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    LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE
    92.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    发光半导体器件

    公开(公告)号：WO1997049132A1

    公开(公告)日：1997-12-24

    申请号：PCT/US1997011959

    申请日：1997-06-20

    Applicant: FREY, Jeffrey

    IPC: H01L29/06

    CPC classification number: H01L31/113 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/0041 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34

    Abstract: This invention relates to the field of semiconductor devices. Silicon-based semiconductor devices ordinarily lack desirable optical properties because silicon's small, indirect band gap causes electrons to emit radiation with negligible quantum efficiency. This invention solves that problem by taking advantage of the change in the nature of the electron band gap when electron flow is confined within a one-dimensional channel known as a quantum wire (11). By biasing the junction (13) between the quantum wire (11) and the surrrounding silicon support matrix (12) with a voltage, a semiconductor device of this invention emits radiation of a variable and modulable wavelength, including visible light, as well as of a variable and modulable intensity. Alternatively, the working of the device may be reversed such that it detects incoming radiation. Given its optical properties, such a device has numerous applications in the field of optoelectronics and integrated circuits.

    Abstract translation: 本发明涉及半导体器件领域。 硅基半导体器件通常缺乏期望的光学性质，因为硅的小的间接带隙导致电子以可忽略的量子效率发射辐射。 本发明通过利用当电子流限制在称为量子线（11）的一维通道内的电子带隙性质的变化来解决该问题。 通过用电压偏置量子线（11）和周围硅支撑矩阵（12）之间的结（13），本发明的半导体器件发射包括可见光的可变和可调波长的辐射，以及 一个变量和可调整的强度。 或者，可以颠倒设备的工作，以便它检测进入的辐射。 鉴于其光学特性，这种器件在光电子学和集成电路领域具有许多应用。

    GROUP IV SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
    93.
    发明申请
    GROUP IV SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 审中-公开
    第IV组半导体光学器件

    公开(公告)号：WO1996028852A1

    公开(公告)日：1996-09-19

    申请号：PCT/JP1995000435

    申请日：1995-03-15

    Applicant: HITACHI, LTD. ,  NAKAGAWA, Kiyokazu ,  NISHIDA, Akio ,  KIMURA, Yoshinobu ,  TAKAGI, Kazumasa

    Inventor： HITACHI, LTD.

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3427

    Abstract: A semiconductor optical device which uses a mixed crystal comprising Ge, C, Sn, etc., of Group IV semiconductors having a different atomic radius from that of Si as a light emission layer, disposes light emission layers at a period of integral multiples of the half of the light emission wavelength, and separates the light emission layer from a light modulation region. Since a multi-layered structure of the Group IV semiconductors such as Si and Ge, C, Sn is used, local strain due to a difference in atomic radius increases light emission efficiency, and the multi-layered film functions as an interference device of light. Because only light with a wavelength twice this period can exist inside the multi-layered film, light emission efficiency can be increased. Further, since the multi-layered structure has a periodical structure which is integral multiples of the half of the light emission wavelength, the light emission intensity can be increased. Since the light emission region and the light modulation region are formed adjacent to each other on the same substrate, a semiconductor optical device capable of high-speed light modulation can be accomplished. Because this structure can extremely reduce lattice mismatching with the substrate, no limitation on a layer thickness such as a critical film thickness exists. Accordingly, a design freedom for a film thickness for confining light and carriers and a band discontinuity value can increase, and a light emission intensity can be improved to about ten times that with the prior art devices.

    Abstract translation: 使用具有与Si的原子半径不同的第IV族半导体的Ge，C，Sn等的混晶作为发光层的半导体光学器件，以发光层的整数倍的周期配置发光层 一半的发光波长，并且将发光层与光调制区域分离。 由于使用诸如Si和Ge，C，Sn的IV族半导体的多层结构，因原子半径的差异导致的局部应变增加了发光效率，并且多层膜用作光的干涉装置 。 因为在多层膜内只能存在波长为两倍的波长的光，所以可以提高发光效率。 此外，由于多层结构具有作为发光波长的一半的整数倍的周期结构，所以可以提高发光强度。 由于发光区域和光调制区域在相同的基板上彼此相邻地形成，因此可以实现能够进行高速调光的半导体光学器件。 因为这种结构可以极大地减少与衬底的晶格失配，所以不存在诸如临界膜厚度等层厚度的限制。 因此，用于限制光和载流子的膜厚度的设计自由度和带不连续值可以增加，并且发光强度可以提高到现有技术装置的约10倍。

    OPTIMISED 650 NM SILICON AVALANCHE LED
    95.
    发明申请
    OPTIMISED 650 NM SILICON AVALANCHE LED 审中-公开
    优化的650 NM硅雪崩LED

