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    Mask with extended mask clear-out window and method of dummy exposure using the same
    1.
    发明授权
    Mask with extended mask clear-out window and method of dummy exposure using the same 有权
    具有扩展掩模清除窗口的掩模和使用其的伪曝光方法

    公开(公告)号：US06960411B2

    公开(公告)日：2005-11-01

    申请号：US10314959

    申请日：2002-12-10

    Applicant: Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang ,  Shun-Li Lin

    Inventor： Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang ,  Shun-Li Lin

    IPC: G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/762 ,  G03F9/00

    CPC classification number: G03F1/36 ,  H01L21/76224

    Abstract: A mask with extended mask window for forming patterns on a semiconductor substrate. The mask includes a main chip array having four sides for forming patterns of a main chip in a semiconductor substrate and a plurality of extended mask windows arranged around the main chip array. A method of dummy exposure using the mask includes providing a semiconductor substrate comprising a nitride layer with a plurality of main chip areas therein, and a plurality of unpatterned areas therein, forming a resist layer on the semiconductor substrate, providing an exposure mask comprising a main chip array and a plurality of extended mask windows, patterning the main chip areas of the semiconductor substrate using the main chip array of the exposure mask, patterning the unpatterned areas of the semiconductor substrate using the windows of the exposure mask, and removing the unexposed portions of the resist layer.

    Abstract translation: 具有用于在半导体衬底上形成图案的扩展掩模窗口的掩模。 掩模包括具有用于形成半导体衬底中的主芯片的图案的四个侧面的主芯片阵列和布置在主芯片阵列周围的多个扩展掩模窗口。 使用掩模的伪曝光方法包括提供包括其中具有多个主芯片区域的氮化物层和其中多个未图案化区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成抗蚀剂层，提供包括主体的曝光掩模 芯片阵列和多个扩展掩模窗口，使用曝光掩模的主芯片阵列图案化半导体衬底的主芯片区域，使用曝光掩模的窗口对半导体衬底的未图案化区域进行图案化，以及去除未曝光部分 的抗蚀剂层。

    Rework process of patterned photo-resist layer
    2.
    发明授权
    Rework process of patterned photo-resist layer 有权
    图案光刻胶层的返工工艺

    公开(公告)号：US07125741B2

    公开(公告)日：2006-10-24

    申请号：US10720735

    申请日：2003-11-24

    Applicant: Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang

    Inventor： Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44

    CPC classification number: H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  Y10S438/952

    Abstract: A rework process of patterned photo-resist layer is provided. First, a substrate is provided with a first DARC, a first primer and a first patterned photo-resist layer being sequentially formed thereon. Next, remove the first patterned photo-resist layer and the first primer from the first DARC. After that, form a second DARC on the first DARC; form a second primer on the second DARC. Last, form a second patterned photo-resist layer on the second primer.

    Abstract translation: 提供了图案化光刻胶层的返工工艺。 首先，在衬底上依次形成有第一DARC，第一底漆和第一图案化的光致抗蚀剂层。 接下来，从第一DARC去除第一图案化的光致抗蚀剂层和第一底漆。 之后，在第一个DARC上形成第二个DARC; 在第二个DARC上形成第二个引物。 最后，在第二底漆上形成第二图案的光致抗蚀剂层。

    Sandwich arc structure for preventing metal to contact from shifting
    3.
    发明授权
    Sandwich arc structure for preventing metal to contact from shifting 有权
    三明治弧形结构，防止金属接触转移

    公开(公告)号：US07097921B2

    公开(公告)日：2006-08-29

    申请号：US10446927

    申请日：2003-05-29

    Applicant: Ching-Yu Chang ,  Yu-Lin Yen ,  Chin-Da Su

    Inventor： Ching-Yu Chang ,  Yu-Lin Yen ,  Chin-Da Su

    IPC: B32B18/00

    CPC classification number: C23C28/00 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: A sandwich ARC structure for preventing metal to contact from shifting, the sandwich ARC structure comprising a first Ti layer formed on a metal laer and a first TiN layer formed on the first Ti layer. A second Ti layer is formed on the first TiN layer and a second TiN layer is formed on the second Ti layer. Wherein the sandwich ARC structure formed of first Ti/first TiN/second Ti/second TiN will reduces the tress between said metal layer and a dielectric layer formed below the metal layer.

    Abstract translation: 一种用于防止金属接触移动的夹层ARC结构，所述夹层ARC结构包括形成在金属层上的第一Ti层和形成在第一Ti层上的第一TiN层。 在第一TiN层上形成第二Ti层，在第二Ti层上形成第二TiN层。 其中由第一Ti /第一TiN /第二Ti /第二TiN形成的夹层ARC结构将减少所述金属层和形成在金属层下面的电介质层之间的发束。

    Rework process of patterned photo-resist layer
    5.
    发明申请
    Rework process of patterned photo-resist layer 有权
    图案光刻胶层的返工工艺

    公开(公告)号：US20050009345A1

    公开(公告)日：2005-01-13

    申请号：US10720735

    申请日：2003-11-24

    Applicant: Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang

    Inventor： Yu-Lin Yen ,  Ching-Yu Chang

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC classification number: H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  Y10S438/952

    Abstract: A rework process of patterned photo-resist layer is provided. First, a substrate is provided with a first DARC, a first primer and a first patterned photo-resist layer being sequentially formed thereon. Next, remove the first patterned photo-resist layer and the first primer from the first DARC. After that, form a second DARC on the first DARC; form a second primer on the second DARC. Last, form a second patterned photo-resist layer on the second primer.

    Abstract translation: 提供了图案化光刻胶层的返工工艺。 首先，在衬底上依次形成有第一DARC，第一底漆和第一图案化的光致抗蚀剂层。 接下来，从第一DARC去除第一图案化的光致抗蚀剂层和第一底漆。 之后，在第一个DARC上形成第二个DARC; 在第二个DARC上形成第二个引物。 最后，在第二底漆上形成第二图案的光致抗蚀剂层。

    Method for forming a material layer
    10.
    发明申请
    Method for forming a material layer 有权
    形成材料层的方法

    公开(公告)号：US20070218410A1

    公开(公告)日：2007-09-20

    申请号：US11377159

    申请日：2006-03-15

    Applicant: Yu-Lin Yen

    Inventor： Yu-Lin Yen

    IPC: G03F7/26

    CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  G03F7/168

    Abstract: A method for forming a material layer with an anti-reflective layer as the top surface. The method comprises steps of providing a material layer and performing an ion implantation process to change a plurality of physical properties of a portion of the material layer near a top surface of the material layer so as to covert the portion of the material layer into an anti-reflective layer.

    Abstract translation: 一种形成具有抗反射层作为顶表面的材料层的方法。 该方法包括以下步骤：提供材料层并执行离子注入工艺以改变材料层的顶表面附近的材料层的一部分的多个物理性能，以将材料层的该部分隐蔽成反层 反射层。

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