamura ,  Takaaki Matsuoka ,  Ryoichi Ohkura

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Jiro Yamanaka ,  Nobutaka Mizutani ,  Osamu Nakamura ,  Takaaki Matsuoka ,  Ryoichi Ohkura

IPC分类号： B08B3/00 ,  F16L11/04 ,  F16L11/20

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/6708

摘要： By adding a perfluoromonomer to PVDF being a fluororesin to soften it, the oxygen permeability can be significantly reduced and a flexible fluororesin tube can be obtained. The oxygen permeability can also be reduced by providing a nylon tube as an outer layer. The tube is used between a chemical solution or ultrapure water feeder and a chemical solution or ultrapure water utilizing apparatus such as a cleaning apparatus or a wet etching apparatus.

摘要翻译： 通过向作为氟树脂的PVDF添加全氟单体使其软化，可以显着降低透氧性，并且可以获得柔性的氟树脂管。 也可以通过提供尼龙管作为外层来降低透氧性。 该管用于化学溶液或超纯水给水器和化学溶液或超纯水利用设备如清洁设备或湿蚀刻设备。

公开(公告)号：US20090277379A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12311396

申请日：2007-09-28

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Ryoichi Ohkura ,  Osamu Nakamura ,  Takaaki Matsuoka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Ryoichi Ohkura ,  Osamu Nakamura ,  Takaaki Matsuoka

IPC分类号： B05B13/02

CPC分类号： G11B5/84 ,  G03F7/162 ,  G11B7/261 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6838

摘要： A gas ejected from a sonic nozzle toward the rear surface of a wafer. The flow speed of the gas flowing to the outer circumference side along the rear surface of the wafer is increased between the rear surface of the wafer and a second cup and is kept by Bernoulli's effects. Thus, flapping of wafer is suppressed. Furthermore, a resist solution is prevented from flowing around to the rear surface.

摘要翻译： 从声波喷嘴朝向晶片的后表面喷射的气体。 沿着晶片的后表面流动到外周侧的气体的流速在晶片的后表面和第二杯之间增加，并且保持由伯努利的作用。 因此，抑制了晶片的振荡。 此外，防止抗蚀剂溶液流到背面。

公开(公告)号：US20090169789A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12318341

申请日：2008-12-24

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Keita Fushimi ,  Jiro Yamanaka ,  Masayuki Miyashita ,  Tomoharu Nishioka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Keita Fushimi ,  Jiro Yamanaka ,  Masayuki Miyashita ,  Tomoharu Nishioka

IPC分类号： B32B1/08

CPC分类号： B32B27/28 ,  B32B1/08 ,  B32B27/34 ,  Y10T428/1393

摘要： A resin pipe has an inner layer made of a fluororesin, an intermediate layer of nylon, and an outermost layer made of a fluororesin and covering the intermediate layer.

摘要翻译： 树脂管具有由氟树脂制成的内层，尼龙的中间层和由氟树脂制成的最外层并覆盖中间层。

公开(公告)号：US20070231523A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11727888

申请日：2007-03-28

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Jiro Yamanaka ,  Kengo Iwahara ,  Kouji Fukae

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Jiro Yamanaka ,  Kengo Iwahara ,  Kouji Fukae

IPC分类号： B32B1/08

CPC分类号： B32B1/08 ,  B29K2027/12 ,  B29K2995/0067 ,  B29L2023/005 ,  B32B27/08 ,  B32B27/304 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B2307/7244 ,  B32B2597/00 ,  C08L27/16 ,  Y10T428/139 ,  Y10T428/1393 ,  C08L2666/04

摘要： In a resin pipe, PVDF being a fluororesin is softened by adding a perfluoromonomer thereto, so that the oxygen permeability can be significantly reduced. The oxygen permeability can also be reduced by providing a nylon tube as an outer layer.

摘要翻译： 在树脂管中，作为氟树脂的PVDF通过向其中加入全氟单体而软化，从而可以显着降低透氧性。 也可以通过提供尼龙管作为外层来降低透氧性。

公开(公告)号：US20100216300A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12675289

申请日：2008-08-07

申请人： Hirokazu Ueda ,  Toshihisa Nozawa ,  Takaaki Matsuoka ,  Akinobu Teramoto ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Hirokazu Ueda ,  Toshihisa Nozawa ,  Takaaki Matsuoka ,  Akinobu Teramoto ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116

摘要： A semiconductor device manufacturing method, the method including: forming a semiconductor element on a semiconductor substrate; and by using microwaves as a plasma source, forming an insulation film on the semiconductor element by performing a CVD process using microwave plasma having an electron temperature of plasma lower than 1.5 eV and an electron density of plasma higher than 1×1011 cm−3 near a surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件; 并且通过使用微波作为等离子体源，通过使用具有低于1.5eV的等离子体的电子温度和高于1×10 11 cm -3的等离子体的电子密度的微波等离子体进行CVD工艺，在半导体元件上形成绝缘膜 半导体衬底的表面。

