公开(公告)号：WO2014185223A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/061150

申请日：2014-04-21

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 野津　浩史

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/46 ,  B23K20/004 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/7898 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　第１被着体と、第２被着体と、第１被着体及び第２被着体に電気的に接続された複数のワイヤとを備える半導体装置の製造方法は、複数のワイヤを押圧可能なボンディングツールを用いて、複数のワイヤを第１被着体に同時に接合する第１接合工程と、ボンディングツールを用いて、複数のワイヤを第２被着体に同時に接合する第２接合工程とを含む。

Abstract translation: 该方法是制造具有与第一被粘体和第二被粘物电连接的第一被粘物，第二被粘体和多根电线的半导体器件，并且包括第一接合工序，其中能够按压多根电线的接合工具为 用于同时将多根电线连接到第一被粘物，以及第二接合步骤，其中使用接合工具将多根电线同时接合到第二被粘物。

公开(公告)号：WO2014052742A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/US2013/062154

申请日：2013-09-27

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

Inventor： HAYATA, Kazunori ,  GOTO, Masahiko ,  UJIIE, Shohta

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/4554

Abstract: A method (100) of assembling semiconductor devices includes dispensing (101) a metal paste including metal particles in a solvent onto a bonding area of a plurality of metal terminals of a leadframe. The dispensing provides a varying thickness over the bonding area. The solvent is evaporated (102) to form a sloped metal coating including a first sloped top face and a second sloped top face. The first sloped top face is closer to the die pad compared to the second sloped top face, the second sloped top face increases in coating thickness with decreasing distance to the die pad, and the first sloped top face decreases in coating thickness with decreasing distance to the die pad. A bottom side of semiconductor die including a plurality of top side bond pads is attached (103) to the die pad. Bond wires are connected (104) between the bond pads and the second sloped top faces.

Abstract translation: 组装半导体器件的方法（100）包括将包含金属颗粒的金属膏在溶剂中分配（101）到引线框架的多个金属端子的接合区域上。 分配在粘合区域上提供变化的厚度。 蒸发溶剂（102）以形成包括第一倾斜顶面和第二倾斜顶面的倾斜金属涂层。 与第二倾斜顶面相比，第一倾斜顶面更靠近管芯焊盘，第二倾斜顶面随着到焊盘的距离的减小而增加了涂层厚度，并且第一倾斜顶面的涂层厚度随着距离的减小而减小 芯片垫。 包括多个顶侧接合焊盘的半导体管芯的底侧被附接到管芯焊盘（103）。 接合线在接合焊盘和第二倾斜顶面之间连接（104）。

公开(公告)号：WO2013136388A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/JP2012/006260

申请日：2012-09-28

Applicant: パナソニック株式会社

Inventor： 岩瀬　鉄平 ,  油井　隆

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49534 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49579 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 半導体装置は、第一の半導体チップ（１）、その側面の拡張部（２）及び上の接続端子（４）、半導体チップ（１）及び拡張部（２）上で、接続端子（４）に接合する配線（５１）とその上の絶縁層（５４）を含む再配線部（５０）、拡張部（２）上、再配線部（５０）の表面にあり、絶縁層（５４）の開口部（５４１）で配線（５１）に接合する電極（１６）を有する。電極（１６）は、主に配線（５１）より高弾性率の材料からなり、開口部（５４１）で配線（５１）と接合する接合領域（ｒ１）及び拡張部（２）の端部に近い外方領域（ｒ２）を有する。配線（５１）は外方領域（ｒ２）の手前まで連続に延伸する。

Abstract translation: 该半导体器件具有：第一半导体芯片（1）; 第一半导体芯片的侧表面的延伸部分（2）和第一半导体芯片上的连接端子（4）; 设置在半导体芯片（1）和延伸部分（2）上的重新布线部分（50），包括连接到连接端子（4）的布线（51）和绝缘层（54） ），其设置在布线（51）上。 和形成在再布线部（50）的表面上的电极（16），所述电极形成在所述延伸部（2）的上方，并且在所述布线（51）的开口部 绝缘层（54）。 电极（16）由具有比主要布线（51）的弹性模量高的材料形成，并且具有电极与开口部（541）中的配线（51）连接的连接区域（r1） 和靠近延伸部分（2）的端部的外部区域（r2）。 布线（51）连续延伸到外部区域（r2）的前部。

公开(公告)号：WO2011013527A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：PCT/JP2010/062082

申请日：2010-07-16

Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル ,  寺嶋 晋一 ,  宇野 智裕 ,  山田 隆 ,  小田 大造

