公开(公告)号：CN104425596A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310374023.4

申请日：2013-08-23

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 肖胜安

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0603 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/68

摘要： 本发明公开了一种超级结器件，电流流动区包括多个交替排列的N型薄层和P型薄层，N型薄层都包括中间的高电阻率部分和两侧的低电阻率部分，N型薄层和P型薄层的电荷不平衡，N型薄层的低电阻率部分和P型薄层的电荷平衡；P型薄层不能对高电阻率部分进行完全横向耗尽，随着反向偏压的增加N型薄层顶部的P阱对N型薄层的高电阻率部分进行逐渐扩展的纵向耗尽。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向恢复特性，且比导通电阻较低。

公开(公告)号：CN104247024A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380013907.5

申请日：2013-03-14

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 今井文一

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/872

摘要： 在通过在碳化硅基板(1)沉积低浓度n型漂移层(2)而成的半导体基板的前表面上形成有与半导体基板形成肖特基接触的第一前表面金属层(11)。第一前表面金属层(11)的外周端部在覆盖边缘部的层间绝缘膜(6)上延伸。在该第一前表面金属层(11)上形成构成前表面电极的第二前表面金属层(12)，在通过干刻形成其一部分时，利用第二前表面金属层(12)完全覆盖成为肖特基接触金属的第一前表面金属层(11)。由此，在用于形成第二前表面金属层(12)的图案化工序中能防止蚀刻残留物，从而能提供可靠性较高的前表面电极结构以及半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN107895737A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201711234638.1

申请日：2017-11-30

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 石磊

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1037 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66227

摘要： 本发明公开了一种沟槽栅功率晶体管，沟槽栅包括：形成于沟槽内侧表面的栅氧化层，形成于栅氧化层表面的第一多晶硅层，位于沟槽的底部的第一多晶硅层被去除并在第一多晶硅层被去除的沟槽底部区域自对准形成有第二氧化层；第二多晶硅层沟槽完全填充。本发明还公开了一种沟槽栅功率晶体管的制造方法。本发明的沟槽的底部的第二氧化层和栅氧化层的叠加结构能降低沟槽栅功率晶体管的反向转移电容并同时能提高器件的击穿电压；本发明能实现多晶硅栅从顶部到底部都是通过栅氧化层来覆盖沟槽的侧面，从而能保证沟槽栅功率晶体管具有较低导通电阻，最后能改善器件性能，本发明还具有较低工艺成本。

公开(公告)号：CN107204311A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201610150107.3

申请日：2016-03-16

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/16 ,  H01L29/201 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/823807 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/16 ,  H01L29/201

摘要： 在本发明提供的纳米线半导体器件及其制造方法中，通过在PMOS有源区和NMOS有源区上分别形成高空穴迁移率的第一纳米线和高电子迁移率的第二纳米线，从而提高纳米线半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN106876276A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710003975.3

申请日：2017-01-04

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈晨

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66227

摘要： 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS器件的制作方法，步骤包括：1)在硅衬底上通过刻蚀形成沟槽；2)在沟槽内生长沟槽层接膜；3)在沟槽内生长多晶硅，并反刻蚀，形成源极多晶硅；4)去除部分沟槽层接膜，使沟槽层接膜的高度低于源极多晶硅的高度；5)生长厚度为的薄氧化层；6)淀积氮化硅；7)生长栅极多晶硅，并反刻蚀至硅衬底表面；8)进行基极注入、源级注入，淀积层间介质层，刻蚀接触孔，制作金属和钝化层，完成器件的制作。本发明通过优化栅氧和介质层的膜质结构，通过薄栅氧+氮化硅的组合，提高了栅氧的质量，从而提高了器件的耐压性能和可靠性，满足了两层多晶硅间的漏电要求。

公开(公告)号：CN106384716A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610911436.5

申请日：2016-10-19

申请人： 哈尔滨工业大学

发明人： 刘超铭 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  马国亮

IPC分类号： H01L21/328 ,  H01L21/263 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/30 ,  H01L29/66227

摘要： 一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域，具体涉及抗辐照双极器件。所述方法包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。本发明在现有的双极器件制备工艺基础上，通过控制双极器件内部的氢含量，在相同的辐照剂量条件下，可大大降低双极器件的复合漏电流，降低双极器件的电流增益损伤程度，达到提高双极器件抗辐照能力的目的。本发明适用于抗辐照加固双极器件。

公开(公告)号：CN106024906A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610565661.8

申请日：2016-07-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

发明人： 裴晓光 ,  赵海生 ,  肖红玺 ,  蒋会刚 ,  肖志莲 ,  刘冲 ,  林子锦

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66227

摘要： 本申请提供一种薄膜晶体管、显示基板以及液晶显示装置，以提高薄膜晶体管的开启电流，降低薄膜晶体管的关闭电流。本申请提供的薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底基板之上的栅极、栅极绝缘层和有源层，还包括：设置于所述有源层之上的源极，以及设置于所述栅极绝缘层与所述有源层之间的漏极。

公开(公告)号：CN105742271A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510998958.9

申请日：2015-12-28

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： J·辛格

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L28/20 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/76 ,  H01L29/785 ,  H01L23/647 ,  H01L23/5256

摘要： 本发明涉及一种具有上覆柵极结构的基板电阻器。一种电阻器装置，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个柵极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一柵极结构，该第一柵极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一柵极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻。

公开(公告)号：CN104183626A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410411626.1

申请日：2014-08-20

申请人： 佛山芯光半导体有限公司

发明人： 谢刚 ,  何志

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/66227

摘要： 一种超结半导体器件的终端结构，其包括：一种导电类型的半导体基板，在所述半导体基板之上的同种或另一种导电类型的外延半导体层，在所述外延半导体层的终端区具有的多条深度渐变的、与外延半导体层导电类型相异的连续柱状半导体掺杂区域，或多条深度渐变的由若干与外延半导体层导电类型相异的独立球状半导体掺杂区域组成的列。一种制造超结半导体器件终端结构的方法，其包括：在第二次生长和之后若干次生长的外延半导体层表面，通过图案化的抗腐蚀掩膜，对终端区进行选择性离子注入，通过高温驱入，在终端区形成多条连续柱状第二导电类型或第一导电类型半导体掺杂区域，或多条由若干个独立球状第二导电类型或第一导电类型半导体掺杂区域组成的列。根据本发明的超结半导体器件的终端结构及其制造方法，其能有效地提高终端区的耐压能力和可靠性而无需大幅增加制造步骤。

公开(公告)号：CN1507660A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02809313.5

申请日：2002-03-04

申请人： 康涅狄格州大学

发明人： G·W·泰勒

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L21/338 ,  H01L21/331

CPC分类号： B82Y20/00 ,  G02B6/28 ,  G02B6/2821 ,  G02F1/025 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66227 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7783 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/10 ,  H01L31/1113

摘要： 用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底(149)上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与PHEMT的调制掺杂相反的被轻掺杂层分隔开的二个相同极性的平面掺杂层。此组合被不掺杂的材料分隔于PHEMT调制掺杂。电荷层薄而重掺杂。顶部电荷层(168)得到了低的栅接触电阻，且底部电荷层(153)确定了相对于PHEMT调制掺杂层的场效应晶体管(FET)电容。对于其它的晶体管，仅仅加入了一个额外的层。