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公开(公告)号:WO2011093111A1
公开(公告)日:2011-08-04
申请号:PCT/JP2011/050029
申请日:2011-01-05
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 坂本 剛志 , 荻原 孝文
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/073 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/0057 , B23K26/53 , B23K2203/50
Abstract: レーザ加工システム400においては、変調パターンを作成するための要素パターンが複数種用意されており、加工対象物に対する改質領域の形成条件に応じて、対応する改質領域の形成のために要素パターンから変調パターンが作成される。そして、作成された変調パターンに基づいてレーザ光が変調され、変調されたレーザ光の照射によって加工対象物に改質領域が形成される。このように、加工対象物に対する改質領域の形成条件に応じて、予め用意されていた要素パターンから変調パターンが作成される。
Abstract translation: 在激光处理系统(400)中,提供用于制作调制图案的多个元件图案,并且根据构件上的修改区域的形成条件,从元件图案准备调制图案以形成相应的修改区域 被处理。 随后基于已经制备的调制图案调制激光,并且通过照射调制的激光来在被处理物上形成修饰区域。 因此,根据待处理制品上的修饰区域的形成条件,从预先制备的元件图案制备调制图案。
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32.VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM VERSCHWEISSEN VON IM FÜGEBEREICH EINE PUNKT- ODER KURZE LINIENBERÜHRUNG AUFWEISENDEN TEILEN SOWIE FÜGEEINRICHTUNG 审中-公开
Title translation: 方法和设备进行焊接加盟区一个点或短线接触具有部件和连接装置公开(公告)号:WO2011026476A1
公开(公告)日:2011-03-10
申请号:PCT/DE2010/001041
申请日:2010-09-03
Applicant: STADTMÜLLER, Uwe
Inventor: STADTMÜLLER, Uwe
CPC classification number: B23K26/22 , B23K26/0057 , B23K26/0063 , B23K26/037 , B23K26/046 , B23K2201/22
Abstract: Die Erfindung geht aus von einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Verschweißen von im Fügebereich eine Punkt- oder kurze Linienberührung aufweisenden beispielsweise drahtförmigen Teilen. Erfindungsgemäß erfolgt das Verschweißen dieser Teile mittels eines Laserstrahls (10), wobei die Teile (2, 3, 6) zueinander ausgerichtet und fixiert werden, der Laserstrahl (10) von oben und zentriert zur Fügestelle (7) in das obere Teil (2) eingebracht wird und lediglich den inneren Bereich unmittelbar über der Fügestelle (7) aufschmilzt, währenddessen das obere und das untere Teil (2, 3, 6) gegeneinander gedrückt werden, so dass sie sich aufeinander zu bewegen, wobei der aufgeschmolzene Bereich oberen Teils (2) in das inzwischen ebenfalls aufgeschmolzene Material des jeweils unteren Teils (3, 6) eindringt. Das Laserschweißen ermöglicht das Verschweißen dieser Teile zu Erzeugnissen mit einer nahezu beliebigen Geometrie mit eine deutlich geringeren Aufwand als beim Widerstands- bzw. Kondensatorentladungsschweißen. Die Schweißvorrichtung muss lediglich die zu verschweißenden Teile aufnehmen, fixieren sowie den erforderlichen leichten Anpressdruck aufbringen. Unterschiedliche Geometrien der Produkte erfordern jedoch keine Änderungen an der Laserschweißapparatur selbst.