公开(公告)号：US20120139630A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13280677

申请日：2011-10-25

申请人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

发明人： Shirou OZAKI ,  Norikazu Nakamura ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura

IPC分类号： H01L29/78 ,  H02M3/24 ,  H03F3/04 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

摘要： On a surface of a compound semiconductor layer including inner wall surfaces of an electrode trench, an etching residue 12a and an altered substance 12b which are produced due to dry etching for forming the electrode trench are removed, and a compound semiconductor is terminated with fluorine. Gate metal is buried in the electrode trench via a gate insulating film, or the gate metal is directly buried in the electrode trench, whereby a gate electrode is formed.

摘要翻译： 在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，除去由于用于形成电极沟槽的干蚀刻而产生的蚀刻残余物12a和改变物质12b，并且化合物半导体被氟终止。 栅极金属通过栅极绝缘膜埋入电极沟槽中，或者栅极金属直接埋入电极沟槽中，从而形成栅电极。

公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US20120220105A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13397837

申请日：2012-02-16

申请人： Shirou OZAKI ,  Masayuki Takeda ,  Norikazu Nakamura ,  Junichi Kon

发明人： Shirou OZAKI ,  Masayuki Takeda ,  Norikazu Nakamura ,  Junichi Kon

IPC分类号： H01L21/20 ,  B08B7/00 ,  B08B3/08

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: holding a semiconductor substrate with a surface inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction; and immersing the semiconductor substrate in a cleaning solution including an acid.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：保持具有相对于垂直方向和水平方向倾斜的表面的半导体衬底; 并将半导体衬底浸入包含酸的清洗溶液中。

公开(公告)号：US20120205663A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13369409

申请日：2012-02-09

申请人： Norikazu NAKAMURA ,  Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Keiji WATANABE

发明人： Norikazu NAKAMURA ,  Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Keiji WATANABE

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device, includes a semiconductor layer formed above a substrate; an insulating film formed on the semiconductor layer; and an electrode formed on the insulating film. The insulating film has a membrane stress at a side of the semiconductor layer lower than a membrane stress at a side of the electrode.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的半导体层; 形成在半导体层上的绝缘膜; 以及形成在绝缘膜上的电极。 绝缘膜在半导体层侧的膜应力低于电极侧的膜应力。

公开(公告)号：US20130306102A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13951803

申请日：2013-07-26

申请人： Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Norikazu NAKAMURA ,  Junichi KON

发明人： Shirou OZAKI ,  Masayuki TAKEDA ,  Norikazu NAKAMURA ,  Junichi KON

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes: holding a semiconductor substrate with a surface inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction; and immersing the semiconductor substrate in a cleaning solution including an acid.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：保持具有相对于垂直方向和水平方向倾斜的表面的半导体衬底; 并将半导体衬底浸入包含酸的清洗溶液中。

公开(公告)号：US20140090782A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US14097721

申请日：2013-12-05

申请人： Shirou OZAKI

发明人： Shirou OZAKI

IPC分类号： C23F1/08

CPC分类号： C23F1/08 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67115

摘要： An etching method includes: applying a radiation to an etching aqueous solution; and etching a material to be etched by using the etching aqueous solution irradiated with the radiation.

摘要翻译： 蚀刻方法包括：向蚀刻水溶液施加辐射; 并通过使用被辐射照射的蚀刻水溶液来蚀刻待蚀刻的材料。

公开(公告)号：US20090061633A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12199297

申请日：2008-08-27

申请人： Yoshihiro NAKATA ,  Tadahiro IMADA ,  Shirou OZAKI ,  Yasushi KOBAYASHI ,  Kohta YOSHIKAWA ,  Ei YANO

发明人： Yoshihiro NAKATA ,  Tadahiro IMADA ,  Shirou OZAKI ,  Yasushi KOBAYASHI ,  Kohta YOSHIKAWA ,  Ei YANO

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76883

摘要： According to an aspect of an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device has forming an insulating layer comprising silica-based insulating material, processing the insulating layer, hydrophobizing the insulating layer by applying a silane compound to act on the insulating layer; and irradiating the insulating layer with light or an electron beam.

摘要翻译： 根据实施例的一个方面，制造半导体器件的方法具有：形成包含二氧化硅基绝缘材料的绝缘层，加工绝缘层，通过施加硅烷化合物作用在绝缘层上使绝缘层疏水化; 并用光或电子束照射绝缘层。

公开(公告)号：US20130069175A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13597557

申请日：2012-08-29

申请人： Shirou OZAKI ,  Masayuki Takeda

发明人： Shirou OZAKI ,  Masayuki Takeda

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a compound semiconductor multilayer structure, a fluorine-containing barrier film that covers a surface of the compound semiconductor multilayer structure, and a gate electrode that is arranged over the compound semiconductor multilayer structure with the fluorine-containing barrier film placed the gate and the compound semiconductor multilayer structure.

摘要翻译： 半导体器件包括化合物半导体多层结构，覆盖化合物半导体多层结构的表面的含氟阻挡膜和布置在化合物半导体多层结构上的栅极，其中含氟阻挡膜位于栅极 和化合物半导体多层结构。

公开(公告)号：US20090038833A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12185367

申请日：2008-08-04

申请人： Shirou OZAKI ,  Yoshihiro NAKATA ,  Ei YANO

发明人： Shirou OZAKI ,  Yoshihiro NAKATA ,  Ei YANO

IPC分类号： H05K1/03 ,  C08F30/08 ,  C08J7/18

CPC分类号： C08G77/62 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

摘要： A layer of a porous insulating film precursor is formed on or over a substrate, a layer of a specific silicon compound is then formed, this silicon compound layer is pre-cured as necessary, and the porous insulating film precursor is exposed to UV through the silicon compound layer or pre-cured layer.

摘要翻译： 在基板上或上方形成多孔绝缘膜前体层，然后形成特定硅化合物层，根据需要对该硅化合物层进行预固化，多孔绝缘膜前体通过 硅化合物层或预固化层。

公开(公告)号：US20080050933A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11842412

申请日：2007-08-21

申请人： Shirou OZAKI ,  Yoshihiro NAKATA ,  Ei YANO

发明人： Shirou OZAKI ,  Yoshihiro NAKATA ,  Ei YANO

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825

摘要： In a method for manufacturing a semiconductor device, including forming an insulator film including a material having Si—CH3 bond and Si—OH bond, and irradiating the insulator film with ultraviolet rays, the rate of decrease of C concentration by X-ray photoelectron spectroscopy is not more than 30%, and the rate of decrease of one or more bonds selected from the group consisting of C—H bond, O—H bond and Si—O bond of Si—OH is not less than 10%, as a result of ultraviolet ray irradiation. A low-dielectric-constant insulator film that has a high film strength and can prevent increase of dielectric constant due to moisture absorption, a semiconductor device that can prevent device response speed delay and reliability decrease due to parasite capacity increase, and a manufacturing method therefor are provided.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，包括形成包含具有Si-CH 3键和Si-OH键的材料的绝缘膜，并且用紫外线照射绝缘体膜， 通过X射线光电子能谱测定的C浓度不超过30％，选自Si-OH的CH键，OH键和Si-O键的一个或多个键的降低速率不小于10 ％，作为紫外线照射的结果。 一种低介电常数绝缘膜，其具有高的膜强度并且可以防止由于吸湿引起的介电常数的增加，能够防止器件响应速度延迟和可靠性由于寄生容量增加而降低的半导体器件及其制造方法 被提供。