公开(公告)号：CN103594543A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310500099.7

申请日：2013-10-22

申请人： 溧阳市东大技术转移中心有限公司

发明人： 丛国芳

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/077 ,  H01L31/035254

摘要： 本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P型半导体层由非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔形成，所述非晶硅材料层与非晶碳材料层的宽度相等，厚度相同；非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高光伏电池的电特性与产生空穴。

公开(公告)号：CN102047439B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200880129553.X

申请日：2008-10-30

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 西宫立亨 ,  真岛浩 ,  宫原弘臣 ,  川村启介 ,  中野要治

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。

公开(公告)号：CN101999174B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200980112942.6

申请日：2009-06-03

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/4587 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。

公开(公告)号：CN103151396A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210011805.7

申请日：2012-01-04

申请人： 联相光电股份有限公司

发明人： 李佳霖 ,  毕建中

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/035272 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板以及半导体层。半导体层包含P型晶硅层、第一I型晶硅层、第一N型晶硅层、第二I型晶硅层以及第二N型晶硅层。P型晶硅层是位于基板上；第一I型晶硅层是位于P型晶硅层上；第一N型晶硅层是位于第一I型晶硅层上；第二I型晶硅层是位于第一N型晶硅层上；以及第二N型晶硅层是位于第二I型晶硅层上。其中，通过在半导体层内增设第二I型晶硅层及第二N型晶硅层，以提升薄膜太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102630344A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053857.X

申请日：2010-11-17

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松田高一

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/78603 ,  C23C14/083 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/4908 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/52

摘要： 为了解决在等离子体CVD法的膜生成的初始阶段中，难以形成结晶度优异的硅层的问题，提供一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极，其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起按照所描述的顺序在基板上形成的；所述氧化钛层和所述结晶硅层被形成为相互接触。

公开(公告)号：CN101447516B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810178488.1

申请日：2008-12-01

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 木下敏宏

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02245 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明的目的在于提供一种抑制贯通孔的内壁面与贯通孔电极之间短路的发生的太阳能电池和太阳能电池的制造方法。包括对贯通孔的内壁面进行各向异性蚀刻的第一蚀刻工序、和对受光面进行各向异性蚀刻的第二蚀刻工序，在第一蚀刻工序中使用高浓度NaOH液(约5重量％)，在第二蚀刻工序中使用低浓度NaOH液(约1.5重量％)。

公开(公告)号：CN102484166A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200980161280.1

申请日：2009-09-07

申请人： 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)

发明人： J.迈尔 ,  M.布朗纳 ,  M.库皮希 ,  T.罗舍克 ,  H.戈德巴赫

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 在制造光伏电池的框架中，将硅化合物层(3)沉积到结构(1)上。将还未未覆盖的表面(3a)在预定的含氧(O2)气氛中处理，其另外地包含掺杂剂(D)。由此，将该硅化合物层在薄表面区域(5)中进行氧化和掺杂。

公开(公告)号：CN101221993B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810002972.9

申请日：2008-01-11

申请人： 通用电气公司

发明人： B·A·科里瓦尔 ,  L·察卡拉科斯 ,  J·鲍尔奇

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/948 ,  Y10S977/954

摘要： 包含衬底(102)和设置在衬底(102)表面上的纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。该器件(100)还包含共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)。一层或多层共形层是光生伏打器件的至少一部分。制造光生伏打器件(100)的方法包括在衬底(102)表面上产生纳米壁(101)结构和在纳米壁(101)结构上共形地沉积至少一层(103)，以形成至少一个光活性结。太阳能电池板包含至少一个基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。太阳能电池板把这些器件(100)与其周围的大气环境隔开并能产生电力。光电子器件还可加进基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。

公开(公告)号：CN1763977B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200510118118.5

申请日：2005-10-20

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 中野要治 ,  山下信树

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/077 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。

公开(公告)号：CN101771098B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010109509.1

申请日：2006-09-29

申请人： 夏普株式会社

发明人： 岸本克史

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 公开了一种硅基薄膜光电转换装置的制造方法，其特征在于：通过在同一等离子体CVD膜沉积室中，在形成于基板(1)上的透明导电膜(2)上顺序地形成第一p型半导体层(11)、i型非晶硅基光电转换层(12)、第一n型半导体层(13)、第二p型半导体层(21)、i型微晶硅基光电转换层(22)、和第二n型半导体层(23)而形成双pin结构堆叠体(30)，所述第一p型半导体层(11)、所述i型非晶硅基光电转换层(12)、和所述第一n型半导体层(13)在200-3000Pa的等离子体CVD膜沉积室中的膜形成压力和0.01-0.3W/cm2的单位电极面积的功率密度下形成。通过该方法，可以使用简化的生产设备以低成本和高效率制造具有好质量和高光电转换效率的硅基薄膜光电转换装置。