公开(公告)号：US20130075789A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13606542

申请日：2012-09-07

申请人： Masahito KANAMURA ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki

发明人： Masahito KANAMURA ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H03F1/3247

摘要： A semiconductor device, comprising: a first semiconductor layer disposed on a substrate; a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer; a lower insulating film disposed on the second semiconductor layer; a p-type electroconductive oxide film disposed on the lower insulating film; an upper insulating film disposed on the oxide film; and a gate electrode disposed on the upper insulating film, wherein the lower insulating film under the gate electrode has a depressed portion.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：设置在基板上的第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的第二半导体层; 设置在所述第二半导体层上的下绝缘膜; 设置在下绝缘膜上的p型导电氧化物膜; 设置在氧化膜上的上绝缘膜; 以及设置在所述上​​绝缘膜上的栅电极，其中所述栅电极下的下绝缘膜具有凹陷部。

公开(公告)号：US08389351B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US13282812

申请日：2011-10-27

申请人： Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. A resist pattern is formed on a surface of a semiconductor layer in which a first layer and a second layer are sequentially formed on a substrate. A gate recess is formed by removing a part or the entire second layer in an opening area of the resist pattern. The resist pattern is removed. A dry etching residue attached to a bottom surface and lateral surfaces of the gate recess is removed after the resist pattern is removed. An insulating film is formed on the bottom surface, the lateral surfaces, and the semiconductor layer after the dry etching residue is removed. A gate electrode is formed via the insulating film on an area where the gate recess is formed. A source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法。 在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，其中在衬底上依次形成第一层和第二层。 通过去除抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或全部第二层来形成栅极凹部。 去除抗蚀剂图案。 在除去抗蚀剂图案之后，去除附着到底部表面和浇口凹槽的侧表面的干蚀刻残留物。 在去除干蚀刻残渣之后，在底表面，侧表面和半导体层上形成绝缘膜。 在形成栅极凹部的区域，经由绝缘膜形成栅电极。 源电极和漏电极形成在半导体层上。

公开(公告)号：US20120149161A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13282812

申请日：2011-10-27

申请人： Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is disclosed. A resist pattern is formed on a surface of a semiconductor layer in which a first layer and a second layer are sequentially formed on a substrate. A gate recess is formed by removing a part or the entire second layer in an opening area of the resist pattern. The resist pattern is removed. A dry etching residue attached to a bottom surface and lateral surfaces of the gate recess is removed after the resist pattern is removed. An insulating film is formed on the bottom surface, the lateral surfaces, and the semiconductor layer after the dry etching residue is removed. A gate electrode is formed via the insulating film on an area where the gate recess is formed. A source electrode and a drain electrode are formed on the semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法。 在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，其中在衬底上依次形成第一层和第二层。 通过去除抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或全部第二层来形成栅极凹部。 去除抗蚀剂图案。 在除去抗蚀剂图案之后，去除附着到底部表面和浇口凹槽的侧表面的干蚀刻残留物。 在去除干蚀刻残渣之后，在底表面，侧表面和半导体层上形成绝缘膜。 在形成栅极凹部的区域，经由绝缘膜形成栅电极。 源电极和漏电极形成在半导体层上。

公开(公告)号：US20060197107A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11186926

申请日：2005-07-22

申请人： Masahito Kanamura ,  Toshihiro Ohki

发明人： Masahito Kanamura ,  Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device formed from a III-V nitride family semiconductor is disclosed that has a reduced gate leakage current and good interface characteristics between the III-V nitride family semiconductor and a gate insulating film. The semiconductor device includes a semiconductor layer formed from the III-V nitride family semiconductor, a gate insulating film on the semiconductor layer, and a gate electrode on the gate insulating film. The gate insulating film is formed from one of a tantalum oxide, a hafnium oxide, a hafnium aluminum oxide, a lanthanum oxide, and a yttrium oxide.

