公开(公告)号：US20130334690A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13495009

申请日：2012-06-13

申请人： Min-Chuan Tsai ,  Hsin-Fu Huang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Tsun-Min Cheng

发明人： Min-Chuan Tsai ,  Hsin-Fu Huang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Tsun-Min Cheng

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure includes a work function metal layer, a (work function) metal oxide layer and a main electrode. The work function metal layer is located on a substrate. The (work function) metal oxide layer is located on the work function metal layer. The main electrode is located on the (work function) metal oxide layer. Moreover a semiconductor process forming said semiconductor structure is also provided.

摘要翻译： 半导体结构包括功函数金属层，（功函数）金属氧化物层和主电极。 功函数金属层位于基板上。 （功函数）金属氧化物层位于功函数金属层上。 主电极位于（功函数）金属氧化物层上。 此外，还提供了形成所述半导体结构的半导体工艺。

公开(公告)号：US08975666B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US13591226

申请日：2012-08-22

申请人： Ya-Hsueh Hsieh ,  Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin

发明人： Ya-Hsueh Hsieh ,  Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A MOS transistor includes a gate structure on a substrate, and the gate structure includes a wetting layer, a transitional layer and a low resistivity material from bottom to top, wherein the transitional layer has the properties of a work function layer, and the gate structure does not have any work function layers. Moreover, the present invention provides a MOS transistor process forming said MOS transistor.

摘要翻译： MOS晶体管包括在衬底上的栅极结构，并且栅极结构包括从底部到顶部的润湿层，过渡层和低电阻率材料，其中过渡层具有功函数层的性质，并且栅极结构 没有任何功能层。 此外，本发明提供一种形成所述MOS晶体管的MOS晶体管工艺。

公开(公告)号：US08836049B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13495009

申请日：2012-06-13

申请人： Min-Chuan Tsai ,  Hsin-Fu Huang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Tsun-Min Cheng

发明人： Min-Chuan Tsai ,  Hsin-Fu Huang ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Ya-Hsueh Hsieh ,  Tsun-Min Cheng

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure includes a work function metal layer, a (work function) metal oxide layer and a main electrode. The work function metal layer is located on a substrate. The (work function) metal oxide layer is located on the work function metal layer. The main electrode is located on the (work function) metal oxide layer. Moreover a semiconductor process forming said semiconductor structure is also provided.

摘要翻译： 半导体结构包括功函数金属层，（功函数）金属氧化物层和主电极。 功函数金属层位于基板上。 （功函数）金属氧化物层位于功函数金属层上。 主电极位于（功函数）金属氧化物层上。 此外，还提供了形成所述半导体结构的半导体工艺。

公开(公告)号：US20140054654A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：US13591226

申请日：2012-08-22

申请人： Ya-Hsueh Hsieh ,  Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin

发明人： Ya-Hsueh Hsieh ,  Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Chi-Yuan Sun ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A MOS transistor includes a gate structure on a substrate, and the gate structure includes a wetting layer, a transitional layer and a low resistivity material from bottom to top, wherein the transitional layer has the properties of a work function layer, and the gate structure does not have any work function layers. Moreover, the present invention provides a MOS transistor process forming said MOS transistor.

摘要翻译： MOS晶体管包括在衬底上的栅极结构，并且栅极结构包括从底部到顶部的润湿层，过渡层和低电阻率材料，其中过渡层具有功函数层的性质，并且栅极结构 没有任何功能层。 此外，本发明提供一种形成所述MOS晶体管的MOS晶体管工艺。

公开(公告)号：US08691681B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13343690

申请日：2012-01-04

申请人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Chin-Fu Lin ,  Min-Chuan Tsai ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Hao Chen

发明人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Chin-Fu Lin ,  Min-Chuan Tsai ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Hao Chen

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/401 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： The present invention provides a method of forming a semiconductor device having a metal gate. A substrate is provided and a gate dielectric and a work function metal layer are formed thereon, wherein the work function metal layer is on the gate dielectric layer. Then, a top barrier layer is formed on the work function metal layer. The step of forming the top barrier layer includes increasing a concentration of a boundary protection material in the top barrier layer. Lastly, a metal layer is formed on the top barrier layer. The present invention further provides a semiconductor device having a metal gate.

