公开(公告)号：US09831088B2

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：US13877777

申请日：2011-10-06

申请人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

发明人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/28 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A removal composition and process for selectively removing a first metal gate material (e.g., titanium nitride) relative to a second metal gate material (e.g., tantalum nitride) from a microelectronic device having said material thereon. The removal composition can include fluoride or alternatively be substantially devoid of fluoride. The substrate preferably comprises a high-k/metal gate integration scheme.

公开(公告)号：US20140038420A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13877777

申请日：2011-10-06

申请人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

发明人： Tianniu Chen ,  Nicole E. Thomas ,  Steven Lippy ,  Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Peng Zhang

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28088 ,  B81C1/00539 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A removal composition and process for selectively removing a first metal gate material (e.g., titanium nitride) relative to a second metal gate material (e.g., tantalum nitride) from a microelectronic device having said material thereon. The removal composition can include fluoride or alternatively be substantially devoid of fluoride. The substrate preferably comprises a high-k/metal gate integration scheme.

摘要翻译： 一种用于从其上具有所述材料的微电子器件相对于第二金属栅极材料（例如，氮化钽）选择性地去除第一金属栅极材料（例如氮化钛）的去除组合物和工艺。 除去组合物可以包括氟化物或者基本上不含氟化物。 衬底优选地包括高k /金属栅极集成方案。

公开(公告)号：US09546321B2

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：US14368714

申请日：2012-12-27

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

IPC分类号： H01B13/00 ,  C09K13/10 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

CPC分类号： C09K13/10 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to metal conducting, e.g., tungsten, and insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions contain at least one oxidant and one etchant, may contain various corrosion inhibitors to ensure selectivity.

摘要翻译： 可用于相对于金属导电（例如钨）选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余材料的组合物，以及来自其上具有其的微电子器件的绝缘材料。 除去组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

公开(公告)号：US20150027978A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14368714

申请日：2012-12-27

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Emanuel I. Cooper ,  Li-Min Chen ,  Steven Lippy ,  Rekha Rajaram ,  Sheng-Hung Tu

IPC分类号： C09K13/10 ,  C09K13/08 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06

CPC分类号： C09K13/10 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： Compositions useful for the selective removal of titanium nitride and/or photoresist etch residue materials relative to metal conducting, e.g., tungsten, and insulating materials from a microelectronic device having same thereon. The removal compositions contain at least one oxidant and one etchant, may contain various corrosion inhibitors to ensure selectivity.

摘要翻译： 可用于相对于金属导电（例如钨）选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余材料的组合物，以及来自其上具有其的微电子器件的绝缘材料。 除去组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

公开(公告)号：US09063431B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13810060

申请日：2011-07-15

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Steven Lippy ,  Peng Zhang ,  Rekha Rajaram

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Steven Lippy ,  Peng Zhang ,  Rekha Rajaram

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D3/06 ,  C11D3/26 ,  C11D3/36 ,  H01L21/02

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D3/042 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： Cleaning compositions and processes for cleaning post-plasma etch residue from a microelectronic device having said residue thereon. The composition achieves highly efficacious cleaning of the residue material, including titanium-containing, copper-containing, tungsten-containing, and/or cobalt-containing post-etch residue from the microelectronic device while simultaneously not damaging the interlevel dielectric, metal interconnect material, and/or capping layers also present thereon.

摘要翻译： 用于从其上具有所述残余物的微电子器件清洁后等离子体蚀刻残留物的清洁组合物和方法。 该组合物可实现对来自微电子器件的残余物质（包括含钛，含铜，含钨和/或含钴）蚀刻后残留物的高效清洁，同时不损坏层间电介质，金属互连材料， 和/或也存在于其上的封盖层。

公开(公告)号：US20130296214A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13810060

申请日：2011-07-15

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Steven Lippy ,  Peng Zhang ,  Rekha Rajaram

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Steven Lippy ,  Peng Zhang ,  Rekha Rajaram

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： C11D11/0041 ,  C11D3/042 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

摘要： Cleaning compositions and processes for cleaning post-plasma etch residue from a microelectronic device having said residue thereon. The composition achieves highly efficacious cleaning of the residue material, including titanium-containing, copper-containing, tungsten-containing, and/or cobalt-containing post-etch residue from the microelectronic device while simultaneously not damaging the interlevel dielectric, metal interconnect material, and/or capping layers also present thereon.

公开(公告)号：US20140318584A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US13978825

申请日：2012-01-12

申请人： Emanuel I. Cooper ,  Jeffrey A. Barnes

发明人： Emanuel I. Cooper ,  Jeffrey A. Barnes

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02076 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31133

摘要： Compositions and methods for removing lanthanoid-containing solids and/or species from the surface of a microelectronic device or microelectronic device fabrication hardware. Preferably, the lanthanoid-containing solids and/or species comprise cerium. The composition is preferably substantially devoid of fluoride ions.

摘要翻译： 用于从微电子器件或微电子器件制造硬件的表面去除含镧系元素的固体和/或物质的组合物和方法。 优选地，含镧系元素的固体和/或物质包括铈。 组合物优选基本上不含氟离子。

公开(公告)号：US09074170B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13124942

申请日：2009-10-20

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

IPC分类号： C11D11/00 ,  C11D1/72 ,  C11D3/04 ,  C11D3/24 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33

CPC分类号： C11D3/0073 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/329 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include novel corrosion inhibitors. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。

公开(公告)号：US20120283163A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13124942

申请日：2009-10-20

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Brian Benac ,  Karl E. Boggs ,  Lin Feng ,  Jun Liu ,  Melissa A. Petruska ,  Xiaodong Yan ,  Peng Zhang

IPC分类号： C11D7/60

CPC分类号： C11D3/0073 ,  B08B3/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/042 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/245 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/33 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/329 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include novel corrosion inhibitors. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。

公开(公告)号：US08754021B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12709054

申请日：2010-02-19

申请人： Jeffrey A. Barnes ,  Jun Liu ,  Peng Zhang

发明人： Jeffrey A. Barnes ,  Jun Liu ,  Peng Zhang

IPC分类号： C11D7/50 ,  C11D11/00 ,  C11D7/06

CPC分类号： C11D11/0047 ,  B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/04 ,  C11D3/044 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2044 ,  C11D3/2065 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/2086 ,  C11D3/2096 ,  C11D3/33 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/267 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/50 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5022 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074

摘要： A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions are substantially devoid of amine and ammonium-containing compounds, e.g., quaternary ammonium bases. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device without compromising the low-k dielectric material or the copper interconnect material.

摘要翻译： 一种清洁组合物和用于从具有所述残余物和污染物的微电子装置清洁后化学机械抛光（CMP）残留物和污染物的清洁组合物和方法。 清洁组合物基本上不含胺和铵的化合物，例如季铵碱。 该组合物可以在不影响低k电介质材料或铜互连材料的情况下从微电子器件的表面高效地清洁后CMP残留物和污染物质。