公开(公告)号：WO2018098202A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：PCT/US2017/062900

申请日：2017-11-21

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： CHATTERJEE, Sukti ,  SCUDDER, Lance A. ,  LIU, Eric H. ,  NARWANKAR, Pravin K. ,  MANNA, Pramit ,  MALLICK, Abhijit

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/24 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664

摘要： In some embodiments, a method of processing a substrate disposed within a processing volume of a hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) process chamber, includes: (a) providing a silicon containing precursor gas into the processing volume, the silicon containing precursor gas is provided into the processing volume from an inlet located a first distance above a surface of the substrate; (b) breaking hydrogen-silicon bonds within molecules of the silicon containing precursor via introduction of hydrogen radicals to the processing volume to deposit a flowable silicon containing layer atop the substrate, wherein the hydrogen radicals are formed by flowing a hydrogen containing gas over a plurality of wires disposed within the processing volume above the substrate and the inlet.

公开(公告)号：WO2017149604A1

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：PCT/JP2016/056067

申请日：2016-02-29

申请人： 株式会社日立国際電気

发明人： 中谷　公彦 ,  鎌倉　司 ,  柄澤　元 ,  原田　和宏

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

摘要： 基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または所定元素と炭素との化学結合と、所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する工程と、基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する工程と、を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、膜を形成する工程では、窒素と水素との化学結合を含む物質の基板に対する供給を不実施とする。

摘要翻译： 预定元素与氮之间的化学键，预定元素与碳之间的化学键，预定元素与氢之间的化学键以及 向基板供给不含化学键的第一原料的工序和供给含有第13族元素且在氮和氢之间不含化学键的假催化剂的工序至少一定时间 从而在基板上形成膜，在形成膜的工序中，不对基板供给包含氮和氢之间的化学键的物质。

公开(公告)号：WO2015084538A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/US2014/064418

申请日：2014-11-06

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： XIE, Bo ,  CHAN, Kelvin ,  DEMOS, Alexandros T.

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719

摘要： Embodiments of the invention generally provide methods for sealing pores at a surface of a dielectric layer formed on a substrate. In one embodiment, the method includes exposing a dielectric layer formed on a substrate to a first pore sealing agent, wherein the first pore sealing agent contains a compound with a general formula C x H y O z , where x has a range of between 1 and 15, y has a range of between 2 and 22, and z has a range of between 1 and 3, and exposing the substrate to UV radiation in an atmosphere of the first pore sealing agent to form a first sealing layer on the dielectric layer.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供了在形成在基底上的电介质层的表面处密封孔的方法。 在一个实施方案中，该方法包括将形成在基底上的电介质层暴露于第一孔密封剂，其中第一孔密封剂含有具有通式C x H y O z的化合物，其中x具有1至15的范围，y具有 在2和22之间的范围，z具有1和3之间的范围，并且在第一孔密封剂的气氛中将基底暴露于UV辐射，以在介电层上形成第一密封层。

公开(公告)号：WO2014151125A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/025040

申请日：2014-03-12

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： NAINANI, Aneesh ,  JOHNSON, Joseph ,  PING, Er-Xuan ,  BRAND, Adam ,  ABRAHAM, Mathew

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02277 ,  C23C16/047 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/482 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A substrate processing chamber comprising a chamber wall enclosing a process zone having an exhaust port, a substrate support to support a substrate in the process zone, a gas distributor for providing a deposition gas to the process zone, a solid state light source capable of irradiating substantially the entire surface of the substrate with light, and a gas energizer for energizing the deposition gas.

摘要翻译： 一种基板处理室，包括：封闭具有排气口的处理区的室壁;用于支撑处理区中的基板的基板支撑;用于向工艺区提供沉积气体的气体分配器;能够照射 基本上具有光的基板的整个表面，以及用于激发沉积气体的气体激发器。

公开(公告)号：WO99021924A1

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：PCT/US1998/021840

申请日：1998-10-15

IPC分类号： C07C25/13 ,  B05D7/24 ,  C07F7/12 ,  C07F7/18 ,  C08F4/02 ,  C08F4/60 ,  C08G77/04 ,  C08J5/18 ,  C09D4/00 ,  C23C4/00 ,  C23C16/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  B32B7/02 ,  C09D4/06 ,  C09D127/12 ,  C09D129/10 ,  C09D183/06 ,  C09D201/04 ,  C23C26/00

CPC分类号： B05D1/62 ,  C08J5/18 ,  C09D4/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  Y10T428/26 ,  C08G77/24

摘要： Fluorinated chemical precursors, methods of manufacture, polymer thin films with low dielectric constants, and integrated circuits comprising primarily of sp C-F and some hyperconjugated sp C-F bonds are disclosed in this invention. Precursors are disclosed for creating fluorinated silanes and siloxanes, and fluorinated hydrocarbon polymers. Thermal transport polymerization (TP), chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced CVD(PECVD), high density PECVD(HDPCVD), photon assisted CVD(PACVD), and plasma-photon assisted (PPE)CVD and PPETP of these chemicals provides thin films with low dielectric constants and high thermal stabilities for use in the manufacture of integrated circuits.

