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公开(公告)号：CN110501769A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN110337612A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201780087227.6
申请日：2017-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·尼基帕罗夫 , V·Y·班尼恩 , 约斯特·安德烈·克鲁格斯特 , M·A·纳萨莱维奇 , 罗兰·约翰内斯·威廉姆斯·斯塔斯 , 桑德罗·沃锐克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 提供了一种光刻设备，包括：物体，所述物体包括：衬底和可选地在所述衬底上的下层；上层；和在所述上层与所述衬底之间的中间层，其中所述中间层与所述衬底或下层之间的结合强度大于所述中间层与所述上层之间的结合强度，并且所述中间层的杨氏模量和/或泊松比在所述上层的杨氏模量和/或泊松比的上下20％以内。
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公开(公告)号：CN106489084A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036687.7
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩 , 洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔 , 普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁 , 因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅 , 佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN104093259B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410225307.1
申请日：2009-03-20
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： H05G2/00
摘要： 本发明公开了一种靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法。所述靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物，或Tb，或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。
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公开(公告)号：CN102289158B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110285866.8
申请日：2007-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了一种辐射系统和光刻设备，所述辐射系统用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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公开(公告)号：CN101606442B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200780049879.7
申请日：2007-12-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： H05G2/003 , B82Y10/00 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , H05G2/005
摘要： 本发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内，在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏，在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏，发射的快速离子的数量可以被减少。
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公开(公告)号：CN101611351B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200780046056.9
申请日：2007-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·C·瓦森克 , V·Y·班尼恩 , V·V·伊娃诺夫 , K·N·科什烈夫 , T·P·M·卡迪 , V·M·克里夫塔森 , D·J·W·克伦德尔 , M·M·J·W·范赫彭 , P·P·A·A·布洛姆 , W·A·索尔 , D·克拉什科夫
CPC分类号： G03F7/70933 , G03F7/70858 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , H05G2/003 , H05G2/005
摘要： 本发明公开了一种辐射系统，用于产生限定一个光学轴线的辐射束。所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的等离子体产生的放电源。放电源包括构造并配置成设置有电压差的一对电极，和系统，该系统用于在该对电极之间产生等离子体以便在电极之间的等离子体中提供放电。辐射系统还包括用于捕获来自电极的碎片的碎片捕获遮蔽件。碎片捕获遮蔽件构造并配置成将电极和以相对于光学轴线的预定球面角提供的光的路线遮挡分开，并且在该光的路线中电极之间的中心区域提供孔。
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公开(公告)号：CN114035254A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111335991.5
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN102981201B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210518419.7
申请日：2009-02-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： W·A·索尔 , V·Y·班尼恩 , J·H·J·莫尔斯 , M·M·J·W·范赫彭 , A·M·亚库林
CPC分类号： G02B5/208 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G02B5/22 , G02B5/26 , G03F7/70191 , G03F7/702 , G03F7/70575 , G03F7/70958 , G21K1/067 , G21K2201/061 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： 本申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4)，所述第一层包括第一材料，并配置成对第一波长的辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2)，所述第二层包括第二材料，并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3)，位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料，并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游，以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
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公开(公告)号：CN102099747B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980128327.4
申请日：2009-07-29
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70958 , B82Y10/00 , G02B5/208 , G03F7/70033 , G03F7/70191 , G03F7/70575 , G03F7/70941 , G21K1/062 , G21K1/10
摘要： 本发明公开了一种光谱纯度滤光片，配置用以透射极紫外(EUV)辐射并偏转或吸收非极紫外伴随辐射。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的辐射入射侧面上对非极紫外伴随辐射具有高的反射性的材料的层。在一个实施例中，光谱纯度滤光片包括对极紫外辐射具有高的透射率的材料的主体和在所述主体的末端上的具有高发射率的材料的层。
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