公开(公告)号：CN105518951B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201480044416.1

申请日：2014-07-01

申请人： 英菲尼斯有限责任公司

发明人： T·牧野 ,  T·李 ,  D·尤

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

摘要： 一种使用微机电系统(MEMS)技术的波长可调谐的垂直腔面发射激光器(VCSEL)被设置为用于光学相干层析成像(OCT)的扫频源。所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。所述MEMS可调谐量子点VCSEL能覆盖超过100nm的操作波长范围，优选具有250nm和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率能从几kHz到几百kHz、以及高达几MHz。

公开(公告)号：CN108011295A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043860.3

申请日：2017-10-31

申请人： 住友电工光电子器件创新株式会社

发明人： 小河直毅

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34313 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34366 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3438

摘要： 本申请公开了具有光栅的半导体激光二极管(LD)。LD包括掩埋光栅的下包覆层、以及有源层和上包覆层。有源层具有彼此交替布置的势垒层和阱层的多量子阱(MQW)结构。MQW结构还包括在势垒层和阱层之间的中间层，并且具有势垒层和阱层的晶格常数之间的晶格常数。中间层的厚度小于1nm。

公开(公告)号：CN104412148B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201380036351.1

申请日：2013-05-17

申请人： 菲尼萨公司

发明人： 松井康浩

IPC分类号： G02B26/00 ,  G02B26/08

CPC分类号： H01S5/0085 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0035 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3415 ,  H01S5/3416 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3434 ,  H04B10/504

摘要： 在一个实施例中，分布布拉格反射器(DBR)激光器包括增益部分和无源部分。增益部分包括有源区、上部分离约束异质结构(SCH)和下部SCH。上部SCH在有源区的上方并且具有至少60纳米(nm)的厚度。下部SCH在有源区的下方并且具有至少60nm的厚度。无源部分与增益部分耦合，该无源部分具有与有源区进行光通信的DBR。

公开(公告)号：CN104067462B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201280067696.9

申请日：2012-12-03

申请人： 镁可微波技术有限公司

发明人： A·A.·贝法尔 ,  M·R.·格林 ,  C·斯塔伽利斯库

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/0014 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2635 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34333

摘要： 一种激光器芯片，其具有：衬底；在所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括有源区域并且所述有源区域产生光；形成在所述外延结构中的波导，其呈第一方向延伸，所述波导具有限定边发射激光器的正蚀刻端面和背蚀刻端面；以及在所述外延结构中形成的第一凹陷区域，所述第一凹陷区域被布置在距所述波导一定距离处并且具有与所述背蚀刻端面相邻的开口，所述第一凹陷区域促进在分割所述激光器芯片之前测试相邻激光器芯片。

公开(公告)号：CN106451073A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610628959.9

申请日：2016-08-03

申请人： 株式会社理光

发明人： 铃木亮一郎

IPC分类号： H01S5/183 ,  H03L7/26

CPC分类号： H01S5/068 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18361 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34386 ,  H01S2301/163 ,  H01S2301/176 ,  H03L7/26

摘要： 一种表面发射激光器元件包括下部布拉格反射镜；上部布拉格反射镜；和形成在下部布拉格反射镜和上部布拉格反射镜之间并包括活性层的共振器区域。波长调节区域形成在下部布拉格反射镜或上部布拉格反射镜中并包括第二相位调节层，波长调节层和第一相位调节层，其以该顺序从其中形成共振器区域的侧面进行布置。波长调节区域的光学厚度是近似(2N+1)×λ/4，波长调节层形成在其中在形成共振器区域的侧面上距离波长调节区域的端部的光学距离是近似M×λ/2的位置处，其中λ是发射光的波长，M和N是正整数，以及M小于或等于N。

公开(公告)号：CN106300015A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610871786.3

申请日：2016-09-30

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 廖永平 ,  张宇 ,  魏思航 ,  郝宏玥 ,  徐应强 ,  牛智川

IPC分类号： H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34313

摘要： 本发明提供一种大功率1.8-4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。

公开(公告)号：CN103518297B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280013594.9

申请日：2012-03-16

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 谷口英广 ,  大木泰

IPC分类号： H01S5/16

CPC分类号： H01S5/0421 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/305 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34313 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供一种半导体光器件，其具备第一导电型半导体衬底，在半导体衬底的上方依次沉积的第一导电型的第一熔覆层，活性层，第二导电型的第二熔覆层，接触层；活性层具有通过空位扩散而混晶化的窗部及比窗部混晶度小的非窗部；接触层具有第一区域及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相比，其与氢的亲和性更强，且位于所述第一区域的下侧。

公开(公告)号：CN103988379A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280060429.9

申请日：2012-12-05

申请人： 国立大学法人京都大学 ,  浜松光子学株式会社

发明人： 野田进 ,  黑坂刚孝 ,  渡边明佳 ,  广瀬和义 ,  杉山贵浩

IPC分类号： H01S5/50

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06243 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/323 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/4056

摘要： 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。

公开(公告)号：CN103701036A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310443054.0

申请日：2013-09-26

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： B.施托耶茨 ,  A.莱尔 ,  C.艾希勒

IPC分类号： H01S5/14

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0653 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/17

摘要： 说明一种半导体激光二极管，具有以下特征：－衬底（1），－在衬底（1）上带有至少一个被设立用于生成激光光线（30）的有源层（3）的半导体层序列（2），所述激光光线（30）在运行中沿着辐射方向（50）被辐射，和－至少一个滤波层（9），所述滤波层具有主延伸平面，该主延伸平面平行于有源层（3）的主延伸平面并且被设立用于散射和/或吸收除了激光光线（30）以外也在半导体层序列（2）和/或衬底（1）中传播的光。

公开(公告)号：CN103701031A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310531174.6

申请日：2010-01-07

申请人： 伊利诺斯大学理事会 ,  量子电镀光学系统有限公司

发明人： 加布里埃尔·沃尔特 ,  尼克·霍伦亚克 ,  米尔顿·冯

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01S5/06203 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

摘要： 本申请涉及发光和激光作用半导体装置和方法。本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法。