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公开(公告)号：CN108486530A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810217583.1
申请日：2018-03-16
申请人： 成都理工大学
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/185 , C23C14/3435 , C23C14/35
摘要： 本发明公开在线加热实现玻璃Be2Ti3薄膜p-n型转变的方法，包括以下操作步骤，首先硅玻璃基片进行预处理，经干燥处理后，将硅玻璃基片置于磁控溅射基片台，进行溅射处理，即实现将玻璃Be2Ti3薄膜p-n型转变，在线加热的方式，采用磁控溅射技术，在对在镀膜的同时进行在线加热，工艺比较严苛，本方案再加入加热模块后可以实现在线加热镀膜。可以对于Be2Ti3的晶粒的生长，对于真空条件下降温保护去应力，便于薄膜和基板之间进行结合。
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公开(公告)号：CN108179387A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711455520.1
申请日：2017-12-28
申请人： 清远先导材料有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0623
摘要： 本发明提供了一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法，先将物料粉体在特定的压力下进行了冷预压，不仅可以使物料成型，而且不会在热压的时候造成喷粉现象，对于提高铜铟镓硒基系列靶材的致密度有促进作用。同时，物料粉体是在特定的真空度下进行了两次特定温度的升温与特定时间的保温，然后在一定的压力下进行保温加压，保温降压后，降温至特定温度再减压，不仅提高了铜铟镓硒基系列靶材的纯度和致密度，而且有效提高了铜铟镓硒基系列靶材的抗压强度。实验结果表明，制备得到的铜铟镓硒基系列靶材的纯度在5N以上，致密度不低于98.0％，杂质含量不超过3.16ppm。
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公开(公告)号：CN108123001A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711421161.8
申请日：2017-12-25
申请人： 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
发明人： 聂曼
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0749 , C23C14/35 , C23C14/06
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/0322 , C23C14/0057 , C23C14/0623 , C23C14/35 , H01L31/0749
摘要： 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，其包括向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体，在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材；提高基板的温度至预设温度，在第二时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材；将第一功率提升至第二功率，在预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材。本发明提供的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法，通过在H2Se气氛中同时溅射CuGa靶材和In靶材，使CIGS吸收层仅通过一个步骤即可溅射成型，有效简化了加工工艺，提高了生产效率和控制精度。
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公开(公告)号：CN107924959A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044548.3
申请日：2016-08-01
申请人： 陶氏环球技术有限责任公司 , 纽升股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0749 , H01L31/032 , C23C14/58 , H01L21/02 , C23C14/06
CPC分类号： H01L31/03928 , C23C14/0623 , C23C14/5866 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/0257 , H01L21/02614 , H01L21/02664 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 本公开涉及光伏装置，包括具有由至少第一区域、第二区域和第三区域界定的组成分布的含硫族化物的光伏光吸收剂。所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域与之间。所述含硫族化物的光伏光吸收剂的每一区域包括Cu、In、Ga、Al和至少一种硫族元素。所述第二区域中存在的Al浓度小于所述第一区域和所述第三区域中的每一个中存在的Al浓度。还公开制造这类含硫族化物的光伏光吸收剂的方法。
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公开(公告)号：CN107916404A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711140436.0
申请日：2017-11-16
申请人： 金堆城钼业股份有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0623
摘要： 本发明公开了一种制备二硫化钼靶材的方法，该方法包括以下步骤：一、将二硫化钼粉末进行真空低温热处理；二、将真空低温热处理后的二硫化钼粉末进行球磨处理；三、将球磨处理后的二硫化钼粉末压制成二硫化钼坯料；四、将二硫化钼坯料装入包套中，抽真空焊封后进行热等静压处理，除去包套后得到二硫化钼靶材粗品；五、将二硫化钼靶材粗品进行机械加工和清洗，最终得到二硫化钼靶材。本发明依次对二硫化钼粉末进行真空低温热处理和球磨，提高了二硫化钼粉末的质量纯度和可压性，然后采用压制与热等静压相结合的方法，提高了二硫化钼靶材的致密性和质量纯度，降低了热等静压的成型温度和时间，同时扩大了原料的适用范围。
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公开(公告)号：CN107686977A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710778027.7