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在具有点或短的线接触接头区域的焊接,例如,金属丝形零件的方法和设备。 根据本发明,这些部件的焊接通过激光束(10)的手段发生,所述部件(2,3,6)对齐并固定的,从上方和中心的激光束(10)上的接头(7)的上部(2) 被引入并且仅内部区域正上方的接头(7)熔融,而上部和下部部件(2,3,6)被压靠在彼此,使得它们朝向彼此,移动从而使上部分的熔化区(2 )穿入相应的下部分(3的同时还熔化的材料,6)。 激光焊接使这些部件的焊接成具有与比电阻或电容放电焊接一个显著较低的成本几乎任何期望的几何形状的产品。 焊工只具有吸收要焊接的部件,固定和提高所需的轻微接触压力。 然而,产品的不同几何形状并不需要改变激光焊接设备本身。
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33.METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING MATERIALS, INCLUDING SHAPE MEMORY MATERIALS 审中-公开
Title translation: 用于处理材料的方法和系统,包括形状记忆材料公开(公告)号:WO2011014962A1
公开(公告)日:2011-02-10
申请号:PCT/CA2010/001219
申请日:2010-08-06
Applicant: KHAN, Mohammad, Ibrahem , ZHOU, Yunhong, Norman
Inventor: KHAN, Mohammad, Ibrahem , ZHOU, Yunhong, Norman
CPC classification number: C22F1/006 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/0084 , B23K26/062 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/50 , B23K26/60 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , B29C35/0266 , B29C71/04 , B29C2035/0838 , C21D2201/01 , C22B9/223 , C22C19/007 , C22F1/10
Abstract: A method for treating a material comprising: applying energy to a predetermined portion of the material in a controlled manner such that the local chemistry of the predetermined portion is altered to provide a predetermined result. When the material is a shape memory material, the predetermined result may be to provide an additional memory to the predetermined portion or to alter the pseudo-elastic properties of the shape memory material. In other examples, which are not necessarily restricted to shape memory materials, the process may be used to adjust the concentration of components at the surface to allow the formation of an oxide layer at the surface of the material to provide corrosion resistance; to remove contaminants from the material; to adjust surface texture; or to generate at least one additional phase particle in the material to provide a nucleation site for grain growth, which in turn, can strengthen the material.
Abstract translation: 一种处理材料的方法,包括:以受控的方式将能量施加到材料的预定部分,使得改变预定部分的局部化学性质以提供预定的结果。 当材料是形状记忆材料时,预定结果可以是为预定部分提供额外的存储器或改变形状记忆材料的假弹性特性。 在其他实例中,其不一定限于形状记忆材料,该方法可用于调节表面处的组分的浓度,以允许在材料的表面形成氧化物层以提供耐腐蚀性; 从材料中去除污染物; 调整表面纹理; 或者在该材料中产生至少一个附加相颗粒以提供用于晶粒生长的成核位点,这又可以加强该材料。
