公开(公告)号：CN103546845B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201310478347.2

申请日：2013-07-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔林 ,  R·艾伦普福特 ,  J·格拉夫 ,  C·谢林 ,  F·安特 ,  M·库尔契奇

IPC: H04R7/02

CPC classification number: B81B3/0021 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016

Abstract: 本发明涉及具有微机械传声器结构的构件。提出用于改进传声器构件的传声器灵敏性和传声器信号的线性行为的措施，该措施还有助于提高构件的牢固性。构件(10)的微机械传声器结构以层结构方式实现在半导体衬底(1)上并且包括：声学上起作用的膜片(11)，该膜片至少部分地跨越衬底背侧中的声孔(14)并且设有传声器电容器组件的至少一个可运动的电极；以及固定的、可透声的、具有贯通孔(16)的对应元件(15)，该对应元件以层结构方式布置在膜片(11)上方并且作为用于传声器电容器组件的至少一个不可运动的电极起作用。根据本发明，膜片(11)在中心区域(121)中连接到半导体衬底(1)上。膜片(11)还至少区域式地具有瓦楞板形的褶皱(13)。

公开(公告)号：CN106375914A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610584853.3

申请日：2016-07-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·布克 ,  F·普尔科 ,  M·斯顿伯 ,  R·艾伦普福特 ,  R·舍本 ,  B·施泰因 ,  C·谢林

IPC: H04R7/12 ,  H04R17/02

Abstract: MEMS构件(51)，在其层结构中构造有至少一个声压敏感的膜片元件(531)，其覆盖所述层结构中的开口或空腔，所述膜片元件(531)的偏移借助膜片元件(531)的连接区域中的至少一个压敏电路元件(58)来感测，提出应能够在所述膜片元件偏移时符合目的地影响膜片面上的应力分布的设计措施。尤其提出将所述机械应力符合目的地传导到膜片元件的预先给定区域中的措施，以便增强测量信号。为此，所述膜片元件(531)应包括至少一个预定弯曲区域(55)，其通过所述膜片元件(531)的结构化(571)限定并且在声作用下与邻接的膜片区段(56)相比更强烈地变形。

公开(公告)号：CN105993207A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201480062511.4

申请日：2014-09-11

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔兰 ,  R·艾伦普福特 ,  C·舍林

IPC: H05K1/18

Abstract: 本发明提出了一些措施，通过它们，麦克风结构元件的背部容积可以与其封装无关地被实现。为此，在麦克风模块(100)的范畴内，使用用于至少一个麦克风构件(20)的第2级装配的电路板(10)，在该电路板的表面中构造有至少一个衔接开口(12)，所述衔接开口通到电路板(10)的层结构中的空腔(11)中。此外，具有衔接开口(12)的电路板表面配置成用于麦克风构件(20)在衔接开口(12)上方的密封装配，使得麦克风构件(20)经由电路板表面中的连接开口(12)在声学上衔接到电路板(10)中的空腔(11)上并且该空腔(11)起用于麦克风构件(20)的背侧容积的功能。

公开(公告)号：CN103546845A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310478347.2

申请日：2013-07-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔林 ,  R·艾伦普福特 ,  J·格拉夫 ,  C·谢林 ,  F·安特 ,  M·库尔契奇

IPC: H04R7/02

CPC classification number: B81B3/0021 ,  H04R19/005 ,  H04R19/016

Abstract: 本发明涉及具有微机械传声器结构的构件。提出用于改进传声器构件的传声器灵敏性和传声器信号的线性行为的措施，该措施还有助于提高构件的牢固性。构件(10)的微机械传声器结构以层结构方式实现在半导体衬底(1)上并且包括：声学上起作用的膜片(11)，该膜片至少部分地跨越衬底背侧中的声孔(14)并且设有传声器电容器组件的至少一个可运动的电极；以及固定的、可透声的、具有贯通孔(16)的对应元件(15)，该对应元件以层结构方式布置在膜片(11)上方并且作为用于传声器电容器组件的至少一个不可运动的电极起作用。根据本发明，膜片(11)在中心区域(121)中连接到半导体衬底(1)上。膜片(11)还至少区域式地具有瓦楞板形的褶皱(13)。

公开(公告)号：CN102685657A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210131103.2

申请日：2012-03-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔兰 ,  R·艾伦普福特 ,  U·肖尔茨

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B7/0061 ,  B81B2207/095 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS构件(1)的基于晶片级的封装方案，所述MEMS构件具有至少一个构造在构件前侧中的膜片结构(2)，其中，与所述MEMS构件(1)的前侧连接有内插件(5)，所述内插件具有至少一个通孔(7)作为通向所述MEMS构件(1)的膜片结构(2)的通道开口，并且设有电敷镀通孔(8)，从而所述MEMS构件(1)可通过所述内插件(5)电接通。根据本发明，所述内插件(5)中的所述至少一个通孔(7)的横截面积比所述MEMS构件(1)的横向延展小得多。所述至少一个通孔(7)通到所述膜片结构(2)与所述内插件(5)之间的空腔(6)中。

公开(公告)号：CN101752357A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253498.1

申请日：2009-12-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： R·艾伦普福特

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L23/02

CPC classification number: B81B7/0054 ,  B81B2207/012 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种用于封装半导体元件的无引线封装件或无引脚封装件，其特征在于，所述无引线封装件具有至少两个半导体元件，所述半导体元件这样地设置所述无引线封装件的引线框的连接区域上，使得在半导体元件出现变形时，所述半导体元件的变形至少部分地或基本上完全地相互补偿。