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公开(公告)号:CN100356540C
公开(公告)日:2007-12-19
申请号:CN03805001.3
申请日:2003-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/603 , H05K13/04
Abstract: 本发明提供一种电子元件安装设备,其中可以通过简化一安装头的结构来提供高速操作,并且可以通过取消使用安装头进行涂敷处理,来提升工作效率。在该电子元件安装设备中,在凸块形成表面朝上的状态下,助熔剂被涂敷在芯片上,其中芯片被提供至电子元件供给单元。芯片被安装在衬底上。支承头接收由安装头从粘性板提取的芯片,并且相对于其上展开助熔剂的一工作台而被倒置。因此,芯片的凸块被助熔剂所覆盖,并且被平整,而在支承头被返回原始工作台后,安装头提取在该工作台上的芯片并且将其安装在衬底上。
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公开(公告)号:CN1606143A
公开(公告)日:2005-04-13
申请号:CN200410084976.8
申请日:2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/607 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L33/62 , H01L2224/0401 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/11505 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13144 , H01L2224/13644 , H01L2224/1403 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/81194 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/85424 , H01L2224/92125 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 将由金纳米糊料形成的接合部件配置在上述各元件电极与上述各基板电极之间,借助于上述各接合部件使上述各元件电极与上述各基板电极对接,在上述对接状态下,通过对上述各接合部件赋予超声波振动,使上述各接合部件与上述各基板电极和上述各元件电极接合。
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公开(公告)号:CN1107741C
公开(公告)日:2003-05-07
申请号:CN96110836.3
申请日:1996-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 土师宏
IPC: C23C4/00
CPC classification number: H01L24/85 , B23K1/20 , B23K20/004 , B23K2101/36 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/7865 , H01L2224/85013 , H01L2224/85444 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01072 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H05K13/0061 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了小型、具有较高处理能力、结构简单且成本低廉的表面处理设备和接线设备。表面处理设备包括:一基体,它带有用于传送物体的传送通路;一设置在上述基体上方的罩盖,它可移动成与前述基体相接触和不相接触;一接合和脱离装置,它用于使前述罩盖移动成与前述基体相接触和不相接触;一传送装置,它用于在罩盖不与前述基体接触时使所述物体移至和移出罩盖下方的位置;以及,一处理部分,它用于对前述物体的电极进行表面处理。
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公开(公告)号:CN103533824B
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201280023688.4
申请日:2012-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: A01G9/00
CPC classification number: A01G31/042 , Y02P60/216
Abstract: 在生长区域(301)中以矩阵状平面地配置有对用来栽培植物的栽培基进行收容的多个容器(200);具备:多个生长输送机(102),配置在生长区域(301)中,在与容器(200)的移送方向交叉的方向上排列配置;作业输送机(103),配置在与生长区域(301)相邻的作业区域(302)中,在与生长输送机(102)的移送方向交叉的方向上具有移送方向,与多个生长输送机(102)的端部连接;处理机构(104),对配置在作业输送机(103)上的容器(200)进行培育处理。
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公开(公告)号:CN102388438B
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201080015705.0
申请日:2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 公开一种用于处理基板的方法,通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时,由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成,所述区域为蚀刻的对象。此后,首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b),从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4),该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后,树脂膜(4)被熟化,从而形成掩膜(4*),该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果,用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。
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公开(公告)号:CN102293064B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201080005409.2
申请日:2010-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46 , G05B19/418 , H01L21/304 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935 , Y02P90/22
Abstract: 一种等离子体处理装置,能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据并能够确保可追溯性。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有:放电检测传感器(23),检测处理腔(3a)内部的异常放电;以及照相机(26),通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当已检测到异常放电时,等离子体处理装置存储与一时间段对应的运动图像数据,该时间段包括检测到异常放电的时间,并且当未检测到异常放电时,等离子体处理装置存储示出正常放电状态的运动图像或静止图像的数据作为示出已执行等离子体处理的正常历史图像数据。因此,可以获得对确定等离子体处理中的异常放电的原因有用的数据并确保可追溯性。
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公开(公告)号:CN102388438A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201080015705.0
申请日:2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01058 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 公开一种用于处理基板的方法,通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时,由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成,所述区域为蚀刻的对象。此后,首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b),从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4),该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后,树脂膜(4)被熟化,从而形成掩膜(4*),该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果,用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。
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公开(公告)号:CN101331601A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200680047075.9
申请日:2006-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10S438/976 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1195 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983 , Y10T156/1994
Abstract: 提供了能够高速拾取芯片且不损伤芯片的芯片拾取装置和芯片拾取方法,以及芯片剥离装置和芯片剥离方法。芯片拾取装置通过使用拾取嘴(20)吸着而保持芯片,由此拾取附着在基片(5)上的芯片(6)。在芯片拾取装置中,通过将诸如橡胶的挠性弹性体形成为球形而设置的基片上推件(24)安装在位于剥离工具(22)上表面上的邻接支持面上,当拾取嘴(20)下降时,使得基片上推件(24)的上推面依从基片(5)的下表面成平面状并邻接该基片,以及当拾取嘴(20)随芯片(6)上升时,通过使该上推面变形成上凸曲面形状而向上推基片(5)的下表面。因此,基片(5)和芯片(6)可以从芯片的外端侧剥离。
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公开(公告)号:CN100366137C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200480000890.0
申请日:2004-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 土师宏
IPC: H05K13/04
Abstract: 在一种电子元件安装方法中,其中,电子元件被设置在安装头上的多个相应的喷嘴吸住/保持,以便于被安装在电路板的电子元件安装部分上,这种安装操作对所有电子元件顺序地进行,其中,电子元件被多个喷嘴吸住/保持;被多个喷嘴中之一吸住/保持的电子元件被临时地定位在一个电子元件安装部分上方;这个电子元件和电子元件安装部分通过一个位于电路板和安装头之间的观察头进行观察;对被安装头保持的所有电子元件执行一个相对位置探测操作,所述探测操作用于探测这个电子元件和电子元件安装部分之间的相对位置关系;而且电子元件相对于电子元件安装部分进行定位,以便于在反映被探测到的相对位置关系的同时将电子元件安装于其上。
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公开(公告)号:CN101002315A
公开(公告)日:2007-07-18
申请号:CN200580025755.6
申请日:2005-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68359 , H01L2223/54473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜,同时限定用于将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件的分割线,并且,在各个半导体器件中,缺陷半导体器件的表面被局部暴露,且然后通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻,从而沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件,并将缺陷半导体器件的暴露部去除,以便形成去除部作为缺陷半导体器件区分标记。
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