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公开(公告)号：CN103081070A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002593.4
申请日：2012-07-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/78 , C08K5/005 , C09J7/38 , C09J11/06 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/6836 , H01L2221/68336 , Y10T428/28 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的在于提供在对半导体晶圆进行激光划片时可防止吸附工作台损伤的切割用粘合片。本发明提供一种切割用粘合片，其为具有基材和设置在基材上的粘合剂层的切割用粘合片，在粘合剂层中，相对于100重量份树脂固体成分，含有0.02～5重量份的紫外线吸收剂，切割用粘合片在波长355nm下的透光率为30～80%。
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公开(公告)号：CN101518887B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200910118648.8
申请日：2009-02-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B37/34 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/29 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2431/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , H01L21/6835 , H01L2221/6834 , Y10T428/28
Abstract: 用于研磨半导体晶片背面的粘合片以及使用其研磨半导体晶片背面的方法。本发明提供用于研磨半导体晶片背面的粘合片，当研磨半导体晶片的背面时，将该粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，其中，该粘合片以从回路形成表面侧依次包括粘合剂层、中间层的和基材，该中间层具有高于55至低于80的JIS-A硬度，和中间层的厚度为300至600μm。此外，本发明还提供用于研磨半导体晶片背面的方法，该方法包括以下步骤：将上述粘合片粘合至半导体晶片的回路形成表面，接着研磨半导体晶片背面。
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公开(公告)号：CN102399504A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110276119.8
申请日：2011-09-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J123/14 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: C09J123/142 , C08L23/0853 , C09J7/22 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J2423/046 , C09J2423/10 , C09J2431/006 , H01L21/6836 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明涉及压敏粘合带。根据本发明的实施方案的压敏粘合带包括，压敏粘合剂层；和基材层，其中：所述压敏粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物，所述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200,000以上和分子量分布(Mw/Mn)为2以下；和所述基材层包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
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公开(公告)号：CN102376616A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110204481.4
申请日：2011-07-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L23/544 , H01L23/28 , C08L33/08 , C08L33/12 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08K7/18 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , C09J163/00 , H01L21/561 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/54406 , H01L2223/54413 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16258 , H01L2224/16268 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81002 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T428/24802 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。
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公开(公告)号：CN102376615A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110204420.8
申请日：2011-07-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09J163/00 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347264A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110185003.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , B32B38/10 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/20 , C09J165/00 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54406 , H01L2223/5442 , H01L2223/5448 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/73204 , H01L2224/81095 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1075 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1471 , Y10T428/1476 , Y10T428/1495 , Y10T428/15 , Y10T428/21 , H01L21/78 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。
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公开(公告)号：CN102344646A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110184672.9
申请日：2011-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08K3/22 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81815 , H01L2224/83022 , H01L2224/83102 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/24355 , Y10T428/2848 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜要设置于要倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，所述膜包含树脂和导热性填料，其中导热性填料的含量为所述膜的至少50体积％，以及相对于所述膜的厚度，导热性填料的平均粒径为至多30％，并且相对于所述膜的厚度，导热性填料的最大粒径为至多80％。
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公开(公告)号：CN101070454B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200710103227.9
申请日：2007-05-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/00 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L33/14 , C08L2312/06 , C08L2666/04 , C09J7/385 , C09J133/04 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明涉及用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，其包括基层材料和通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置在所述基层材料的表面上，其中所述压敏粘着剂层包括原料聚合物，基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有1000至2500的分子量，以及基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有200至700的分子量。本发明的压敏粘着片，对于具有深度为约0.4至40μm，例如通过激光照射印刷的标记的微小不平坦性具有出色的随动(follow-up)性质，显示出足够的粘着力，并能够在完成粘合的目的后被剥离而不产生粘着剂残留。
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公开(公告)号：CN102093827A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010520031.1
申请日：2010-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J133/08 , H01L21/68
CPC classification number: B32B27/40 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B2307/308 , B32B2307/50 , B32B2307/51 , B32B2307/748 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , Y10T428/265 , Y10T428/28 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，该粘合片的弹性模量为103MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。
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公开(公告)号：CN102031072A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010503647.8
申请日：2010-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , C09J7/385 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L2221/68336 , Y10T156/10 , Y10T156/1052 , Y10T428/28 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及一种保持元件用压敏粘合片和生产元件的方法。一种根据本发明实施方案的保持元件用压敏粘合片，其包括基材层和设置于该基材层上并能够通过外部刺激固化的压敏粘合剂层。在所述压敏粘合剂层固化的状态下拉伸所述压敏粘合片的情况下，由下列等式表示的龟裂产生伸长率大于115％。龟裂产生伸长率(％)＝[(当所述压敏粘合剂层表面上产生龟裂时所述压敏粘合片的长度)-(所述压敏粘合片的原始长度)]/(所述压敏粘合片的原始长度)×100。
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