摘要翻译： 公开了一种由III-V族族半导体形成的半导体器件，其具有减小的栅极漏电流和III-V族族半导体与栅极绝缘膜之间良好的界面特性。 半导体器件包括由III-V族族半导体形成的半导体层，半导体层上的栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上的栅电极。 栅绝缘膜由氧化钽，氧化铪，铪铝氧化物，氧化镧和氧化钇中的一种形成。

公开(公告)号：US09269782B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US13606542

申请日：2012-09-07

申请人： Masahito Kanamura ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki

发明人： Masahito Kanamura ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H03F1/32 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42364 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H03F1/3247

摘要： A semiconductor device, comprising: a first semiconductor layer disposed on a substrate; a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer; a lower insulating film disposed on the second semiconductor layer; a p-type electroconductive oxide film disposed on the lower insulating film; an upper insulating film disposed on the oxide film; and a gate electrode disposed on the upper insulating film, wherein the lower insulating film under the gate electrode has a depressed portion.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括：设置在基板上的第一半导体层; 设置在所述第一半导体层上的第二半导体层; 设置在所述第二半导体层上的下绝缘膜; 设置在下绝缘膜上的p型导电氧化物膜; 设置在氧化膜上的上绝缘膜; 以及设置在所述上​​绝缘膜上的栅电极，其中所述栅电极下的下绝缘膜具有凹陷部。

公开(公告)号：US08426260B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13294726

申请日：2011-11-11

申请人： Toyoo Miyajima ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Toyoo Miyajima ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device includes: an electron transport layer formed over a substrate; an electron supply layer formed over the electron transport layer; and a cap layer formed over the electron supply layer; the cap layer includes a first compound semiconductor layer containing GaN; a second compound semiconductor layer containing AlN, which is formed over the first compound semiconductor layer; a third compound semiconductor layer containing GaN, which is formed over the second compound semiconductor layer; and at least one of a first AlGaN-containing layer and a second AlGaN-containing layer, with the first AlGaN-containing layer formed between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer and the Al content increases toward the second compound semiconductor layer, and the second AlGaN-containing layer formed between the second compound semiconductor layer and the third compound semiconductor layer and the Al content increases toward the second compound semiconductor layer.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：形成在衬底上的电子传输层; 形成在电子传输层上的电子供应层; 以及形成在所述电子供给层上的盖层; 盖层包括含有GaN的第一化合物半导体层; 含有AlN的第二化合物半导体层，其形成在所述第一化合物半导体层上; 含有GaN的第三化合物半导体层，其形成在所述第二化合物半导体层上; 以及第一AlGaN含有层和第二含AlGaN的层中的至少一个，其中形成在第一化合物半导体层和第二化合物半导体层之间的第一AlGaN含有层，并且Al含量朝向第​​二化合物半导体层增加 并且形成在第二化合物半导体层和第三化合物半导体层之间的第二AlGaN含量层和Al含量朝向第​​二化合物半导体层增加。

公开(公告)号：US20120205662A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357901

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor layer formed over a substrate; an insulating film formed over the semiconductor layer; and an electrode formed over the insulating film, wherein the insulating film includes an amorphous film including carbon.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在衬底上的半导体层; 形成在所述半导体层上的绝缘膜; 以及形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜包括包含碳的非晶膜。

公开(公告)号：US20120139630A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13280677

申请日：2011-10-25

申请人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M3/24 ,  H03F3/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

摘要： On a surface of a compound semiconductor layer including inner wall surfaces of an electrode trench, an etching residue 12a and an altered substance 12b which are produced due to dry etching for forming the electrode trench are removed, and a compound semiconductor is terminated with fluorine. Gate metal is buried in the electrode trench via a gate insulating film, or the gate metal is directly buried in the electrode trench, whereby a gate electrode is formed.

摘要翻译： 在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，除去由于用于形成电极沟槽的干蚀刻而产生的蚀刻残余物12a和改变物质12b，并且化合物半导体被氟终止。 栅极金属通过栅极绝缘膜埋入电极沟槽中，或者栅极金属直接埋入电极沟槽中，从而形成栅电极。

公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US07948062B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12339695

申请日：2008-12-19

申请人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kozo Makiyama ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7787

摘要： A semiconductor device including a compound semiconductor laminated structure having a plurality of compound semiconductor layers formed over a semiconductor substrate, a first insulation film covering at least a part of a surface of the compound semiconductor laminated structure, and a second insulation film formed on the first insulation film, wherein the second insulation film includes more hydrogen than the first insulation film.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括具有形成在半导体衬底上的多个化合物半导体层的化合物半导体层叠结构，覆盖化合物半导体层叠结构的表面的至少一部分的第一绝缘膜和形成在第一衬底上的第二绝缘膜 绝缘膜，其中所述第二绝缘膜包括比所述第一绝缘膜更多的氢。