摘要翻译： 氟化化学前体，制造方法，具有低介电常数的聚合物薄膜以及主要包含sp 2 C-F和一些超共轭sp 3 C-F键的集成电路在本发明中公开。 公开了用于制备氟化硅烷和硅氧烷的前体和氟化烃聚合物。 这些化学品的热转移聚合（TP），化学气相沉积（CVD），等离子体增强CVD（PECVD），高密度PECVD（HDPCVD），光子辅助CVD（PACVD）和等离子体光子辅助（PPE）CVD和PPETP提供 具有低介电常数和高热稳定性的薄膜用于集成电路的制造。

公开(公告)号：WO2014130668A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/US2014/017391

申请日：2014-02-20

申请人： APPLIED MATERIALS, INC. ,  THOMPSON, David ,  ANTHIS, Jeffrey W.

发明人： THOMPSON, David ,  ANTHIS, Jeffrey W.

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45534 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228

摘要： Provided are methods of for deposition of SiOC. Certain methods involve exposing a substrate surface to a first and second precursor in the presence of a catalyst comprising a neutral two electron donor base. The first precursor has formula (X y H 3-y Si) z CH 4-z, or (X y H 3 _ y Si)(CH 2 ) n (SiX y H 3-y ), wherein X is a halogen, y has a value of between 1 and 3, and z has a value of between 1 and 3, and n has a value between 2 and 5. The second precursor comprises water or a compound containing carbon and at least two hydroxyl groups. Certain other methods relate to exposing a substrate surface to a first and second precursor in the presence of a catalyst comprising a neutral two electron donor base, the first precursor comprising SiX 4 or X 3 Si-SiX 3 , wherein X is a halide, and the second precursor comprising carbon and at least two hydroxyl groups.

摘要翻译： 提供了沉积SiOC的方法。 某些方法包括在包含中性二电子给体碱的催化剂存在下将基材表面暴露于第一和第二前体。 第一前体具有式（XyH3-ySi）zCH4-z或（XyH3_ySi）（CH2）n（SiXyH3-y），其中X是卤素，y具有1和3之间的值，z具有值 在1和3之间，n具有2和5之间的值。第二前体包括水或含有碳和至少两个羟基的化合物。 某些其它方法涉及在包含中性二电子给体碱的催化剂存在下将基材表面暴露于第一和第二前体，第一前体包含SiX 4或X 3 Si-SiX 3，其中X为卤化物，第二前体包含 碳和至少两个羟基。

公开(公告)号：WO2007140377A9

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：PCT/US2007069899

申请日：2007-05-29

申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  CHEN XIAOLIN ,  NEMANI SRINIVAS D ,  VENKATARAMAN SHANKAR

发明人： CHEN XIAOLIN ,  NEMANI SRINIVAS D ,  VENKATARAMAN SHANKAR

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of filling a gap on a substrate with silicon oxide are described. The methods may include the steps of introducing an organo-silicon precursor and an oxygen precursor to a deposition chamber, reacting the precursors to form a first silicon oxide layer in the gap on the substrate, and etching the first silicon oxide layer to reduce the carbon content in the layer. The methods may also include forming a second silicon oxide layer on the first layer, and etching the second layer to reduce the carbon content in the second layer. The silicon oxide layers are annealed after the gap is filled.

