公开(公告)号：US3778687A

公开(公告)日：1973-12-11

申请号：US3778687D

申请日：1971-04-20

申请人： CHANG J ,  VORA M

发明人： CHANG J ,  VORA M

IPC分类号： A47L15/42 ,  G01D5/244 ,  H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L27/00 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L9/12 ,  H01L3/12 ,  H01L11/08

CPC分类号： H01L29/36 ,  A47L15/42 ,  G01D5/244 ,  H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L27/00 ,  H01L29/73 ,  Y10S148/04 ,  Y10S148/041 ,  Y10S148/085

摘要： A high performance PN silicon semiconductor device having an arsenic or antimony doped N region which gives a substantial improvement over similar phosphorous doped regions. Arsenic atoms in the N type emitter region of an NPN device tends to squeeze the P-type impurity, such as boron in the base into a narrow-base layer. For the same integrated base doping, a much narrower base can be obtained with arsenic-doped emitters than with phosphorous-doped emitters.

摘要翻译： 具有砷或锑掺杂N区的高性能PN硅半导体器件，其相对于类似的磷掺杂区域具有显着的改进。 NPN器件的N型发射极区域中的砷原子倾向于将基底中的诸如硼的P型杂质挤压成窄基底层。 对于相同的集成基极掺杂，砷掺杂发射体可以获得比使用磷掺杂发射极更窄的基极。

公开(公告)号：US3531696A

公开(公告)日：1970-09-29

申请号：US3531696D

申请日：1968-09-27

申请人： NIPPON ELECTRIC CO

发明人： HANETA YUICHI ,  KOBAYASHI KEIZO

IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L23/29 ,  H01L29/00 ,  H03K3/45 ,  H01L3/12

CPC分类号： H03K3/45 ,  C23C16/22 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31625 ,  H01L23/291 ,  H01L29/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：US3491325A

公开(公告)日：1970-01-20

申请号：US3491325D

申请日：1967-02-15

申请人： IBM

发明人： HU SHIH-MING

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/8605 ,  H01C7/04 ,  H01L3/00 ,  H01L3/12

CPC分类号： H01L29/8605 ,  H01L21/00 ,  Y10S148/04 ,  Y10S148/041 ,  Y10S438/919

公开(公告)号：US3488542A

公开(公告)日：1970-01-06

申请号：US3488542D

申请日：1967-09-01

申请人： WILLIAM I LEHRER ,  HERBERT KROEMER

发明人： LEHRER WILLIAM I ,  KROEMER HERBERT

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L3/12

CPC分类号： H01L33/00

公开(公告)号：US3451866A

公开(公告)日：1969-06-24

申请号：US3451866D

申请日：1967-05-05

申请人： IBM

发明人： MUTTER WALTER E

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/29 ,  H01L29/00 ,  H01L7/36 ,  H01L3/12 ,  H01L11/00

CPC分类号： H01L23/291 ,  H01L21/00 ,  H01L24/05 ,  H01L29/00 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  Y10S148/037 ,  Y10S148/043 ,  Y10S148/098 ,  Y10S148/151 ,  Y10S438/919 ,  Y10S438/965 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：US3421057A

公开(公告)日：1969-01-07

申请号：US3421057D

申请日：1965-08-23

申请人： IBM

发明人： BILOUS OREST ,  CASTRUCCI PAUL P ,  CLARK TOMMY D

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/73 ,  H01L3/12 ,  H01L7/02 ,  H01L7/44

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/22 ,  H01L29/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  Y10S148/062

公开(公告)号：US3756863A

公开(公告)日：1973-09-04

申请号：US3756863D

申请日：1970-04-30

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC

发明人： WILSON O

IPC分类号： C30B13/00 ,  H01L31/08 ,  B01J17/02 ,  H01L3/12 ,  H01L7/42

CPC分类号： C30B13/00 ,  H01L31/08 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/906 ,  Y10S117/918 ,  Y10S257/917 ,  Y10S438/919

摘要： A PROCESS IF DISCLOSED FOR MANUFACTURING MERCURYDOPED GERMANIUM PHOTOCONDUCTOR MATEIAL HAVING A SHORT TIME CONSTANT AT LIQUID NEON TEMPERATURES. THE PROCESS INCLUDES REFINING THE GERMANIUM BY A NUMBER OF MOLTEN ZONE-REFINING PASSES TO REDUCE TH IMPURITIES WHICH ACT AS SHALLOW ACCEPTORS TO A LEVEL ON THE ORDER OF 10**12 ATOMS/CM.3 OR LESS AND THEN COMPENSATING THE REMAINING SHALLOW ACCEPTORS WITH SHALLOW DONORS SUCH AS ANTIMONY OR ARSENIC AND THEN DOPING THE GERMANIUM WITH MERCURY FROM THE VAPOR STATE TO A LEVEL ON THE ORDER OF 10**14 ATOMS/CM.3 OR GREATER.

公开(公告)号：US3751306A

公开(公告)日：1973-08-07

申请号：US3751306D

申请日：1969-12-03

申请人： SIEMENS AG

发明人： SCHINK N

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L3/12

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/91 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor element with a semiconductor body with pnjunction at the surface. At least the pn-junction is provided with an insulating layer. The insulating coating contains bivalent lead ions, and an additive whereby an oxide coat at the surface of the semiconductor body becomes permeable to bivalent lead ions. The additive contains fluorine ions or phosphate ions.

摘要翻译： 具有在表面具有pn结的半导体主体的半导体元件。 至少pn结设有绝缘层。 绝缘涂层含有二价铅离子，并且由此在半导体主体的表面处的氧化物涂层变成二价引线离子渗透的添加剂。 添加剂含有氟离子或磷酸根离子。

公开(公告)号：US3600333A

公开(公告)日：1971-08-17

申请号：US3600333D

申请日：1967-07-06

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC

发明人： REYNOLDS RICHARD A

IPC分类号： H01L31/08 ,  H01L3/12

CPC分类号： H01L31/08 ,  Y10S148/08 ,  Y10S148/107

摘要： A DETECTOR MATERIAL SUCH AS MERCURY SENSITIZED GERMANIUM CONTAINING ACCEPTOR IMPURITY ATOMS SUCH AS COPPER AND GROUP III ELEMENTS WHICH HAVE BEEN COMPENSATED BY A DONOR IMPURITY SUCH AS GOLD ATOMS, AND A METHOD OF COMPENSATING THE ACCEPTOR IMPURITY ATOMS IN THE GERMANIUM BY DOPING THE GERMANIUM WITH GOLD.

公开(公告)号：US3493822A

公开(公告)日：1970-02-03

申请号：US3493822D

申请日：1966-02-24

申请人： GLOBE UNION INC

发明人： ILES PETER ALBERT

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L31/0224 ,  H01L3/00 ,  H01L3/12 ,  H01L5/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L23/48 ,  H01L31/02245 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00