公开(公告)号：US20110037098A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US08716749B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US12805674

申请日：2010-08-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： Substrate structures and methods of manufacturing the substrate structures. A substrate structure is manufactured by forming a protrusion area of a substrate under a buffer layer, and forming a semiconductor layer on the buffer layer, thereby separating the substrate from the buffer layer except in an area where the protrusion is formed. The semiconductor layer on the buffer layer not contacting the substrate has freestanding characteristics, and dislocation or cracks may be reduced and/or prevented.

摘要翻译： 衬底结构和制造衬底结构的方法。 通过在缓冲层的下方形成基板的突出区域，在缓冲层上形成半导体层，由此将基板与形成突起的区域以外的缓冲层分离，从而制造基板结构体。 不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立的特性，并且可以减少和/或阻止位错或裂纹。

公开(公告)号：US08592839B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L33/00 ,  H01L29/207

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US08138510B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12662925

申请日：2010-05-12

申请人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A gallium nitride (GaN) light emitting device and a method of manufacturing the same are provided, the method including sequentially forming a buffer layer and a first nitride layer on a silicon substrate, and forming a plurality of patterns by dry etching the first nitride layer. Each pattern includes a pair of sidewalls facing each other. A reflective layer is deposited on the first nitride layer so that one sidewall of the pair is exposed by the reflective layer. An n-type nitride layer that covers the first nitride layer is formed by horizontally growing an n-type nitride from the exposed sidewall, and a GaN-based light emitting structure layer is formed on the n-type nitride layer.

摘要翻译： 提供了一种氮化镓（GaN）发光器件及其制造方法，该方法包括在硅衬底上依次形成缓冲层和第一氮化物层，并通过干蚀刻第一氮化物层形成多个图案 。 每个图案包括彼此面对的一对侧壁。 反射层沉积在第一氮化物层上，使得该对的一个侧壁被反射层暴露。 通过从暴露的侧壁水平生长n型氮化物，形成覆盖第一氮化物层的n型氮化物层，并且在n型氮化物层上形成GaN基发光结构层。

公开(公告)号：US20110291120A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13109263

申请日：2011-05-17

申请人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/405 ,  H01L33/641 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments of the present invention relate to a light emitting device having a connection structure and a method of manufacturing the light emitting device. The method of manufacturing may include forming a light emitting region and electrode layers on a substrate in which a plurality of cell regions and a bridge for partially connecting the cell regions are disposed, thereby providing a light emitting device that controls stress with relative ease and integrates electrical connections between the cell regions.

摘要翻译： 本发明的示例性实施例涉及具有连接结构的发光器件和制造发光器件的方法。 制造方法可以包括在其上设置多个单元区域和用于部分连接单元区域的桥的基板上形成发光区域和电极层，从而提供相对容易地控制应力的发光装置 电池区之间的电连接。

公开(公告)号：US20110272712A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12926854

申请日：2010-12-14

申请人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

发明人： Hyung-su Jeong ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Young-jo Tak ,  Jae-won Lee

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L27/156 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

摘要： Example embodiments are directed to a light-emitting device including a patterned emitting unit and a method of manufacturing the light-emitting device. The light-emitting device includes a first electrode on a top of a semiconductor layer, and a second electrode on a bottom of the semiconductor layer, wherein the semiconductor layer is a pattern array formed of a plurality of stacks. A space between the plurality of stacks is filled with an insulating layer, and the first electrode is on the insulating layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及包括图案化发光单元的发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括在半导体层的顶部上的第一电极和在半导体层的底部上的第二电极，其中半导体层是由多个堆叠形成的图案阵列。 多个堆叠之间的空间填充有绝缘层，并且第一电极在绝缘层上。

公开(公告)号：US20110121330A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12662925

申请日：2010-05-12

申请人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

发明人： Young-jo Tak ,  Jun-youn Kim ,  Hyun-gi Hong ,  Jae-won Lee ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A gallium nitride (GaN) light emitting device and a method of manufacturing the same are provided, the method including sequentially forming a buffer layer and a first nitride layer on a silicon substrate, and forming a plurality of patterns by dry etching the first nitride layer. Each pattern includes a pair of sidewalls facing each other. A reflective layer is deposited on the first nitride layer so that one sidewall of the pair is exposed by the reflective layer. An n-type nitride layer that covers the first nitride layer is formed by horizontally growing an n-type nitride from the exposed sidewall, and a GaN-based light emitting structure layer is formed on the n-type nitride layer.

摘要翻译： 提供了一种氮化镓（GaN）发光器件及其制造方法，该方法包括在硅衬底上依次形成缓冲层和第一氮化物层，并通过干蚀刻第一氮化物层形成多个图案 。 每个图案包括彼此面对的一对侧壁。 反射层沉积在第一氮化物层上，使得该对的一个侧壁被反射层暴露。 通过从暴露的侧壁水平生长n型氮化物，形成覆盖第一氮化物层的n型氮化物层，并且在n型氮化物层上形成GaN基发光结构层。

公开(公告)号：US20110127554A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801198

申请日：2010-05-27

申请人： Jae-won Lee ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jae-won Lee ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/46 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016

摘要： A light emitting device may include a substrate, an n-type clad layer, an active layer, and a p-type clad layer. A concave-convex pattern having a plurality of grooves and a mesa between each of the plurality of grooves may be formed on the substrate, and a reflective layer may be formed on the surfaces of the plurality of grooves or the mesa between each of the plurality of grooves. Therefore, light generated in the active layer may be reflected by the reflective layer, and extracted to an external location.

摘要翻译： 发光器件可以包括衬底，n型覆盖层，有源层和p型覆盖层。 可以在基板上形成具有多个凹槽和每个凹槽之间的台面的凹凸图案，并且可以在多个凹槽或多个凹槽中的每一个之间的台面的表面上形成反射层 的凹槽。 因此，有源层中产生的光可以被反射层反射，并被提取到外部位置。

公开(公告)号：US08525201B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12801198

申请日：2010-05-27

申请人： Jae-won Lee ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Hyung-su Jeong

发明人： Jae-won Lee ,  Bok-ki Min ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016

摘要： A light emitting device may include a substrate, an n-type clad layer, an active layer, and a p-type clad layer. A concave-convex pattern having a plurality of grooves and a mesa between each of the plurality of grooves may be formed on the substrate, and a reflective layer may be formed on the surfaces of the plurality of grooves or the mesa between each of the plurality of grooves. Therefore, light generated in the active layer may be reflected by the reflective layer, and extracted to an external location.

摘要翻译： 发光器件可以包括衬底，n型覆盖层，有源层和p型覆盖层。 可以在基板上形成具有多个凹槽和每个凹槽之间的台面的凹凸图案，并且可以在多个凹槽或多个凹槽中的每一个之间的台面的表面上形成反射层 的凹槽。 因此，有源层中产生的光可以被反射层反射，并被提取到外部位置。

公开(公告)号：US08581276B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12801268

申请日：2010-06-01

申请人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

发明人： Jae-won Lee ,  Su-hee Chae ,  Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： Example embodiments relate to a light emitting device and a method of fabricating the light emitting device. The light emitting device may include an n-type clad layer including a plurality of nitride semiconductor layers, at least one interlayer disposed between the plurality of nitride semiconductor layers, a via hole in which a first electrode is formed, a p-type clad layer, and an active layer between the n-type clad layer and the p-type clad layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件可以包括包括多个氮化物半导体层的n型覆盖层，设置在多个氮化物半导体层之间的至少一个中间层，形成有第一电极的通孔，p型覆盖层 ，以及n型覆盖层和p型覆盖层之间的有源层。