申请日：2017-09-01
申请人： 苏州云舒新材料科技有限公司
发明人： 戴晓宸
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/021 , C23C14/0623 , C23C14/5806
摘要： 本发明公开了一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，该工艺利用酸洗和碱洗清洗活化陶瓷薄膜基底，应用磁控溅射技术将二硫化钼溅射至陶瓷薄膜表层，进而退火得到半导体二硫化钼薄膜材料。制备而成的半导体二硫化钼薄膜材料，其制作工艺简单、导电性能好、光电效应好，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107686975A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710650854.8
申请日：2017-08-02
申请人： 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
CPC分类号： C23C14/0057 , C23C14/0063 , C23C14/0623 , C23C14/35 , C23C14/541 , C23C14/548 , C23C14/562 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32715 , H01J37/3277 , H01L31/0322 , H01L31/206
摘要： 本发明提供了用于沉积含硫族元素的化合物半导体的均匀薄膜的沉积系统和方法。沉积系统包括：真空盒，所述真空盒连接至真空泵；溅射系统，所述溅射系统包括位于所述真空盒中的至少一个溅射靶；含硫族元素的气体源；以及气体分配歧管，所述气体分配歧管具有供应侧和分配侧。所述分配侧具有多个开口区域，所述多个开口区域具有独立的温度控制；并且所述供应侧连接至所述含硫族元素的气体源。反应溅射沉积含硫族元素的化合物半导体材料的方法包括：将含硫族元素的化合物半导体材料的至少一个金属组分溅射到衬底上；以及向所述衬底的端部比向所述衬底的中部提供更高的硫族元素流，以形成所述含硫族元素的化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN107446515A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710712186.7
申请日：2017-08-18
申请人： 上海蓝眸多媒体科技有限公司
发明人： 孙绪刚
IPC分类号： C09J7/02 , C09J4/02 , C09J4/06 , C08L67/02 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08J7/06 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/08 , G03B21/60
CPC分类号： C08L67/02 , C08J7/06 , C08J2367/02 , C08K2003/265 , C08K2003/3045 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C09J4/06 , C09J2201/122 , C09J2467/006 , C23C14/0623 , C23C14/0694 , C23C14/083 , C23C14/34 , G03B21/60 , C08F289/00 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08K3/26
摘要： 本发明涉及一种投影屏，尤其涉及一种基于PET胶膜的透明防紫外投影屏及其制备方法，所述透明防紫外投影屏包括由上至下依次层叠的增透膜层、PET胶膜夹层和胶粘层，所述PET胶膜夹层内包括纳米粒子，所述纳米粒子分布密度为0.008-1.6g/mm·m2，所述纳米粒子由质量比为(1-81)：9的二氧化钛纳米粒子与无机盐纳米粒子组成；与现有技术相比，PET胶膜夹层中均匀分布的纳米二氧化钛粒子和无机盐纳米粒子，使投影屏成像的透明度、清晰度更高，本发明以PET胶膜作为夹层材料，其制作工艺简单，可连续批量生产，所制得的投影屏具有优异的耐久性、隔音性能、光学特性，可用于室内广告、建筑玻璃、车窗GPS显示领域。
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公开(公告)号：CN107406970A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680017703.2
申请日：2016-03-17
申请人： 纽升股份有限公司
发明人： B·D·赫克特曼 , K·R·B·波特 , A·A·奎图瓜-弗洛里斯 , A·C·沃尔
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/0623 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/542 , C23C14/562 , C23C14/566 , H01L31/02167 , H01L31/03923
摘要： 用于沉积预定量的材料到衬底上的实例设备包括具有被配置成容纳材料的腔体的容器。容器和腔体沿着容器的第一轴伸长。设备另外包括一个或多个加热器，其(i)沿着第一轴伸长并且(ii)被配置成通过加热容器加热和蒸发材料。设备另外包括输送机，用于朝着基本上垂直于容器的第一轴和容器中沿着第一轴分布的一个或多个开口的方向移动衬底。一个或多个开口提供容器外部区域与腔体之间的流体连通。本文还公开了用于沉积预定量的材料到衬底上的方法。
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公开(公告)号：CN107058950A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710238625.5
申请日：2017-04-13
申请人： 新疆大学
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/24
摘要： 本发明公开一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法，是通过以下工艺过程实现的：在高真空热蒸发镀膜机坩埚中，加入一定量的高纯Bi2Te3粉末，放置于加热区域。调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm，在衬底样品台上放置清洗过的氟晶云母。开启复合分子泵机组抽真空至5*10‑5Pa，衬底加热至380℃‑400℃，热蒸发源温度加热至340℃‑360℃，开始镀膜。在此温度下反应5‑120min，通过控制面板调节蒸发源和衬底温度至0℃，等待仪器自然降温后，获得产物。本发明的特点在于：此方法可直接制备出螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜；产物形貌螺旋生长，台阶清晰可见；无其他产物，对环境污染小。
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