    公开(公告)号：WO2018049434A2

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：PCT/ZA2017/050052

    申请日：2017-09-05

    Applicant: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA

    Inventor： SNYMAN, Lukas, Willem

    CPC classification number: H01L33/0004 ,  H01L33/025 ,  H01L33/34

    Abstract: The invention provides a silicon pn based device with different dopant and impurity implanted concentrations strategically placed in the device, the pn junction being reverse biased, such that the 650nm optical emission is stimulated and enhanced. The invention extends to a silicon avalanche light emitting device comprising a first junction and a second junction, said first junction including a reverse biased excitation zone for injecting high energy carriers in a first direction and said second junction being forward biased so as to inject high density low energy carriers opposite to said first direction, wherein an interaction zone is formed between said first junction and said second junction so as to enhance emission of 650nm photons through interactions between said high energy carriers and said low energy carriers.

    Abstract translation: 本发明提供了一种基于硅pn的器件，其具有策略性地放置在器件中的不同掺杂剂和杂质注入浓度，pn结被反向偏置，使得650nm光发射被刺激和增强。 本发明延伸到包括第一结和第二结的硅雪崩发光器件，所述第一结包括用于沿第一方向注入高能载流子的反向偏置激发区，并且所述第二结被正向偏置以便注入高密度 与所述第一方向相反的低能量载流子，其中在所述第一结与所述第二结之间形成相互作用区，以便通过所述高能载流子与所述低能载流子之间的相互作用增强650nm光子的发射。

    白色発光素子
    98.
    发明申请
    白色発光素子 审中-公开
    白色发光元件

    公开(公告)号：WO2014142338A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/JP2014/057209

    申请日：2014-03-17

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

    Inventor： 牧野　俊晴 ,  山崎　聡 ,  大串　秀世 ,  小倉　政彦 ,  加藤　宙光 ,  竹内　大輔

    IPC: H01L33/34 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/343 ,  H01L33/34 ,  H01L33/50 ,  H01L33/508

    Abstract: 　本発明の白色発光素子は、基体（１０１）と、前記基体（１０１）上に配され、該基体（１０１）側から、一つまたは複数のｐ型のα層（１０２）、ｐ型またはｎ型のγ層（１０３）、一つまたは複数のｎ型のβ層（１０４）が順に積層されてなるダイヤモンド半導体層（１０５）と、前記α層（１０２）に配された、電流を注入するための第一電極（１０６）と、前記β層（１０４）に配された、電流を注入するための第二電極（１０７）と、前記ダイヤモンド半導体層の表面における発光の取り出し領域を覆う蛍光部材（１０８）と、を備えている。

    Abstract translation: 该白色发光元件设置有：基板（101）; 通过从基板（101）依次层叠一个或多个p型α层（102），p型或n型γ层（103）而得到的金刚石半导体层（105），以及 一个或多个n型＆bgr; 层（104），所述金刚石半导体层（105）设置在所述基板（101）上; 用于注入电流的第一电极（106），所述第一电极（106）设置在所述α层（102）上; 用于注入电流的第二电极（107），所述第二电极（107）设置在所述第二电极（107）上。 层（104）; 以及用于覆盖金刚石半导体层的表面的发光提取区域的荧光部件（108）。

    発光素子
    99.
    发明申请
    発光素子 审中-公开
    发光元件

    公开(公告)号：WO2013118248A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：PCT/JP2012/052642

    申请日：2012-02-06

    Applicant: 株式会社日立製作所 ,  谷 和樹 ,  斎藤 慎一 ,  小田 克矢

    Inventor： 谷　和樹 ,  斎藤　慎一 ,  小田　克矢

    IPC: H01L33/34 ,  H01S5/32

    CPC classification number: H01S5/3223 ,  H01L33/34 ,  H01L33/38 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/125 ,  H01S5/2272

    Abstract: 　Ｇｅ発光層に電子を効率良く注入し、高効率で発光可能な発光素子を提供するために、絶縁膜２上に形成され、量子閉じ込め効果が発現するサイズに加工された単結晶Ｓｉのバリア層３と、バリア層３の両端にそれぞれ設けられたｐ型拡散層電極５とｎ型拡散層電極６と、電極５、６の間のバリア層３上に設けられた単結晶Ｇｅ発光部９とを有し、電極５、６の間に流れる電流の少なくとも一部は、バリア層３内を基板１に対して水平方向に流れる。

    Abstract translation: 为了提供有效地将电子注入到Ge发光层中并且能够高效发光的发光元件，发光元件具有：形成在绝缘膜上的单晶Si势垒层（3） 2）并加工成尺寸，从而显示量子限制效应; 分别设置在阻挡层（3）的两端的p型扩散层电极（5）和n型扩散层电极（6） 以及设置在电极（5,6）之间的阻挡层（3）上的单晶Ge发光部（9）。 在电极（5,6）之间流动的电流的至少一部分在阻挡层（3）的内部流动，与基板（1）水平。

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