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公开(公告)号:WO2010122866A1
公开(公告)日:2010-10-28
申请号:PCT/JP2010/054841
申请日:2010-03-19
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 杉浦 隆二
Inventor: 杉浦 隆二
IPC: B23K26/38 , B23K26/04 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D1/221 , B28D5/0011
Abstract: 加工対象物1の内部に集光点を合わせ、切断予定ライン5aに沿ってレーザ光Lを照射することにより改質領域7aを形成する。その後、切断予定ライン5aに沿ってレーザ光Lを再度照射することにより、加工対象物1において表面3と第1改質領域7aとの間に改質領域7bを形成すると共に、改質領域7bから表面3に至る亀裂Cbを発生させる。従って、加工対象物1において改質領域7aを形成する際に生じる反る力F1を、亀裂Cbによって解放して相殺することができる。その結果、加工対象物1の反りを抑制することができる。
Abstract translation: 将激光束(L)沿着预定的切割线(5a)照射到被加工物体(a)内的会聚点上,形成受影响的区域(7a)。 之后,沿着预定的切割线(5a)再次照射激光束(L),以形成被加工物体(1)的表面(3)与第一受影响区域(7a)之间的受影响区域(7b) )并且产生从受影响区域(7b)延伸到表面(3)的裂纹(Cb)。 因此,可以释放和抵消当在由裂纹(Cb)加工的物体(1)中形成受影响区域(7a)时产生的偏转力(F1)。 结果,可以防止要加工的物体(1)的偏转的发生。
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公开(公告)号:WO2010087249A1
公开(公告)日:2010-08-05
申请号:PCT/JP2010/050557
申请日:2010-01-19
IPC: H01L21/301
CPC classification number: B23K26/0057 , B23K26/0006 , B23K26/0087 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23K2203/56 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 撮像部が、切断線を挟んで基板上に形成した1組のターゲットの画像を撮像する(S101)。この画像から、抽出部がターゲットを抽出する(S102)。次いで、計測部がターゲット間の距離d1を計測する(S103)。駆動部がブレードを基板に押圧(S104)すると、基板がブレードに押されてたわみ、基板の破壊が始まる。そこで、再び、撮像部がターゲットの画像を撮像し(S105)、この画像から抽出部がターゲットを抽出する(S106)。そして、計測部がターゲット間の距離d2を計測する(S107)。そして、判定部がターゲット間の距離の変化量(d2-d1)から、基板の切断状態を判定する(S108)。それにより、基板をブレーキングによりチップに切断する際、基板の切断状況を判断できる基板切断方法およびその基板切断方法を用いた電子素子の製造方法を提供する。
Abstract translation: 图像拾取部分在其间具有切割线的基板上形成的一对目标的图像(S101)。 提取部根据图像提取目标(S102)。 然后,测量部分测量目标之间的距离(d1)(S103)。 当驱动部将叶片压向基板(S104)时,基板通过被叶片按压而翘曲,基板开始断裂。 然后,图像拾取部分再次拾取目标的图像(S105),并且提取部分从图像中提取目标(S106)。 测量部分测量目标之间的距离(d2)(S107)。 然后,确定部根据目标之间的距离的变化量(d2-d1)来确定基板的切割状态(S108)。 因此,提供了一种切割基板的方法,其中可以通过断裂基板将基板切割成芯片时确定基板的切割状态,并且提供使用这种方法制造电子元件的方法。
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36.接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法 审中-公开
Title translation: 用粘合膜生产半导体芯片的方法,该方法中使用的半导体的粘合膜及其制造半导体器件的方法公开(公告)号:WO2009048060A1
公开(公告)日:2009-04-16
申请号:PCT/JP2008/068236
申请日:2008-10-07
Applicant: 日立化成工業株式会社 , 畠山 恵一 , 中村 祐樹
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10156 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本発明の接着フィルム付き半導体チップの製造方法は、半導体ウェハ、半導体用接着フィルム及びダイシングテープがこの順で積層され、半導体用接着フィルムが1~15μmの範囲の厚みを有し且つ5%未満の引張破断伸度を有し該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の110%未満であり、半導体ウェハがレーザー光の照射によって形成された半導体ウェハを複数の半導体チップに分割するための改質部を有する積層体を準備する工程と、ダイシングテープを複数の半導体チップが互いに離れる方向に引き伸ばして半導体用接着フィルムは分割せずに半導体ウェハを複数の半導体チップに分割する工程と、複数の半導体チップをそれぞれ積層体の積層方向にピックアップすることによって半導体用接着フィルムを分割して接着フィルム付き半導体チップを得る工程とを備える。
