公开(公告)号：US20140038420A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13877777

申请日：2011-10-06

申请人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

发明人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A removal composition and process for selectively removing a first metal gate material (e.g., titanium nitride) relative to a second metal gate material (e.g., tantalum nitride) from a microelectronic device having said material thereon. The removal composition can include fluoride or alternatively be substantially devoid of fluoride. The substrate preferably comprises a high-k/metal gate integration scheme.

摘要翻译： 一种用于从其上具有所述材料的微电子器件相对于第二金属栅极材料（例如，氮化钽）选择性地去除第一金属栅极材料（例如氮化钛）的去除组合物和工艺。 除去组合物可以包括氟化物或者基本上不含氟化物。 衬底优选地包括高k /金属栅极集成方案。

公开(公告)号：US09831088B2

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：US13877777

申请日：2011-10-06

申请人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

发明人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/28 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A removal composition and process for selectively removing a first metal gate material (e.g., titanium nitride) relative to a second metal gate material (e.g., tantalum nitride) from a microelectronic device having said material thereon. The removal composition can include fluoride or alternatively be substantially devoid of fluoride. The substrate preferably comprises a high-k/metal gate integration scheme.

公开(公告)号：US20130280123A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13819249

申请日：2011-08-26

申请人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Chimin Sheu ,  Mutsumi Nakanishi ,  Masahiro Matsuoka ,  Fumio Nakayama ,  Peng Zhang ,  Michael B. Korzenski ,  Emanuel I. Cooper ,  Kate Veccharelli ,  Makonnen Payne

发明人： Tianniu Chen ,  Steven Bilodeau ,  Chimin Sheu ,  Mutsumi Nakanishi ,  Masahiro Matsuoka ,  Fumio Nakayama ,  Peng Zhang ,  Michael B. Korzenski ,  Emanuel I. Cooper ,  Kate Veccharelli ,  Makonnen Payne

IPC分类号： C09C3/08

CPC分类号： C09C3/08 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00928 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

摘要： Methods of reducing the capillary forces experienced by fragile high aspect ratio structures during drying to substantially prevent damage to said high aspect ratio structures during drying. They include modifying the surface of the high aspect ratio structures such that the forces are sufficiently minimized and as such less than 10% of the high aspect ratio features will have bent or collapsed during drying of the structure having said features thereon.

摘要翻译： 在干燥期间减少易碎的高纵横比结构所经受的毛细作用力的方法，以基本上防止在干燥过程中对所述高纵横比结构的损坏。 它们包括改变高纵横比结构的表面，使得力被充分地最小化，并且因此在其具有所述特征的结构的干燥期间，小于10％的高纵横比特征将具有弯曲或折叠。

公开(公告)号：US20140191019A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：US14240220

申请日：2012-12-13

申请人： Tianniu Chen ,  Michael B. Korzenski ,  Ping Jiang

发明人： Tianniu Chen ,  Michael B. Korzenski ,  Ping Jiang

IPC分类号： B23K1/018 ,  B09B5/00

CPC分类号： B23K1/018 ,  B09B3/00 ,  B09B5/00 ,  B23K3/08 ,  B23K37/00 ,  C22B1/005 ,  C22B3/02 ,  C22B3/04 ,  C22B4/00 ,  C22B7/006 ,  C22B11/046 ,  C25C1/00 ,  H05K3/22 ,  H05K2203/178 ,  Y02P10/234 ,  Y02P70/613 ,  Y02W30/82 ,  Y02W30/821 ,  Y02W30/822

摘要： Apparatuses and processes for recycling printed wire boards, wherein electronic components, precious metals and base metals may be collected for reuse and recycling. The apparatuses generally include a mechanical solder removal module and/or a thermal module, a chemical solder removal module, and a precious metal leaching module, wherein the modules are attached for continuous passage of the e-waste from module to module.

摘要翻译： 可以收集用于回收印刷线路板的设备和方法，其中电子元件，贵金属和贱金属可以被收集用于再利用和再循环。 这些设备通常包括机械焊料去除模块和/或热模块，化学焊剂去除模块和贵金属浸出模块，其中模块被附接以使电子废物从模块连续通过模块。

公开(公告)号：US08679894B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13610928

申请日：2012-09-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

公开(公告)号：US08524931B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12523704

申请日：2007-03-12

申请人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

发明人： Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Matthias Stender ,  Tianniu Chen

IPC分类号： C07F15/00 ,  C03C17/10

CPC分类号： C07F17/02

摘要： Precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of strontium ruthenium oxide (SrRuO3) thin films, e.g., in the manufacture of microelectronic devices, as well as processes of making and using such precursors, and precursor supply systems containing such precursor compositions in packaged form. Cyclopentadienyl compounds of varied type are described, including cyclopentadienyl as well as non cyclopentadienyl ligands coordinated to ruthenium, strontium or barium central atoms. The precursors of the invention are useful for forming contacts for microelectronic memory device structures, and in a specific aspect for selectively coating copper metallization without deposition on associated dielectric, under deposition conditions in a forming gas ambient.

摘要翻译： 用于原子层沉积（ALD）和氧化钌氧化物（SrRuO 3）薄膜的化学气相沉积（CVD）的前体组合物，例如在微电子器件的制造中，以及制备和使用这些前体的方法以及前体供应 含有包装形式的前体组合物的体系。 描述了不同类型的环戊二烯基化合物，包括环戊二烯基以及与钌，锶或钡中心原子配位的非环戊二烯基配位体。 本发明的前体可用于形成微电子存储器件结构的接触，并且在特定方面，用于在形成气体环境中的沉积条件下，在相关联的电介质上不沉积而选择性地涂覆铜金属化。

公开(公告)号：US20130005078A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13610928

申请日：2012-09-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属元素化合物的沉积的条件下，在相变存储硫族化合物的前体与基板接触的基板上， 其接触通过化学气相沉积或原子层沉积进行。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US08288198B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12300459

申请日：2007-03-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C. with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 一种用于在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属化物合金沉积的条件下，在温度低于350℃的条件下，基板与相变存储器硫族化合物的前体接触， 通过化学气相沉积或原子层沉积进行接触。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US20120127629A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13264745

申请日：2010-04-14

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Bryan C. Hendrix ,  Steven M. Bilodeau ,  Gregory T. Stauf ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Chongying Xu

IPC分类号： H01G4/10 ,  B32B19/00 ,  B05D5/12 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01G4/1209 ,  C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/6325 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3142 ,  H01L28/40 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/1284

摘要： A composite dielectric material including an early transition metal or metal oxide base material and a dopant, co-deposited, alloying or layering secondary material, selected from among Nb, Ge, Ta, La, Y, Ce, Pr, Nd, Gd, Dy, Sr, Ba, Ca, and Mg, and oxides of such metals, and alumina as a dopant or alloying secondary material. Such composite dielectric material can be formed by vapor deposition processes, e.g., ALD, using suitable precursors, to form microelectronic devices such as ferroelectric high k capacitors, gate structures, DRAMs, and the like.

摘要翻译： 包括早期过渡金属或金属氧化物基材以及选自Nb，Ge，Ta，La，Y，Ce，Pr，Nd，Gd，Dy中的掺杂剂，共沉积，合金化或分层次级材料的复合电介质材料 ，Sr，Ba，Ca和Mg，以及这些金属的氧化物，以及作为掺杂剂或合金化二次材料的氧化铝。 这种复合介电材料可以通过使用合适的前体的气相沉积工艺（例如ALD）形成微电子器件，例如铁电高k电容器，栅极结构，DRAM等。

公开(公告)号：US20110263100A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/208

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。