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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN118398655A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410022844.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B12/00
Abstract: 提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。
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公开(公告)号：CN116247086A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211071365.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/40
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽；在所述沟槽上形成栅极电介质层；在所述栅极电介质层上形成栅极层；以及对所述栅极电介质层和所述栅极层进行第一退火，其中，在所述第一退火的操作之后，所述栅极层包含钼‑钽合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115548104A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210634372.4
申请日：2022-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/108
Abstract: 公开了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。所述栅极结构可以包括：第一栅电极，在第一方向上延伸；第二栅电极，在第一栅电极的一部分上；栅极掩模，在第一栅电极和第二栅电极上；以及栅极绝缘图案，在第一栅电极的下表面和侧壁以及第二栅电极和栅极掩模的侧壁上。栅极结构在基底的上部分中。第二栅电极的晶粒尺寸大于第一栅电极的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN112599661A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011058111.X
申请日：2020-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁存储器件可以包括垂直磁性结构、面内磁性结构、在垂直磁性结构与面内磁性结构之间的自由磁性图案以及在垂直磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒图案。垂直磁性结构可以包括具有被钉扎到特定方向的垂直磁化方向的至少一个被钉扎图案，并且自由磁性图案可以具有可切换的垂直磁化方向。面内磁性结构可以包括第一磁性图案和第二磁性图案，并且第一磁性图案和第二磁性图案中的每个可以具有不同的各自的面内磁化方向。
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公开(公告)号：CN105762274B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201610005833.6
申请日：2016-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 唐学体 , 李将银 , 冯艮 , 达斯廷·威廉·埃里克森
Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
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公开(公告)号：CN105762274A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610005833.6
申请日：2016-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 唐学体 , 李将银 , 冯艮 , 达斯廷·威廉·埃里克森
Abstract: 公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
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公开(公告)号：CN102683580B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210072710.6
申请日：2012-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/303 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。
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