Abstract translation: 制造具有粘合膜的半导体芯片的方法具有如下顺序制备半导体晶片,半导体用粘合膜和切割带的层叠体的制造工序。 半导体用粘合膜的厚度为1-15μm,拉伸断裂伸长率小于5%,小于最大载荷时伸长率的110%。 半导体晶片具有通过用半导体晶片划分为多个半导体芯片的激光束照射半导体晶片而形成的重整部分。 该方法还具有通过在将多个半导体芯片分离的方向上拉伸切割带而将半导体晶片分割成多个半导体芯片而不分割半导体用粘合膜的步骤,以及用于分割粘合剂的步骤 通过在各层压体的层叠方向上拾取多个半导体芯片并获得具有粘合膜的半导体芯片来形成半导体膜。
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公开(公告)号:WO2009020004A1
公开(公告)日:2009-02-12
申请号:PCT/JP2008/063531
申请日:2008-07-28
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/046 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0861 , B23K26/128 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , B28D1/221 , B28D5/00 , C03B33/0222 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , Y10T29/49826
Abstract: 加工対象物1の内部に集光されるレーザ光Lの収差が所定の収差以下となるように反射型空間光変調器203によって変調されたレーザ光Lが加工対象物1に照射される。そのため、レーザ光Lの集光点Pを合わせる位置で発生するレーザ光Lの収差を極力小さくして、その位置でのレーザ光Lのエネルギー密度を高め、切断の起点としての機能が高い改質領域7を形成することができる。しかも、反射型空間光変調器203を用いるため、透過型空間光変調器に比べてレーザ光Lの利用効率を向上させることができる。このようなレーザ光Lの利用効率の向上は、切断の起点となる改質領域7を板状の加工対象物1に形成する場合、特に重要である。
Abstract translation: 工作物体(1)被激光束(L)照射,激光束(L)被集中在工作物体(1)中,并且已被反射型空间光调制器(203)调制,使得其像差可能在 预定像差或更小。 结果,在激光束(L)的聚集点(P)对准的位置处发生的激光束(L)的像差被最小化以增强激光束(L)的能量集中,使得 可以形成具有高功能的修改区域(7)作为切割操作的起始点。 此外,由于使用反射型空间光调制器(203),因此可以比透射型空间光调制器的使用效率更好地提高激光束(L)的使用效率。 这种在激光束(L)的使用效率方面的这种改进是重要的,特别是在用于切割起点的修改区域(7)形成在板状加工对象(1)中的情况下。
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公开(公告)号:WO2008126718A1
公开(公告)日:2008-10-23
申请号:PCT/JP2008/056361
申请日:2008-03-31
Applicant: 日立化成工業株式会社 , 中村 祐樹 , 北勝 勉 , 片山 陽二 , 畠山 恵一
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/0057 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: チップクラックやバリの発生を十分に抑制しながら、半導体ウェハから半導体チップを歩留よく得ることを可能にするための方法を提供する。 半導体ウェハ、半導体用接着フィルム及びダイシングテープがこの順で積層され、半導体ウェハが複数の半導体チップに分割されるとともに半導体用接着フィルムの厚さ方向の一部が切断されずに残るように切り込みが形成されている積層体を準備する工程と、ダイシングテープを複数の半導体チップが互いに離れる方向に引き伸ばすことにより、半導体用接着フィルムを切り込みに沿って分割する工程とを備える半導体チップの製造方法。半導体用接着フィルムは、5%未満の引張破断伸度を有し、該引張破断伸度が最大荷重時の伸度の110%未満である。
Abstract translation: 提供了一种用于从半导体晶片以高产率获得半导体芯片的方法,同时充分抑制了芯片裂纹和毛刺的产生。 制造半导体芯片的方法具有如下步骤:通过层叠半导体晶片,半导体用粘合剂膜和切割带来制备层压体,将半导体晶片分成半导体芯片并形成切割部分,使得 粘合膜的一部分在厚度方向上保持未切割。 该方法还具有通过沿着将半导体芯片彼此分离的方向拉伸切割带来沿着切割部分分割粘合剂膜的步骤。 半导体用粘合膜的拉伸断裂伸长率小于5%,小于最大载荷伸长率的110%。
