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    WORKPIECE WETTING AND CLEANING
    62.
    发明申请
    WORKPIECE WETTING AND CLEANING 审中-公开
    工件湿润和清洁

    公开(公告)号：WO2012030499A3

    公开(公告)日：2012-07-26

    申请号：PCT/US2011047454

    申请日：2011-08-11

    申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  PUCH BRYAN ,  HANSON KYLE M ,  BERNT MARVIN ,  MCHUGH PAUL R ,  WILSON GREGORY J

    发明人： PUCH BRYAN ,  HANSON KYLE M ,  BERNT MARVIN ,  MCHUGH PAUL R ,  WILSON GREGORY J

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67126

    摘要： In a workpiece processor (10), a head (12) is moveable onto a bowl (56) to form a process chamber (58). A workpiece (100) can be cleaned in the processor by immersing the workpiece into a liquid bath in the bowl and then boiling the liquid. Vacuum may be applied to the chamber to reduce the pressure within the chamber, thereby reducing the boiling temperature of the liquid and allowing processing at lower temperatures. In a separate method for prewetting a workpiece, a humid gas is provided into the process chamber and condenses on the workpiece. In another separate method for wetting a workpiece, liquid water is provided into the bowl, with the workpiece above the liquid water. Water vapor is created in the process chamber by applying vacuum to the process chamber. The vapor wets the workpiece. The workpiece is then further wetted by submerging the workpiece into the liquid water.

    摘要翻译： 在工件处理器（10）中，头部（12）可移动到碗（56）上以形成处理室（58）。 工件（100）可以在处理器中通过将工件浸入碗中的液体浴中然后煮沸液体来清洁。 可以对腔室施加真空以降低腔室内的压力，由此降低液体的沸腾温度并允许在较低温度下处理。 在用于预润湿工件的单独方法中，湿气被提供到处理室中并且冷凝在工件上。 在用于润湿工件的另一种单独方法中，液体水被提供到碗中，工件在液体水之上。 通过向处理室施加真空来在处理室中产生水蒸气。 蒸气润湿工件。 工件然后通过将工件浸入液态水中而被进一步润湿。

    DRY ETCHING METHOD OF SURFACE TEXTURE FORMATION ON SILICON WAFER
    66.
    发明申请
    DRY ETCHING METHOD OF SURFACE TEXTURE FORMATION ON SILICON WAFER 审中-公开
    硅胶表面纹理形成干蚀刻方法

    公开(公告)号：WO2012061436A2

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：PCT/US2011/058846

    申请日：2011-11-01

    申请人： INTEVAC, INC. ,  CHO, Young, Kyu

    发明人： CHO, Young, Kyu

    IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

    CPC分类号： H01L31/02363 ,  Y02E10/50

    摘要： Systems and methods for improving surface reflectance of silicon wafers are disclosed. The systems and methods improve surface reflectance by forming a textured surface on the silicon wafer by performing surface oxidation and dry etching processes. The surface oxidation maybe performed using a dry oxygen plasma process. A dry etch process is performed to remove the oxide layer formed by the surface oxidation step and etch the Silicon layer with oxide masking. Dry etching enables black silicon formation, which minimizes or eliminates light reflection or scattering, eventually leading to higher energy conversion efficiency.

    摘要翻译： 公开了用于提高硅晶片的表面反射率的系统和方法。 该系统和方法通过进行表面氧化和干蚀刻工艺在硅晶片上形成纹理表面来提高表面反射率。 表面氧化可以使用干氧等离子体工艺进行。 执行干蚀刻工艺以除去由表面氧化步骤形成的氧化物层，并用氧化物掩模蚀刻硅层。 干式蚀刻使得黑色硅形成能够最小化或消除光反射或散射，最终导致更高的能量转换效率。

    METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
    67.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
    形成图案和半导体器件制造方法的方法

    公开(公告)号：WO2012044623A2

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：PCT/US2011/053509

    申请日：2011-09-27

    申请人： TOKYO ELECTRON LIMITED ,  CLARK, Robert, D. ,  STRANG, Eric, J.

    发明人： CLARK, Robert, D. ,  STRANG, Eric, J.

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/02238 ,  B81C1/00031 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66795

    摘要： A method for forming a fine pattern on a substrate includes providing a substrate including a material with an initial pattern formed thereon and having a first line width, performing a self-limiting oxidation and/or nitridation process on a surface of the material and thereby forming an oxide, a nitride, or an oxynitride film on a surface of the initial pattern, and removing the oxide, nitride, or oxynitride film. The method further includes repeating the formation and removal of the oxide, nitride, or oxynitride film to form a second pattern having a second line width that is smaller than the first line width of the initial pattern. The patterned material can contain silicon, a silicon-containing material, a metal, or a metal-nitride, and the self-limiting oxidation process can include exposure to vapor phase ozone, atomic oxygen generated by non-ionizing electromagnetic (EM) radiation, atomic nitrogen generated by ionizing or non-ionizing EM radiation, or a combination thereof.

