半导体装置及其制造方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109844936A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201680090273.7

    申请日:2016-10-24

    Abstract: 在半导体芯片(9)的上表面设有相互分离的第1以及第2发射极电极(12、13)。配线部件(15)具有与第1发射极电极(12)接合的第1接合部(15a)、以及与第2发射极电极(13)接合的第2接合部(15b)。树脂(2)对半导体芯片(9)、第1以及第2发射极电极(12、13)、以及配线部件(15)进行封装。在第1接合部(15a)和第2接合部(15b)之间,设有将配线部件(15)上下贯穿的孔(18)。

    半导体装置的制造方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115777143A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202080102924.6

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 目的在于提供在将半导体装置螺钉紧固于被安装部件时能够抑制蠕变现象的产生且抑制半导体装置的制造成本上升的技术。半导体装置的制造方法具有工序(a)~工序(e)。在工序(a)中准备具有连结杆(5)、框体(4)、环部(6)和多个引线部(2)、(3)的引线框(1)。在工序(b)中制作组装体。在工序(c)中将组装体配置于型腔(23a)内。在工序(d)中,在销(22)被插入至环部(6)的孔(6a),环部(6)的上表面与上模(20)的内表面抵接的状态下,向型腔(23a)内注入液态的模塑树脂(10),使其固化而制作树脂成型体(100)。在工序(e)中,在从模塑模具(23)取出树脂成型体(100)后,将框体(4)、连结杆(5)及连接部(7)切断。

    冷却器及半导体装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115699300A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202080101360.4

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 提供在对多个冷却对象物进行冷却时冷却程度不易变得不均匀的冷却器。为此,冷却器内部的致冷剂的流路包含:外周侧集管区域,其设置于环形状的外周侧,沿环形状的周向延伸;内周侧集管区域,其在环形状的内周侧与外周侧集管区域隔着分离区域而设置,沿周向延伸;以及鳍片区域,其是分离区域,配置有鳍片。

    半导体装置及其制造方法
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103972276B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201410045198.5

    申请日:2014-02-07

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种接合部的可靠性高的直接引线接合构造的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有:多个半导体芯片(5);板电极(7),其配置在多个半导体芯片(5)上,对多个半导体芯片(5)进行连接;以及电极(17),其配置在板电极(7)上。电极(17)具有凸出部和间断的多个接合部(17a),其中,该多个接合部(17a)与板电极(7)接合,该凸出部以立起状从多个接合部(17a)凸出。凸出部具有与接合部(17a)平行且与外部电极超声波接合的超声波接合部(17b)。

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