摘要翻译： 本发明提供一种形成具有金属栅极的半导体器件的方法。 提供基板，并且在其上形成栅极电介质和功函数金属层，其中功函数金属层在栅极电介质层上。 然后，在功函数金属层上形成顶部阻挡层。 形成顶部阻挡层的步骤包括增加顶部阻挡层中边界保护材料的浓度。 最后，在顶部阻挡层上形成金属层。 本发明还提供一种具有金属栅极的半导体器件。

公开(公告)号：US20130168744A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13343690

申请日：2012-01-04

申请人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Chin-Fu Lin ,  Min-Chuan Tsai ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Hao Chen

发明人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Chin-Fu Lin ,  Min-Chuan Tsai ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Hao Chen

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/401 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： The present invention provides a method of forming a semiconductor device having a metal gate. A substrate is provided and a gate dielectric and a work function metal layer are formed thereon, wherein the work function metal layer is on the gate dielectric layer. Then, a top barrier layer is formed on the work function metal layer. The step of forming the top barrier layer includes increasing a concentration of a boundary protection material in the top barrier layer. Lastly, a metal layer is formed on the top barrier layer. The present invention further provides a semiconductor device having a metal gate.

摘要翻译： 本发明提供一种形成具有金属栅极的半导体器件的方法。 提供基板，并且在其上形成栅极电介质和功函数金属层，其中功函数金属层在栅极电介质层上。 然后，在功函数金属层上形成顶部阻挡层。 形成顶部阻挡层的步骤包括增加顶部阻挡层中边界保护材料的浓度。 最后，在顶部阻挡层上形成金属层。 本发明还提供一种具有金属栅极的半导体器件。

公开(公告)号：US08860135B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13401788

申请日：2012-02-21

申请人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin ,  Jing-Gang Li ,  Min-Hsien Chen ,  Jian-Hong Su

发明人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin ,  Jing-Gang Li ,  Min-Hsien Chen ,  Jian-Hong Su

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for filling a trench with a metal layer is disclosed. A deposition apparatus having a plurality of supporting pins is provided. A substrate and a dielectric layer disposed thereon are provided. The dielectric layer has a trench. A first deposition process is performed immediately after the substrate is placed on the supporting pins to form a metal layer in the trench, wherein during the first deposition process a temperature of the substrate is gradually increased to reach a predetermined temperature. When the temperature of the substrate reaches the predetermined temperature, a second deposition process is performed to completely fill the trench with the metal layer. The present invention further provides a semiconductor device having an aluminum layer with a reflectivity greater than 1, wherein the semiconductor device is formed by using the method.

摘要翻译： 公开了一种用金属层填充沟槽的方法。 提供具有多个支撑销的沉积装置。 设置有基板和介电层。 电介质层具有沟槽。 在将基板放置在支撑销上以在沟槽中形成金属层之后立即执行第一沉积工艺，其中在第一沉积工艺期间，基板的温度逐渐增加以达到预定温度。 当基板的温度达到预定温度时，执行第二沉积工艺以用金属层完全填充沟槽。 本发明还提供了具有大于1的反射率的铝层的半导体器件，其中通过使用该方法形成半导体器件。

公开(公告)号：US20130214336A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13401788

申请日：2012-02-21

申请人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin ,  Jing-Gang Li ,  Min-Hsien Chen ,  Jian-Hong Su

发明人： Chi-Mao Hsu ,  Hsin-Fu Huang ,  Min-Chuan Tsai ,  Chien-Hao Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chin-Fu Lin ,  Jing-Gang Li ,  Min-Hsien Chen ,  Jian-Hong Su

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for filling a trench with a metal layer is disclosed. A deposition apparatus having a plurality of supporting pins is provided. A substrate and a dielectric layer disposed thereon are provided. The dielectric layer has a trench. A first deposition process is performed immediately after the substrate is placed on the supporting pins to form a metal layer in the trench, wherein during the first deposition process a temperature of the substrate is gradually increased to reach a predetermined temperature. When the temperature of the substrate reaches the predetermined temperature, a second deposition process is performed to completely fill the trench with the metal layer.