Inventor： 寺嶋　晋一 ,  宇野　智裕 ,  山田　隆 ,  小田　大造

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/04 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4516 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85564 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

Abstract: パラジウムめっきされたリードフレームであっても良好なウェッジ接合性を確保でき、耐酸化性に優れた、銅又は銅合金を芯線とする半導体用ボンディングワイヤーを提供する。 銅又は銅合金から成る芯線と、該芯線の表面に、10～200nmの厚さを有するパラジウムを含む被覆層と、該被覆層の表面に、1～80nmの厚さを有する、貴金属とパラジウムとを含む合金層とを有し、前記貴金属が銀又は金であり、前記合金層中の前記貴金属の濃度が10体積%以上75体積%以下であることを特徴とする。

Abstract translation: 公开了一种用于半导体的接合线，即使镀钯引线框也能保证良好的楔形结合，并且具有优异的抗氧化性，并且其中使用铜或铜合金作为芯线。 接合线的特征在于，包括铜线或铜合金的芯线，配置在芯线表面的被覆层的厚度为10〜200nm，并含有钯，合金层为 布置在涂层的表面上，具有1至80nm的厚度并且包含贵金属和钯，其中贵金属为银或金，贵金属以10至10的浓度包含在合金层中 75％（含）。

公开(公告)号：WO2008153026A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：PCT/JP2008/060615

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社トクヤマ ,  今井 徹郎 ,  谷田部 修 ,  前田 昌克

Inventor： 今井 徹郎 ,  谷田部 修 ,  前田 昌克

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L23/498 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C19/03 ,  C22C27/04 ,  C22C32/0047 ,  C23C18/32 ,  C23C18/54 ,  C25D5/48 ,  C25D5/50 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/20752 ,  Y10T428/12889 ,  H01L2924/00014 ,  B22F9/04 ,  H01L2924/00

Abstract: メタライズド基板において、セラミックス基板上に形成された高融点金属層上に、下地ニッケルメッキ層、層状ニッケル－リンメッキ層、拡散防止メッキ層、および金メッキ層をこの順で備えるものとし、下地ニッケルメッキ層を、ニッケル金属メッキ層、ニッケル－ホウ素メッキ層、またはニッケル－コバルトメッキ層のいずれかとし、拡散防止メッキ層を、柱状ニッケル－リンメッキ層、パラジウム－リンメッキ層、パラジウム金属メッキ層のいずれかとすることにより、半導体チップ搭載時の加熱後においてもワイヤボンディングの接続強度を良好なものとすることができる、新規構成のメタライズド基板を提供する。

Abstract translation: 本发明提供了具有新颖结构的金属化基板。 金属化基板包括陶瓷基板，设置在陶瓷基板上的高熔点金属层，以及基板镍镀层，层状镍 - 磷镀层，扩散防止镀层和金镀层， 在高熔点金属层上订购。 基板镀镍层是镍金属镀层，镍 - 硼镀层或镍 - 钴镀层。 扩散防止镀层为柱状镍 - 磷镀层，钯 - 磷镀层或钯金属镀层。 根据上述结构，即使在安装半导体芯片的加热之后，也可以实现良好的引线键合的接合强度。

公开(公告)号：WO2007030345A2

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/US2006/033418

申请日：2006-08-28

Applicant: ADVANCED INTERCONNECT TECHNOLOGIES LIMITED ,  ISLAM, Shafidul ,  SAN ANTONIO, Rico ,  SUBAGIO, Anang

Inventor： ISLAM, Shafidul ,  SAN ANTONIO, Rico ,  SUBAGIO, Anang

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/86 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/86 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01005

Abstract: A semiconductor device package (10) includes a semiconductor device (20) and an electrically conductive lead frame (22) at least partially covered by a molding compound (18). The electrically conductive lead frame (22) includes a plurality of leads (23) disposed proximate a perimeter of the package (10) and a die pad (30) disposed in a central region formed by the plurality of leads (23). The semiconductor device (20) is attached to the die pad (30), and a portion of the die pad (30) extending outward from the die (20) is roughened to improve adhesion to the molding compound (18). In other aspects, grooves (50, 52) are disposed in die pad (30) surfaces to further promote adhesion of the die pad (30) and to prevent moisture from permeating into the vicinity of the semiconductor chip (20). (Drawing Figure 2)

