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    Method for generating layout pattern
    5.
    发明授权
    Method for generating layout pattern 有权
    生成布局模式的方法

    公开(公告)号：US09208276B1

    公开(公告)日：2015-12-08

    申请号：US14822907

    申请日：2015-08-11

    申请人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： Po-Chao Tsao ,  Shih-Fang Hong ,  Chia-Wei Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Shih-Fang Tzou ,  Ming-Te Wei

    IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/36

    CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/144 ,  G03F1/36

    摘要： A method of generating a layout pattern including a FinFET structure layout includes the following processes. First, a layout pattern, which includes a sub-pattern having pitches in simple integer ratios, is provided to a computer system. The sub-pattern is then classified into a first sub-pattern and a second sub-pattern. Afterwards, first stripe patterns and at least one second stripe pattern are generated. The longitudinal edges of the first stripe patterns are aligned with the longitudinal edges of the first sub-pattern and the first stripe patterns have equal spacings and widths. The positions of the second stripe patterns correspond to the positions of the blank pattern, and spacings or widths of the second stripe patterns are different from the spacings or widths of the first stripe patterns. Finally, the first stripe patterns and the second stripe pattern are outputted to a photomask.

    摘要翻译： 生成包括FinFET结构布局的布局图案的方法包括以下处理。 首先，将包括具有简单整数比例的间距的子图案的布局图案提供给计算机系统。 然后将子图案分类为第一子图案和第二子图案。 之后，产生第一条纹图案和至少一个第二条纹图案。 第一条形图案的纵向边缘与第一子图案的纵向边缘对准，并且第一条纹图案具有相等的间距和宽度。 第二条纹图案的位置对应于空白图案的位置，第二条纹图案的间距或宽度不同于第一条纹图案的间距或宽度。 最后，将第一条纹图案和第二条纹图案输出到光掩模。

    Semiconductor device with fin structure and fabrication method thereof
    6.
    发明授权
    Semiconductor device with fin structure and fabrication method thereof 有权
    具有翅片结构的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US09000483B2

    公开(公告)日：2015-04-07

    申请号：US13895367

    申请日：2013-05-16

    申请人： United Microelectronics Corp.

    发明人： Shih-Fang Hong ,  Po-Chao Tsao

    IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L29/94 ,  H01L27/088

    CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/6653

    摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first fin structure, an electrical contact structure and a gate structure. The first fin structure includes a horizontal fin structure extending along a first direction and a vertical fin structure extending along a second direction. The substrate has a first region and a second region. A portion of the horizontal fin structure and the vertical fin structure are disposed in the first region, and the electrical contact structure directly covers the horizontal fin structure and the vertical fin structure within the first region. The gate structure partially overlaps the horizontal fin structure within the second region.

    摘要翻译： 半导体器件包括衬底，第一鳍结构，电接触结构和栅极结构。 第一翅片结构包括沿着第一方向延伸的水平翅片结构和沿着第二方向延伸的垂直翅片结构。 衬底具有第一区域和第二区域。 水平翅片结构和垂直翅片结构的一部分设置在第一区域中，并且电接触结构直接覆盖第一区域内的水平翅片结构和垂直翅片结构。 栅极结构部分地与第二区域内的水平翅片结构重叠。

    Method for fabricating semiconductor device
    10.
    发明授权
    Method for fabricating semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US09455194B1

    公开(公告)日：2016-09-27

    申请号：US14864852

    申请日：2015-09-24

    申请人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.

    发明人： Li-Wei Feng ,  Chien-Ting Lin ,  Shih-Hung Tsai ,  Ssu-I Fu ,  Hon-Huei Liu ,  Shih-Fang Hong ,  Chao-Hung Lin ,  Jyh-Shyang Jenq

    IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/823412 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431

    摘要： A method for fabricating semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate having a first region and a second region defined thereon; forming a material layer on the substrate; forming a plurality of first mandrels on the material layer of the first region and the second region; forming first spacers adjacent to the first mandrels; forming a hard mask on the first region; trimming the first spacers on the second region; removing the first mandrels; using the first spacers to remove part of the material layer for forming a plurality of second mandrels; forming second spacers adjacent to the second mandrels; removing the second mandrels; and using the second spacers to remove part of the substrate for forming a plurality of fin-shaped structures.

    摘要翻译： 公开了半导体器件的制造方法。 该方法包括以下步骤：提供具有限定在其上的第一区域和第二区域的衬底; 在所述基板上形成材料层; 在所述第一区域和所述第二区域的材料层上形成多个第一心轴; 形成与所述第一心轴相邻的第一间隔件; 在第一区域上形成硬掩模; 修剪第二区域上的第一间隔物; 去除第一个心轴; 使用所述第一间隔件去除用于形成多个第二心轴的所述材料层的一部分; 形成与所述第二心轴相邻的第二间隔件; 移除第二个心轴; 并且使用第二间隔件去除用于形成多个鳍状结构的基板的一部分。