摘要翻译： 公开了一种用金属层填充沟槽的方法。 提供具有多个支撑销的沉积装置。 设置有基板和介电层。 电介质层具有沟槽。 在将基板放置在支撑销上以在沟槽中形成金属层之后立即执行第一沉积工艺，其中在第一沉积工艺期间，基板的温度逐渐增加以达到预定温度。 当基板的温度达到预定温度时，执行第二沉积工艺以用金属层完全填充沟槽。

公开(公告)号：US09538582B2

公开(公告)日：2017-01-03

申请号：US13559318

申请日：2012-07-26

申请人： Ming-Da Cheng ,  Hsiu-Jen Lin ,  Cheng-Ting Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Wei Lee ,  Chung-Shi Liu

发明人： Ming-Da Cheng ,  Hsiu-Jen Lin ,  Cheng-Ting Chen ,  Wei-Yu Chen ,  Chien-Wei Lee ,  Chung-Shi Liu

IPC分类号： B23K31/02 ,  H01L21/00 ,  H05B3/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L23/00

CPC分类号： H05B3/02 ,  B23K3/087 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/67721 ,  H01L21/6838 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

摘要： A method includes placing a first package component over a vacuum boat, wherein the vacuum boat comprises a hole, and wherein the first package component covers the hole. A second package component is placed over the first package component, wherein solder regions are disposed between the first and the second package components. The hole is vacuumed, wherein the first package component is pressed by a pressure against the vacuum boat, and wherein the pressure is generated by a vacuum in the hole. When the vacuum in the hole is maintained, the solder regions are reflowed to bond the second package component to the first package component.

摘要翻译： 一种方法包括将第一包装部件放置在真空舟皿上，其中真空舟皿包括孔，并且其中第一包装部件覆盖该孔。 第二包装部件放置在第一包装部件上，其中焊料区域设置在第一和第二包装部件之间。 该孔被抽真空，其中第一包装部件被压靠在真空舟皿上的压力，并且其中压力由孔中的真空产生。 当保持孔中的真空时，回流焊接区域以将第二包装部件结合到第一包装部件。

公开(公告)号：US09183014B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13028574

申请日：2011-02-16

申请人： Wei-Yu Chen ,  Guei-Yuan Lueh ,  Subramaniam Maiyuran

发明人： Wei-Yu Chen ,  Guei-Yuan Lueh ,  Subramaniam Maiyuran

IPC分类号： G06F15/80 ,  G06F9/455 ,  G06F9/30 ,  G06F9/44

CPC分类号： G06F9/547 ,  G06F9/30061 ,  G06F9/449 ,  G06F9/455 ,  G06F15/8007

摘要： Systems and methods of enabling virtual calls in a single instruction multiple data (SIMD) environment may involve detecting a virtual call of a function and using a single dispatch of the function to invoke the virtual call for two or more channels of the virtual call. In one example, it is determined that the two or more channels share a common target address and a single dispatch of the function is conducted with respect to the common target address. The process may be iterated for additional channels of the virtual call that share a common target address.

摘要翻译： 在单个指令多数据（SIMD）环境中启用虚拟呼叫的系统和方法可以涉及检测功能的虚拟呼叫，并且使用该功能的单个调度来调用虚拟呼叫的两个或多个信道的虚拟呼叫。 在一个示例中，确定两个或更多个信道共享公共目标地址，并且相对于公共目标地址进行该功能的单个调度。 可以对共享共同目标地址的虚拟呼叫的附加信道重复该过程。