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    Method for manufacturing semiconductor device
    1.
    发明授权
    Method for manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07795121B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US12010937

    申请日：2008-01-31

    申请人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    发明人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    IPC分类号： H01L21/265

    CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided, which includes forming a gate insulating film on a semiconductor substrate, forming a first layer on the gate insulating film, the first layer containing a first p-type impurity and, an amorphous or polycrystalline formed of Si1-xGex (0≦x

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，其包括在半导体衬底上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成第一层，第一层包含第一p型杂质，以及由 Si1-xGex（0＆nlE; x <0.25），对第一层进行第一热处理，其中第一层在高于1100℃的温度下加热1毫秒以下，在第一层上形成第二层， 所述第二层包含第二p型杂质并由非晶硅或多晶硅形成，所述第二p型杂质的共价键半径小于所述第一p型杂质，并且使所述第二层经受第二加热 处理以在800℃至1100℃的温度下加热第二层。

    Method for manufacturing semiconductor device
    2.
    发明授权
    Method for manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07629243B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11487994

    申请日：2006-07-18

    申请人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    发明人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided, which includes forming a gate insulating film on a semiconductor substrate, forming a first layer on the gate insulating film, the first layer containing a first p-type impurity and, an amorphous or polycrystalline formed of Si1-xGex (0≦x

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，其包括在半导体衬底上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成第一层，第一层包含第一p型杂质，以及由 Si1-xGex（0 <= x <0.25），对第一层进行第一热处理，其中第一层在高于1100℃的温度下加热1毫秒以下，在第一层上形成第二层 所述第二层包含第二p型杂质并由非晶硅或多晶硅形成，所述第二p型杂质的共价键半径小于所述第一p型杂质的半值，并且使所述第二层经受第二层 热处理以在800℃至1100℃的温度下加热第二层。

    Method for manufacturing semiconductor device
    3.
    发明申请
    Method for manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080146013A1

    公开(公告)日：2008-06-19

    申请号：US12010937

    申请日：2008-01-31

    申请人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    发明人： Tsunehiro Ino ,  Akio Kaneko ,  Nobutoshi Aoki

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided, which includes forming a gate insulating film on a semiconductor substrate, forming a first layer on the gate insulating film, the first layer containing a first p-type impurity and, an amorphous or polycrystalline formed of Si1-xGex (0≦x

    摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，其包括在半导体衬底上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成第一层，第一层包含第一p型杂质，以及由 （0 <= x <0.25），对第一层进行第一热处理，其中第一层在第一层被加热1毫秒以下 温度高于1100℃，在第一层上形成第二层，第二层含有第二p型杂质，由非晶硅或多晶硅形成，第二p型杂质的共价键半径小于 第一p型杂质的第二层，并在第二层进行第二次热处理以在800℃至1100℃的温度下加热第二层。

    Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
    6.
    发明授权
    Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08053292B2

    公开(公告)日：2011-11-08

    申请号：US12805533

    申请日：2010-08-04

    申请人： Akio Kaneko ,  Atsushi Yagishita ,  Satoshi Inaba

    发明人： Akio Kaneko ,  Atsushi Yagishita ,  Satoshi Inaba

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7843

    摘要： The disclosure concerns a method of manufacturing a semiconductor device including forming a plurality of fins made of a semiconductor material on an insulating layer; forming a gate insulating film on side surfaces of the plurality of fins; and forming a gate electrode on the gate insulating film in such a manner that a compressive stress is applied to a side surface of a first fin which is used in an NMOSFET among the plurality of fins in a direction perpendicular to the side surface and a tensile stress is applied to a side surface of a second fin which is used in a PMOSFET among the plurality of fins in a direction perpendicular to the side surface.

    摘要翻译： 本公开涉及一种制造半导体器件的方法，包括在绝缘层上形成由半导体材料制成的多个鳍片; 在所述多个翅片的侧面上形成栅极绝缘膜; 以及在所述栅极绝缘膜上形成栅电极，使得在与所述侧面垂直的方向上在所述多个翅片中的NMOSFET中使用的第一鳍片的侧面施加压缩应力， 在垂直于侧面的方向上，在多个翅片中的PMOSFET中使用的第二鳍片的侧面施加应力。

    Semiconductor device and method of fabricating the same
    7.
    发明授权
    Semiconductor device and method of fabricating the same 失效
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US07723171B2

    公开(公告)日：2010-05-25

    申请号：US12078585

    申请日：2008-04-02

    申请人： Atsushi Yagishita ,  Akio Kaneko ,  Kazunari Ishimaru

    发明人： Atsushi Yagishita ,  Akio Kaneko ,  Kazunari Ishimaru

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7851

    摘要： According to the present invention, there is provided a semiconductor device fabrication method, comprising:depositing a mask material on a semiconductor substrate;patterning the mask material and forming a trench in a surface portion of the semiconductor substrate by etching, thereby forming a first projection in a first region, and a second projection wider than the first projection in a second region;burying a device isolation insulating film in the trench;etching away a predetermined amount of the device isolation insulating film formed in the first region;etching away the mask material formed in the second region;forming a first gate insulating film on a pair of opposing side surfaces of the first projection, and a second gate insulating film on an upper surface of the second projection;depositing a first gate electrode material on the device isolation insulating film, mask material, and second gate insulating film;planarizing the first gate electrode material by using as stoppers the mask material formed in the first region and the device isolation insulating film formed in the second region;depositing a second gate electrode material on the mask material, first gate electrode material, and device isolation insulating film; andpatterning the first and second gate electrode materials, thereby forming a first gate electrode in the first region, and a second gate electrode in the second region.