    摘要翻译： 在基板上形成精细图案的方法包括：提供包括具有形成在其上的初始图案的材料并具有第一线宽的基板，在所述材料的表面上进行自限制氧化和/或氮化处理，从而形成 在初始图案的表面上的氧化物，氮化物或氧氮化物膜，以及除去氧化物，氮化物或氧氮化物膜。 该方法还包括重复形成和去除氧化物，氮化物或氧氮化物膜以形成具有小于初始图案的第一线宽的第二线宽的第二图案。 图案化材料可以含有硅，含硅材料，金属或金属氮化物，并且自限制氧化工艺可以包括暴露于气相臭氧，由非电离电磁（EM）辐射产生的原子氧， 通过电离或非电离EM辐射产生的原子氮或其组合。

    METHODS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, A SEMICONDUCTOR WAFER AND A SEMICONDUCTOR DEVICE
    68.
    发明申请
    METHODS FOR PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, A SEMICONDUCTOR WAFER AND A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    加工半导体波形的方法，半导体波导和半导体器件

    公开(公告)号：WO2012042292A1

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：PCT/IB2010/003017

    申请日：2010-09-30

    申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. ,  RENAUD, Philippe ,  SERRANO, Roland

    发明人： RENAUD, Philippe ,  SERRANO, Roland

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/78

    CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/302 ,  H01L21/78 ,  H01L29/2003

    摘要： A method for processing a semiconductor wafer comprises providing the semiconductor wafer, which has a curvature in at least one direction. The curvature is reduced, which comprises providing in inactive areas of the semiconductor wafer multiple trench lines extending at least partially in a stressed layer of the semiconductor wafer and in parallel with the surface of the stressed layer. The multiple trench lines having a depth less than the thickness of the semiconductor wafer. A semiconductor wafer, comprising multiple active areas suitable for providing semiconductor devices or circuits. Inactive areas separate the active areas from each other. The wafer has a stressed layer with a first surface, and another layer which is in contact with the stressed layer along a second surface of the stressed layer, opposite to the first surface. Multiple trench lines, extend in parallel to the first surface of the stressed layer in an inactive area and have a depth less than the thickness of the semiconductor wafer.

    摘要翻译： 一种用于处理半导体晶片的方法包括提供在至少一个方向上具有曲率的半导体晶片。 曲率减小，其包括在半导体晶片的非活性区域中提供至少部分地延伸到半导体晶片的应力层中并与应力层的表面平行延伸的多个沟槽线。 多个沟槽线的深度小于半导体晶片的厚度。 一种半导体晶片，包括适于提供半导体器件或电路的多个有源区。 非活动区域将活动区域彼此分开。 晶片具有带有第一表面的应力层，以及与应力层的与第一表面相对的第二表面与应力层接触的另一层。 多个沟槽线在非活性区域中平行于应力层的第一表面延伸并且具有小于半导体晶片的厚度的深度。

    半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
    70.
    发明申请
    半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 审中-公开
    制造半导体器件的方法和衬底处理器件

    公开(公告)号：WO2012026241A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：PCT/JP2011/066232

    申请日：2011-07-15

    申请人： 株式会社日立国際電気 ,  石橋 清久 ,  森谷 敦

    发明人： 石橋　清久 ,  森谷　敦

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67781

    摘要： 　複数枚の積層された基板が収容される処理室内の収容予定領域の一端側から第１のエッチングガス、及び第１のエッチングガスよりも分解速度が遅い第２のエッチングガスを供給しつつ、収容予定領域の他端側から処理室内を排気するとともに、第１のエッチングガス及び第２のエッチングガスから発生したラジカルのうちの一部のラジカルにより収容予定領域の一端側の基板をエッチングし、残りのラジカルのうちの少なくとも一部のラジカルにより収容予定領域の他端側に向けて配置される残りの基板をエッチングする。

    摘要翻译： 虽然在其中容纳有多个堆叠的基板的处理室中从预定的壳体区域的一个端侧供给具有比第一蚀刻气体慢的分解速率的第一蚀刻气体和第二蚀刻气体， 处理室从规划的壳体区域的另一端排出，并且在第一蚀刻气体和第二蚀刻气体产生的自由基中，通过一些自由基蚀刻在规划的壳体区域的一端侧的基板，剩余的 设置在规划的壳体区域的另一端侧的衬底被剩余自由基中的至少一些自由基蚀刻。