氮化物半导体发光元件
    124.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101807636B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201010121580.1

    申请日:2007-09-10

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层,所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件,该元件包括:透明导体;金属层;第二透明导体;第一导电型氮化物半导体层;发光层;和第二导电型氮化物半导体层,所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。

    发光装置
    128.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103066183A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210334729.3

    申请日:2012-09-11

    Abstract: 本发明提供一种发光装置,该发光装置具备:LED芯片;树脂封装件,其收纳第1引线端子的第1内侧部和第2引线端子(110)的第2内侧部,并且具有按照第1引线端子的第1内侧部的包含第1凹部的部分以及第2引线端子的第2内侧部的部分在底部露出的方式所形成的第2凹部;和树脂部,其包含在第1引线端子的第1凹部内及树脂封装件的第2凹部内填充的荧光体,在包含上述荧光体在内的树脂部之中的与LED芯片对置的区域中含有光反射性填充物。由此,获得以简单结构具有宽的配光特性的发光装置。

Patent Agency Ranking