    摘要翻译： 根据本发明，提供了一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底上沉积掩模材料; 图案化掩模材料并通过蚀刻在半导体衬底的表面部分中形成沟槽，从而在第一区域中形成第一突起，在第二区域形成比第一突起宽的第二突起; 在沟槽中埋设器件隔离绝缘膜; 蚀刻形成在第一区域中的预定量的器件隔离绝缘膜; 蚀刻形成在第二区域中的掩模材料; 在所述第一突起的一对相对的侧面上形成第一栅极绝缘膜，在所述第二突起的上表面上形成第二栅极绝缘膜; 在器件隔离绝缘膜，掩模材料和第二栅极绝缘膜上沉积第一栅电极材料; 通过使用形成在第一区域中的掩模材料和形成在第二区域中的器件隔离绝缘膜作为阻挡层来平坦化第一栅电极材料; 在掩模材料上沉积第二栅电极材料，第一栅电极材料和器件隔离绝缘膜; 以及对第一和第二栅电极材料进行构图，从而在第一区域形成第一栅电极，在第二区域形成第二栅电极。

    Semiconductor device and method of fabricating the same
    8.
    发明申请
    Semiconductor device and method of fabricating the same 审中-公开
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20100003813A1

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：US12585334

    申请日：2009-09-11

    申请人： Katsuyuki Sekine ,  Akio Kaneko ,  Motoyuki Sato ,  Seiji Inumiya ,  Kazuhiro Eguchi

    发明人： Katsuyuki Sekine ,  Akio Kaneko ,  Motoyuki Sato ,  Seiji Inumiya ,  Kazuhiro Eguchi

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/3145

    摘要： According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a gate insulating film selectively formed on a predetermined region of a semiconductor substrate; a gate electrode formed on said gate insulating film; and a source region and drain region formed, in a surface portion of said semiconductor substrate, on two sides of a channel region positioned below said gate electrode, wherein a carbon concentration in an interface where said gate insulating film is in contact with said gate electrode is not more than 5×1022 atoms/cm3.

    摘要翻译： 根据本发明，提供了一种半导体器件，包括：选择性地形成在半导体衬底的预定区域上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 以及在所述半导体衬底的表面部分中形成在位于所述栅极电极下方的沟道区域的两侧上的源极区和漏极区，其中所述栅极绝缘膜与所述栅电极接触的界面中的碳浓度 不大于5×1022原子/ cm3。

    Method of manufacturing semiconductor device
    9.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07521309B2

    公开(公告)日：2009-04-21

    申请号：US11948344

    申请日：2007-11-30

    申请人： Akio Kaneko ,  Motoyuki Sato ,  Katsuyuki Sekine ,  Tomohiro Saito ,  Kazuaki Nakajima ,  Tomonori Aoyama

    发明人： Akio Kaneko ,  Motoyuki Sato ,  Katsuyuki Sekine ,  Tomohiro Saito ,  Kazuaki Nakajima ,  Tomonori Aoyama

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66507

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device having a MOSFET of a first conductivity type and a MOSFET of a second conductivity type different from the first conductivity type formed on a semiconductor substrate, the method has: forming a gate insulating film; forming a first gate electrode layer, and forming a second gate electrode layer; forming a first metal containing layer on said first gate electrode layer and said second gate electrode layer; forming a second metal containing layer for preventing diffusion of a metal on said first metal containing layer; forming a third metal containing layer on said second gate electrode layer from which said first metal containing layer and said second metal containing layer are selectively removed, the third metal containing layer having a thickness different from the thickness of said first metal containing layer in a case where the third metal containing layer contains the same metal or alloy as the metal or alloy contained in said first metal containing layer; and performing a thermal processing, thereby causing reaction between the metal contained in said first metal containing layer and said first gate electrode layer to convert said first gate electrode layer into an alloy and causing reaction between the metal contained in said third metal containing layer and said second gate electrode layer to convert said second gate electrode layer into an alloy, thereby forming gate electrodes of different compositions.

    摘要翻译： 一种制造具有第一导电类型的MOSFET的半导体器件的方法和形成在半导体衬底上的与第一导电类型不同的第二导电类型的MOSFET，该方法具有：形成栅极绝缘膜; 形成第一栅电极层，形成第二栅电极层; 在所述第一栅电极层和所述第二栅电极层上形成第一含金属层; 形成用于防止金属在所述第一金属含有层上的扩散的第二含金属层; 在所述第二栅电极层上形成第三金属含有层，从所述第二金属含有层和所述第二金属含有层被选择性地除去，所述第三金属含有层的厚度与所述第一金属含有层的厚度不同 其中所述第三含金属层包含与所述第一含金属层中所含的金属或合金相同的金属或合金; 并进行热处理，从而使包含在所述第一金属含有层中的金属与所述第一栅极电极层之间产生反应，将所述第一栅电极层转换成合金，并引起所述第三金属含有层中含有的金属与所述 第二栅极电极层，以将所述第二栅电极层转换成合金，从而形成不同组成的栅电极。