公开(公告)号：CN108886021A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN104681079B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510081061.X

申请日：2010-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C5/06 ,  G11C7/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405 ,  G11C11/565 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/263 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体装置及用于驱动半导体装置的方法。所公开的是用作多值化存储器设备的半导体器件，包括：串联连接的存储单元；选择存储单元并驱动第二信号线和字线的驱动器电路；选择写入电位中的任意并将其输出至第一信号线的驱动器电路；比较位线的电位和参考电位的读取电路；以及产生写入电位和参考电位的电位产生电路。一个存储单元包括：连接至位线和源线的第一晶体管；连接至第一和第二信号线的第二晶体管；以及连接至字线、位线、以及源线的第三晶体管。第二晶体管包括氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极连接至第二晶体管的源和漏电极中的一个。

公开(公告)号：CN102037556B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN200980118810.4

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  及川欣聪 ,  小路博信 ,  盐野入丰 ,  加藤清 ,  中田昌孝

IPC: H01L21/822 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07735 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00

Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。

公开(公告)号：CN102176237B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201110056547.X

申请日：2005-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清

IPC: G06K19/077 ,  H01L27/02 ,  H01L27/13 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07735 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及限幅器以及采用限幅器的半导体器件。本发明的限幅器采用包括浮栅的堆叠栅薄膜晶体管(TFT)作为二极管。当采用包括浮栅的TFT时，即使在存在TFT阈值电压Vth的变化的情况下，借助于控制聚集在浮栅中的电荷量，也可以控制阈值电压Vth。

公开(公告)号：CN102270317B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110200853.6

申请日：2006-11-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤利彦 ,  加藤清

IPC: G06K19/077 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/05 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B82Y10/00 ,  G06K19/07749 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L51/0591

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其工作方法，其目的在于谋求在芯片中占有很大的面积的存储区域的成本降低，以抑制整个芯片的制造成本。该半导体器件包括：包括电源电位输出端的无线信号输入部；包括写入信号输入端和与上述电源电位输出端电连接的电源电位输入端的存储区域；被电连接在上述电源电位输出端和上述电源电位输入端之间的二极管；以及被电连接在上述电源电位输入端和上述存储区域的上述写入信号输入端之间的电阻器。

公开(公告)号：CN102598266B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080051156.2

申请日：2010-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  G11C16/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G11C11/403 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0425 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225

Abstract: 一种半导体装置，其具有新的结构。该半导体装置包括：彼此串联连接的存储单元；以及电容器。存储单元之一包括：连接到位线及源极线的第一晶体管；连接到信号线及字线的第二晶体管；以及连接到字线的电容器。第二晶体管包含氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一方、以及电容器的电极中的一方彼此连接。

公开(公告)号：CN102034122B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201010513767.6

申请日：2010-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  热海知昭 ,  米田诚一 ,  高桥康之 ,  加藤清

IPC: G06K17/00

CPC classification number: G06K19/07 ,  G06K19/0701 ,  G11C5/142

Abstract: 半导体器件包括存储部分、逻辑部分和用于电连接该存储部分与该逻辑部分的多个信号线。在半导体器件和通信装置之间的传送率是α[bps]的情况下，在该逻辑部分中产生的第一时钟频率是Kα[Hz](K是1或更大的整数)，该多个信号线的读信号线的数量是n(n是2或更大的整数)，并且在该逻辑部分中产生的第二时钟频率是Lα/n[Hz](L是满足L/n＜K的任意整数)，存储在存储部分中的数据用该第二时钟频率Lα/n[Hz]通过该n个读信号线读取到逻辑部分。

公开(公告)号：CN102804360B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201080059256.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个实施例的目的在于提供一种在数据存储期间中即使当没有电力供给时也可以存储所存储数据且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：包含使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域的第一晶体管；包含使用氧化物半导体材料的第二沟道形成区域的第二晶体管；以及电容器，其中，第二晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个与电容器的一个电极电连接。

公开(公告)号：CN102280453B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110228942.1

申请日：2006-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/13 ,  H01L21/84 ,  G06K19/07 ,  H04B5/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0715 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/0726 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0056 ,  Y02D70/166 ,  Y02D70/26 ,  Y02D70/42

Abstract: 公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片，其中，也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化，从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此，在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下，防止了过高电压的产生。

公开(公告)号：CN101354755B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200810133477.1

申请日：2008-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清 ,  高缘贵章 ,  八洼裕人 ,  柳泽真 ,  大谷久 ,  杉山荣二 ,  堀越望

IPC: G06K19/077 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/60

CPC classification number: G06K19/07735 ,  G06K19/07722 ,  G06K19/07794 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种能够进行无线通信的半导体器件，其具有在对外力、尤其是压紧力的抵抗力方面的高可靠性，并且能在不妨碍电波接收的情况下防止集成电路中的静电放电。该半导体器件包括连接到集成电路的芯片上天线和在无接触的情况下将包括在接收的电波中的信号或功率发送到芯片上天线的增益天线。在该半导体器件中，集成电路和芯片上天线插在通过用树脂填充纤维体形成的一对结构体之间。结构体中的一个设置在芯片上天线与增益天线之间。具有约为106～1014Ω/cm2的表面电阻值的导电膜在每个结构体的至少一个表面上形成。