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公开(公告)号:WO2008041581A1
公开(公告)日:2008-04-10
申请号:PCT/JP2007/068660
申请日:2007-09-26
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 久野 耕司 , 鈴木 達也 , 栗田 典夫 , 筬島 哲也
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0057 , B23K26/048 , B23K26/0624 , B23K26/0676 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
Abstract: 加工対象物の内部に改質領域を形成するのに要する時間を短縮する。装置(100)は、載置台(107)と、直線偏光のレーザ光(L)を出射する光源(101)と、レーザ光(L3)を出射する光源(41)と、レーザ光(L)の偏光方向を変更する波長板(51)と、レーザ光(L)を偏光方向がX軸方向のレーザ光(L1)及び偏光方向がY軸方向のレーザ光(L2)に分岐する偏光板(52)と、分岐されたレーザ光(L2)の偏光方向をX軸方向とする波長板(55)と、レーザ光(L1),(L3)を集光するレンズ(31)と、X軸方向に沿ってレンズ(31)と並設されX軸方向を偏光方向とされたレーザ光(L2)を集光するレンズ(32)と、反射光(L4)を検出することでレーザ光(L2)の集光点が表面(3)を基準として所定の位置に合うように素子(29)を制御する制御部(105)と、X軸方向をライン(5)と略一致させ載置台(107)をライン(5)に沿って移動させる制御部(115)と、を備える。
Abstract translation: 一种能够在减少的时间内在工件内部形成改质区域的激光加工装置。 设备(100)具有放置台(107),用于发射线偏振激光束(L)的光源,用于发射激光束(L3)的光源(41),用于变化的波长板 激光束(L)的偏振方向,用于将激光束(L)分支成在X轴方向偏振的激光束(L1)的偏振板(52)和在X轴方向上偏振的激光束(L2) Y方向,用于使分支激光束(L2)偏振到X方向的波导板(55),用于会聚激光束(L1,L3)的透镜(31),用于会聚激光器的透镜 光束(L2),并且放置在与透镜(31)相邻的X轴方向上,使得X方向是透镜(32)的偏振方向,用于检测激光束(L4)的控制部分(105) 从而控制元件(29),使得激光束(L2)的会聚点相对于表面(3)与预定位置对准;以及控制部分(115),用于使Xd 方向基本上与线(5)相遇并且沿着线(5)移动放置台(107)。
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公开(公告)号:WO2008004395A1
公开(公告)日:2008-01-10
申请号:PCT/JP2007/061476
申请日:2007-06-06
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 筬島 哲也
Inventor: 筬島 哲也
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/40 , B28D5/00 , C03B33/09 , H01L21/301 , B23K101/40
CPC classification number: B28D1/221 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , C03B33/0222 , C03B33/091 , H01L21/78
Abstract: 切断予定ラインに沿って改質領域を加工対象物の厚さ方向に複数列形成する場合において、第1の面に最も近い第1の改質領域、及び第2の面に最も近い第2の改質領域を精度良く形成する。本実施形態のレーザ加工方法では、加工対象物1の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物1の切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる改質領域M1~M6を加工対象物1の厚さ方向に形成する。この改質領域M1~M6のうち、裏面21に最も近い改質領域M6を裏面21の位置を基準として形成し、表面11aに最も近い改質領域M1を表面11aの位置を基準として形成する。これにより、たとえ加工対象物1の厚さがばらついて変化しても、改質領域M6の位置及び改質領域M1の位置が加工対象物1の厚さの変化に起因してずれてしまうことを抑制する。
Abstract translation: 在沿加工对象的厚度方向形成多行改质区域的情况下,沿着切割线,最靠近第一面的第一改质区域和最接近第二面的第二改质区域是准确的 形成。 在激光加工方法中,通过在加工对象(1)内具有聚光点来施加激光束,并且在处理对象的厚度方向上形成作为切割起点的改质区域(M1-M6) (1),沿着要在加工对象(1)上切割的线(5)。 在改质区域(M1-M6)中,最靠近后表面(21)的改质区域(M6)是以后表面(21)的位置为基准形成的,并且最接近 通过使前表面(11a)的位置作为参考,形成前表面(11a)。 因此,即使当处理对象(1)的厚度变化时,由于处理对象(1)的厚度的变化,修改区域(M6)的位置和修改区域(M1)的位置的移动 )被抑制。
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