公开(公告)号：WO2016071079A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/073562

申请日：2015-10-12

申请人： DANFOSS SILICON POWER GMBH

发明人： BECKER, Martin ,  EISELE, Ronald ,  OSTERWALD, Frank ,  RUDZKI, Jacek

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4888 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/85238 ,  H01L2224/85365 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor contact structure for power semiconductor modules, which has at least one substrate (1) and a metal moulded body (2) as an electrode, which are sintered one on top of the other by means of a substantially uninterrupted sintering layer (3a) with regions of varying thickness. The metal moulded body (2) takes the form here of a flexible contacting film (5) of such a thickness that this contacting film is sintered with its side (4) facing the sintering layer (3a) onto the regions of varying thickness of the sintering layer substantially over the full surface area. A description is also given of a method for forming a power semiconductor contact structure in a power semiconductor module that has a substrate and a metal moulded body. The forming of the power semiconductor contact structure is performed firstly by applying a layer of sintering material of locally varying thickness to either the metal moulded body (2) or the substrate, followed by sintering together the contacting film (5) with the substrate (1) by using the properties of the layer of sintering material that are conductive to connection, the contacting film (5) being made to develop its distinct form to correspond to the varying thickness of the layer of sintering material (3a).

摘要翻译： 一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其具有至少一个基板（1）和作为电极的金属模制体（2），其通过基本上不间断的烧结层（3a）而彼此烧结 ）与不同厚度的区域。 金属成型体（2）在这里形成柔性接触膜（5），其厚度使得该接触膜与其面向烧结层（3a）的侧面（4）烧结到不同厚度的区域上 烧结层基本上在整个表面积上。 还描述了在具有基板和金属成型体的功率半导体模块中形成功率半导体接触结构的方法。 首先通过向金属成型体（2）或基板施加局部变化的厚度的烧结材料层，然后将接触膜（5）与基板（1）烧结在一起来进行功率半导体接触结构的形成 ）通过使用导电连接的烧结材料层的特性，使得接触膜（5）形成其对应于烧结材料层（3a）的变化厚度的不同形式。

公开(公告)号：WO2012076259A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：PCT/EP2011/069280

申请日：2011-11-03

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  REBER, Gerhard ,  KADEN, Thomas ,  GUENTHER, Michael

发明人： REBER, Gerhard ,  KADEN, Thomas ,  GUENTHER, Michael

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37026 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4888 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/207

摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem die Oberfläche eines Halbleiters (11) mittels einer Verdrahtung (15) kontaktiert ist, wobei zwischen der Oberfläche des Halbleiters (11) und der Verdrahtung eine elektrisch leitfähige Schicht (12) angeordnet ist, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient zwischen dem des Halbleiters (11) und dem des Materials der Verdrahtung liegt. Ferner wird ein Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters (11) offenbart, bei dem auf der Oberfläche des Halbleiters (11) zumindest teilweise eine elektrisch leitfähige Schicht angeordnet wird und dass anschließend eine Verdrahtung erfolgt, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der elektrisch leitfähigen Schicht zwischen dem des Halbleiters (11) und dem des Materials für die Verdrahtung liegt.

摘要翻译： 将描述的半导体器件，其中，通过布线的方式的半导体（11）的表面（15）与导电层（12）布置在所述半导体（11）的表面之间和布线之间的热膨胀系数相接触 该半导体（11）和所述布线的材料的位于。 此外，公开了一种用于半导体（11）接触的方法，其中至少半导体（11）的表面上部分地具有导电层被布置，并且，随后，布线，由此半导体之间的导电层的热膨胀系数 （11）和，对于布线的材料的位于。