公开(公告)号：US20120217628A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13034263

申请日：2011-02-24

申请人： You-Hua CHOU ,  Yi-Jen LAI ,  Chun-Jen CHEN ,  Perre KAO

发明人： You-Hua CHOU ,  Yi-Jen LAI ,  Chun-Jen CHEN ,  Perre KAO

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L24/11 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： The mechanisms for forming metal bumps to connect to a cooling device (or a heat sink) described herein enable substrates with devices to dissipate heat generated more efficiently. In addition, the metal bumps allow customization of bump designs to meet the needs of different chips. Further, the usage of metal bumps between the semiconductor chip and cooling device enables advanced cooling by passing a cooling fluid between the bumps.

摘要翻译： 用于形成连接到本文所述的冷却装置（或散热器）的金属凸块的机构使得具有装置的基板能够更有效地散发产生的热量。 此外，金属凸块允许定制凹凸设计以满足不同芯片的需要。 此外，半导体芯片和冷却装置之间的金属凸块的使用能够通过在凸块之间传递冷却流体而进行先进的冷却。

公开(公告)号：US20110193219A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12702636

申请日：2010-02-09

申请人： Yi-Jen LAI ,  Chih-Kang Han ,  Chien-Pin Chan ,  Chih-Yuan Chien ,  Huai-Tei Yang

发明人： Yi-Jen LAI ,  Chih-Kang Han ,  Chien-Pin Chan ,  Chih-Yuan Chien ,  Huai-Tei Yang

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a bump structure over a pad region. The bump structure includes a copper layer and a lead-free solder layer over the copper layer. The lead-free solder layer is a SnAg layer, and the Ag content in the SnAg layer is less than 1.6 weight percent.

摘要翻译： 半导体器件包括在焊盘区域上的凸块结构。 凸块结构包括在铜层上的铜层和无铅焊料层。 无铅焊料层是SnAg层，SnAg层中的Ag含量小于1.6重量％。