Abstract translation: 半导体器件封装（10）包括半导体器件（20）和至少部分被模制化合物（18）覆盖的导电引线框架（22）。 导电引线框架（22）包括靠近封装（10）的周边设置的多个引线（23）和设置在由多个引线（23）形成的中心区域中的管芯焊盘（30）。 将半导体器件（20）安装在管芯焊盘（30）上，从模具（20）向外延伸的一部分焊盘（30）被粗糙化，以提高与模塑料（18）的密合性。 在其它方面，凹槽（50,52）设置在芯片焊盘（30）表面中，以进一步促进芯片焊盘（30）的粘附并防止湿气渗透到半导体芯片（20）附近。 （图2）

公开(公告)号：WO2007013367A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：PCT/JP2006/314489

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  北畠 真 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉

Inventor： 北畠 真 ,  楠本 修 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 　本発明の半導体素子(20)は、複数の電界効果トランジスタ(90)と、ショットキー電極（9a）とを備え、前記複数の電界効果トランジスタ(90)が形成された領域の外周に沿うようにして前記ショットキー電極（9a）を設けた。

Abstract translation: 半导体元件（20）设置有多个场效应晶体管（90）和肖特基电极（9a）。 肖特基电极（9a）沿着形成场效应晶体管（90）的区域的外周排列。

公开(公告)号：WO03056625A2

公开(公告)日：2003-07-10

申请号：PCT/US0233568

申请日：2002-10-17

Applicant: INTEL CORP

Inventor： DANIELSON DONALD ,  PALUDA PATRICK ,  GLEIXNER ROBERT ,  NAIK RAJAN

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/485 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/1291 ,  Y10T428/24248 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: A wirebond structure includes a copper pad formed on or in a surface of a microelectronic die. A conductive layer is included in contact with the copper pad and a bond wire is bonded to the conductive layer. The conductive layer is formed of a material to provide a stable contact between the bond wire and the copper pad in at least one of an oxidizing environment and an environment with temperature up to at least about 350°C.

Abstract translation: 引线键合结构包括形成在微电子管芯的表面上或其中的铜焊盘。 导电层被包括在与铜焊盘接触的位置，并且接合线接合到导电层。 导电层由材料形成，以在氧化环境和温度至少约350℃的环境中的至少一个中提供接合线和铜焊盘之间的稳定接触。

公开(公告)号：WO1986006878A1

公开(公告)日：1986-11-20

申请号：PCT/JP1985000572

申请日：1985-10-14

Applicant: ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA ,  SHIBASAKI, Ichiro ,  KAJINO, Takashi

Inventor： ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA

IPC: H01L43/00

CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R33/0052 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00015

Abstract: A magneto-electric converter element in which a thin semiconductor film (14) of a compound of the III-V group containing arsenic and having a thickness of 0.1 mu m to 10 mu m is formed as a magnetism sensing portion on a substrate (12) which has an organic insulating layer (13) on the surface thereof, ohmic electrodes (16) are formed on required regions of the thin film, and multi-layer wire bonding electrodes each consisting of a hard metal layer (17) and a bonding layer (18), are formed on the ohmic electrodes.

Abstract translation: 一种磁电转换元件，其中，在基板（12）上形成含有砷的III-V族化合物的厚度为0.1μm至10μm的薄半导体膜（14）作为磁感测部分 ），其表面上具有有机绝缘层（13），在所述薄膜的所需区域上形成欧姆电极（16），以及由硬质金属层（17）和键合物构成的多层引线接合电极 层（18）形成在欧姆电极上。

公开(公告)号：WO2014136303A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/JP2013/077115

申请日：2013-10-04

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 中田　洋輔 ,  中野　誠也

IPC: H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 　素子電極（１０３）は、半導体素子（１０１）の表面に設けられている。金属膜（１０５）は、素子電極（１０３）上に設けられており、内側領域（１０５ａ）と、内側領域（１０５ａ）の周りに位置する外側領域（１０５ｂ１）とを有する。金属膜（１０５）には、内側領域（１０５ａ）および外側領域（１０５ｂ１）の間で素子電極（１０３）を露出する開口（ＴＲ）が設けられている。素子電極（１０３）は、金属膜（１０５）の半田濡れ性よりも低い半田濡れ性を有する。外部電極（１１７）は金属膜（１０５）の内側領域（１０５ａ）に半田接合されている。

Abstract translation: 元件电极（103）设置在半导体元件（101）的表面上。 金属膜（105）设置在元件电极（103）上，具有内侧区域（105a）和位于内侧区域（105a）周围的外侧区域（105b1）。 在金属膜（105）上设置开口（TR），使内侧区域（105a）与外侧区域（105b1）之间露出元件电极（103）。 元件电极（103）的焊料润湿性低于金属膜（105）的焊料润湿性。 外部电极（117）焊接到金属膜（105）的内侧区域（105a）。