公开(公告)号：US20100025821A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12521019

申请日：2007-12-20

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tetsuya Goto ,  Akinobu Teramoto ,  Takaaki Matsuoka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tetsuya Goto ,  Akinobu Teramoto ,  Takaaki Matsuoka

IPC分类号： H01L29/30 ,  C23C16/00 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/26 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/30 ,  H01L29/7833

摘要： When positively charged ions are implanted into a target substrate, charge-up damage may occur on the target substrate. In order to suppress charge-up caused by secondary electrons emitted from the target substrate when positively charged ions are implanted, a conductive member is installed at a position facing the target substrate and electrically grounded with respect to a high frequency. Further, a field intensity generated in the target substrate may be reduced by controlling an RF power applied to the target substrate in pulse mode.

摘要翻译： 当将带正电荷的离子注入目标衬底时，目标衬底上可能会发生充电损伤。 为了抑制当注入正电荷的离子时从目标衬底发射的二次电子引起的充电，导电构件安装在面向目标衬底并相对于高频电接地的位置。 此外，可以通过以脉冲模式控制施加到目标衬底的RF功率来减小在目标衬底中产生的场强。

公开(公告)号：US08399862B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12521019

申请日：2007-12-20

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Tetsuya Goto ,  Akinobu Teramoto ,  Takaaki Matsuoka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Tetsuya Goto ,  Akinobu Teramoto ,  Takaaki Matsuoka

IPC分类号： G21K5/10 ,  H01S3/00 ,  H05H3/02 ,  A61N5/00 ,  G21G5/00 ,  G21G4/00

CPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/26 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/30 ,  H01L29/7833

摘要： When positively charged ions are implanted into a target substrate, charge-up damage may occur on the target substrate. In order to suppress charge-up caused by secondary electrons emitted from the target substrate when positively charged ions are implanted, a conductive member is installed at a position facing the target substrate and electrically grounded with respect to a high frequency. Further, a field intensity generated in the target substrate may be reduced by controlling an RF power applied to the target substrate in pulse mode.

摘要翻译： 当将带正电荷的离子注入目标衬底时，目标衬底上可能会发生充电损伤。 为了抑制当注入正电荷的离子时从目标衬底发射的二次电子引起的充电，导电构件安装在面向目标衬底并相对于高频电接地的位置。 此外，可以通过以脉冲模式控制施加到目标衬底的RF功率来减小在目标衬底中产生的场强。

公开(公告)号：US08497214B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US12675289

申请日：2008-08-07

申请人： Hirokazu Ueda ,  Toshihisa Nozawa ,  Takaaki Matsuoka ,  Akinobu Teramoto ,  Tadahiro Ohmi

发明人： Hirokazu Ueda ,  Toshihisa Nozawa ,  Takaaki Matsuoka ,  Akinobu Teramoto ,  Tadahiro Ohmi

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116

摘要： A semiconductor device manufacturing method, the method including: forming a semiconductor element on a semiconductor substrate; and by using microwaves as a plasma source, forming an insulation film on the semiconductor element by performing a CVD process using microwave plasma having an electron temperature of plasma lower than 1.5 eV and an electron density of plasma higher than 1×1011 cm−3 near a surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件; 并且通过使用微波作为等离子体源，通过使用具有低于1.5eV的等离子体的电子温度和高于1×10 11 cm -3的等离子体的电子密度的微波等离子体进行CVD工艺，在半导体元件上形成绝缘膜 半导体衬底的表面。

公开(公告)号：US08648393B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13372159

申请日：2012-02-13

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Rihito Kuroda

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

摘要： An accumulation mode transistor has an impurity concentration of a semiconductor layer in a channel region at a value higher than 2×1017 cm−3 to achieve a large gate voltage swing.

摘要翻译： 累积模式晶体管的沟道区域中的半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，以实现大的栅极电压摆动。

公开(公告)号：US08575023B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13126249

申请日：2009-10-23

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tatsunori Isogai ,  Hiroaki Tanaka

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Akinobu Teramoto ,  Tatsunori Isogai ,  Hiroaki Tanaka

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device manufacturing method which achieves a contact of a low resistivity is provided.In a state where a first metal layer in contact with a semiconductor is covered with a second metal layer for preventing oxidation, only the first metal layer is silicided to form a silicide layer with no oxygen mixed therein. As a material of the first metal layer, a metal having a work function difference of a predetermined value from the semiconductor is used. As a material of the second metal layer, a metal which does not react with the first metal layer at an annealing temperature is used.

摘要翻译： 提供了实现低电阻率的接触的半导体器件制造方法。 在与半导体接触的第一金属层被用于防止氧化的第二金属层覆盖的状态下，仅将第一金属层硅化以形成不混合氧的硅化物层。 作为第一金属层的材料，使用与半导体具有预定值的功函数差的金属。 作为第二金属层的材料，使用在退火温度下不与第一金属层反应的金属。