摘要翻译： 描述了用氧化硅填充衬底上的间隙的方法。 所述方法可以包括以下步骤：将有机硅前体和氧前体引入沉积室，使前体反应以在衬底上的间隙中形成第一氧化硅层，并蚀刻第一氧化硅层以还原碳 内容在图层中。 所述方法还可以包括在第一层上形成第二氧化硅层，并蚀刻第二层以减少第二层中的碳含量。 在填充间隙之后对氧化硅层进行退火。

公开(公告)号：WO2007140377A2

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：PCT/US2007069899

申请日：2007-05-29

申请人： APPLIED MATERIALS INC ,  CHEN XIAOLIN ,  NEMANI SRINIVAS D ,  VENKATARAMAN SHANKAR

发明人： CHEN XIAOLIN ,  NEMANI SRINIVAS D ,  VENKATARAMAN SHANKAR

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of filling a gap on a substrate with silicon oxide are described. The methods may include the steps of introducing an organo-silicon precursor and an oxygen precursor to a deposition chamber, reacting the precursors to form a first silicon oxide layer in the gap on the substrate, and etching the first silicon oxide layer to reduce the carbon content in the layer. The methods may also include forming a second silicon oxide layer on the first layer, and etching the second layer to reduce the carbon content in the second layer. The silicon oxide layers are annealed after the gap is filled.

摘要翻译： 描述了用氧化硅填充衬底上的间隙的方法。 所述方法可以包括以下步骤：将有机硅前体和氧前体引入沉积室，使所述前体反应以在所述衬底上的所述间隙中形成第一氧化硅层，并蚀刻所述第一氧化硅层以还原所述碳 内容在图层中。 所述方法还可以包括在第一层上形成第二氧化硅层，并蚀刻第二层以降低第二层中的碳含量。 在填充间隙之后，氧化硅层被退火。

公开(公告)号：WO2006054393A1

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：PCT/JP2005/018101

申请日：2005-09-30

申请人： 国立大学法人東京農工大学 ,  株式会社アイテック ,  渡辺 栄造 ,  渡邊 敏行 ,  曽根 正人 ,  松岡 功憲 ,  三宅 英雄 ,  飯田 勝康

发明人： 渡辺 栄造 ,  渡邊 敏行 ,  曽根 正人 ,  松岡 功憲 ,  三宅 英雄 ,  飯田 勝康

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C4/123 ,  C23C18/02 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/3148

摘要： 　広い面積にわたって均一に薄膜を形成することのできるシリコン含有固体膜の製造方法及びその装置をを提供する物であって、チャンバー内でシラン誘導体や炭化水素誘導体からなる原料流体と二酸化炭素からなるキャリア流体を混合して超臨界状態を形成し、さらに白金、タングステン、コバルト、ニッケル、鉄またはその合金から選ばれたすくなくとも１種の金属触媒による触媒反応により超臨界流体中の原料流体に活性種を発生させ、その流体を基板に吹き付けることにより、基板上にシリコン含有固体膜や炭素含有固体膜を形成する。

摘要翻译： 一种制备薄膜的方法，其包括将包含硅烷衍生物和烃衍生物的原料流体和包含二氧化碳的载体流体混合以形成超临界状态，在所得的原料流体中产生活性物质 通过与选自铂，钨，钴，镍，铁及其合金中的至少一种金属催化剂的催化反应，将所得流体喷射到基材上，从而形成含硅固体膜或碳 在基材上的固体膜; 以及实施该方法的装置。 上述方法和装置允许在广泛的区域上均匀地形成薄膜。

公开(公告)号：WO2005093809A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005566

申请日：2005-03-25

申请人： 株式会社アルバック ,  北添 牧子 ,  伊藤 博巳 ,  浅利 伸 ,  斎藤 一也

发明人： 北添 牧子 ,  伊藤 博巳 ,  浅利 伸 ,  斎藤 一也

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/02277 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3185

摘要： 　シリコン窒化膜などの面内均一性、ステップカバレッジ及び膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を形成することができる単位層ポスト処理触媒蒸着装置及び単位層ポスト処理成膜方法を提供する。 　反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。

摘要翻译： 催化化学气相沉积装置的单元层不仅可以提高氮化硅膜等的面内均匀性，台阶覆盖率和膜质量，而且对于每个单位层，可以在膜层形成之后进行表面处理 从而产生薄膜; 以及一种单位层后期成膜的方法。 提供了用于层压每个单位层后处理的薄膜的方法，包括重复一个循环步骤，该步骤包括以下步骤：将形成硅烷气体的混合气体和作为原料气体的氨气以矩形脉冲的形式引入 反应容器（2），并通过催化材料（8）进行原料气体的催化裂解，从而在基板（5）上叠加氮化硅膜; 使氨气与催化剂材料（8）接触并实现将氮化硅膜在基板（5）上的表面暴露于氨气的一个表面处理步骤; 和使氢气与催化剂材料（8）接触的另一表面处理步骤，并且使基板（5）上的氮化硅膜表面暴露于氢气。