公开(公告)号：CN106132612B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201580017804.5

申请日：2015-08-26

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 渡边裕彦 ,  齋藤俊介 ,  小野真裕 ,  渡边孝志 ,  佐野真二 ,  大西一永

IPC分类号： B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

摘要： 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。

公开(公告)号：CN106132612A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580017804.5

申请日：2015-08-26

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 渡边裕彦 ,  齋藤俊介 ,  小野真裕 ,  渡边孝志 ,  佐野真二 ,  大西一永

IPC分类号： B23K1/19 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/34 ,  B23K101/40 ,  B23K101/42

摘要： 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。

公开(公告)号：CN106997874B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201611093776.8

申请日：2016-12-01

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  小平悦宏 ,  早乙女全纪 ,  大西一永

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

公开(公告)号：CN104112677B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201410150243.3

申请日：2014-04-15

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L21/52

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中，抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙，并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物，上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时，重心从压块主体的中心偏移，使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块，在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料，并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上，然后实施使焊锡熔融的升温处理。

公开(公告)号：CN104517860A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410394901.3

申请日：2014-08-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤俊介 ,  渡边裕彦 ,  小野真裕 ,  大西一永 ,  渡边孝志 ,  佐野真二

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/00

摘要： 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。

公开(公告)号：CN104517860B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410394901.3

申请日：2014-08-12

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤俊介 ,  渡边裕彦 ,  小野真裕 ,  大西一永 ,  渡边孝志 ,  佐野真二

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/00

摘要： 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。

公开(公告)号：CN104112677A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410150243.3

申请日：2014-04-15

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  西泽龙男

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/292 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法以及用于该制造方法的焊接用压块,其在制造功率半导体模块的焊接工序中，抑制在接合面的熔融焊锡中产生厚度不均及空隙，并且即使在焊接构件上配置有布线等上部结构物，上部结构物与焊接用压块也互不干扰而使稳定的焊接成为可能。在因基材的翘曲而在基材接合面上出现高度差时，重心从压块主体的中心偏移，使用只在压块主体的与焊接物面对的一侧的边缘部配置有腿的焊接用压块，在基材主面的预定范围的边缘部中因翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置阻隔材料，并且以使重心位于因翘曲而高度相对变低的一侧的方式将压块载置于焊接物上，然后实施使焊锡熔融的升温处理。

公开(公告)号：CN106997874A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201611093776.8

申请日：2016-12-01

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  小平悦宏 ,  早乙女全纪 ,  大西一永

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4875 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/48 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29561 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83395 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L23/488 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/80355

摘要： 本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。

公开(公告)号：CN104517865A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410386288.0

申请日：2014-08-07

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 渡边裕彦 ,  斋藤俊介 ,  小野真裕 ,  渡边孝志 ,  佐野真二 ,  大西一永

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/4814

摘要： 提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。

公开(公告)号：CN217444349U

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202220895813.1

申请日：2022-04-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 佐野真二 ,  泷泽直树 ,  关知则 ,  横山岳 ,  宫泽阳介

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  B23K37/00

摘要： 本实用新型提供一种输送托盘及半导体装置的制造装置，抑制使用输送托盘而制造的产品组的品质的不均一。输送托盘包括单片托盘组和框。各单片托盘具有托盘部以及下端处于比托盘部的背面高的位置的耳部。框具有上表面和下表面、以及在托盘部配置于开口部的内部的状态下能够与耳部的下端抵接的抵接部。框的从下表面起算到抵接部为止的高度比从托盘部的背面起算到耳部的下端为止的高度低。即使在框的下表面与冷却板的设置面之间存在间隙，托盘部也进行位移，且背面与设置面接触。抑制搭载于输送托盘的处理对象组的接合层、的焊料的冷却速度的不均一、缩孔的产生，并抑制得到的产品组的品质的不均一。