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公开(公告)号：CN108711579A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810311648.9
申请日：2014-12-12
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
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公开(公告)号：CN107026218A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710054307.3
申请日：2017-01-24
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/324
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/0236 , H01L31/024 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/105 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/186 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/324
摘要： 根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
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公开(公告)号：CN103503158B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201280014082.4
申请日：2012-03-22
申请人： 赛腾高新技术公司
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035254 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L21/26 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/035245 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/036 , H01L31/0376 , H01L31/03762 , H01L31/03845 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明的目的是降低并且优选地消除载流子收集界限效应，以便显著提高转换效率。这一改进通过对非晶态层厚度进行适当的调整而实现，或者通过非连续性地分隔非晶态化粒子束或者非晶态化纳米级球状来实现。
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公开(公告)号：CN106887384A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610918606.2
申请日：2013-03-29
申请人： 帝人株式会社
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/0257 , H01L21/02436 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0259 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02694 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/2257 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/78666 , H01L29/78696 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , H01L31/208 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序：(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上，形成硅粒子分散体层1的工序；(b)将硅粒子分散体层1干燥，形成未烧结硅粒子层2的工序；(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序；以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光，使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结，由此形成烧结硅粒子层5的工序。
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公开(公告)号：CN106340440A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510458017.6
申请日：2015-07-30
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/14689 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/208 , H01L21/02365 , H01L21/02656 , H01L21/02669 , H01L21/324
摘要： 本发明公开一种半导体元件的制造方法，包括下列步骤。提供基底，基底包括隔离区和元件区。对基底进行全面性预非晶化处理以形成非晶化区，其中非晶化区的深度全面性地深于隔离区及元件区的至少一者的深度，且非晶化区涵盖隔离区及元件区的至少一者。对非晶化区进行热处理。
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公开(公告)号：CN106233470A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480078016.2
申请日：2014-12-18
申请人： 韩国能源研究技术研究所
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/208 , H01L31/032 , H01L31/04 , Y02E10/52
摘要： 本发明提供薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法，上述太阳能电池透明电极的制备方法包括：Ib族元素-VIa族元素二元体系纳米粒子制备步骤(s100)；向上述Ib族元素-VIa族元素二元体系纳米粒子添加包含溶剂和粘结剂及Va族元素的溶液前体来制备Ib族元素-VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s200)；上述Ib族元素-VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的分散及混合步骤(s300)；在上述后部面电极层涂敷上述Ib族元素-VIa族元素的二元体系纳米粒子浆料的步骤(s400)；以及向上述涂敷的纳米粒子浆料供给VIa族元素并进行热处理的步骤(s500)。
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公开(公告)号：CN105990462A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510088404.5
申请日：2015-02-26
申请人： 新日光能源科技股份有限公司
发明人： 简怡峻
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/20
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/072 , H01L31/02167 , H01L31/208
摘要： 一异质结太阳能电池包含掺杂型半导体基板、第一非晶半导体缓冲层、第一非晶半导体层、第二非晶半导体缓冲层、第二非晶半导体层、边缘保护层、第一透明导电层及第二透明导电层。第一非晶半导体缓冲层包覆掺杂型半导体基板的第一表面与侧壁。第一非晶半导体层包覆第一非晶半导体缓冲层。第二非晶半导体缓冲层包覆第二表面。第二非晶半导体层包覆第二非晶半导体缓冲层。边缘保护层包覆第一非晶半导体层的边缘。第一透明导电层包覆第一非晶半导体层。第二透明导电层包覆于第二非晶半导体层。
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公开(公告)号：CN105794004A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480056606.5
申请日：2014-12-12
申请人： 太阳能公司
IPC分类号： H01L31/049
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/202 , H01L31/208 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
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公开(公告)号：CN102668106B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080046469.9
申请日：2010-10-14
申请人： 埃尔塔设备公司
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/054
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/056 , H01L31/0693 , H01L31/18 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1852 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02E10/52 , Y02E10/544
摘要： 本发明的实施方案一般来说涉及用作太阳能装置或其它电子装置的薄膜的装置制造，且包含用于太阳能应用中的具有特定结构的背反射物。在一个实施方案中，一种用于形成具有特定结构的金属背反射物的方法，所述方法包括：将金属层沉积在薄膜堆叠内的砷化镓材料上；在退火工艺期间从所述金属层形成金属岛的阵列；从所述砷化镓材料去除或蚀刻材料以在所述金属岛之间形成孔隙；以及沉积金属反射物层以填充所述孔隙并且覆盖所述金属岛。在另一个实施方案中，一种具有特定结构的金属背反射物包含：金属岛的阵列，其设置在砷化镓材料上；多个孔隙，其设置在所述金属岛之间并且延伸进入所述砷化镓材料；金属反射物层，其设置在所述金属岛上方；以及多个反射物突出体，其在所述金属岛之间形成并且从所述金属反射物层延伸且进入在所述砷化镓材料中形成的所述孔隙。
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公开(公告)号：CN103959548A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201180074825.2
申请日：2011-11-14
申请人： 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
IPC分类号： H01M10/42
CPC分类号： H01M10/42 , H01L31/186 , H01L31/208 , H01M10/4242 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10T29/53135 , H01M2/34 , H01M10/425 , H01M10/482
摘要： 本发明提供一种片状电池的修理装置，其能够对具有半导体特性的片状电池的缺陷进行适当地修复并将其无害化。修理装置是对蓄电层被正电极以及负电极的层夹着的、至少蓄电层具有半导体特性的片状电池进行修理的修理装置。修理装置具有在正电极以及负电极之间施加电刺激的电刺激源、在电刺激的施加时对片状电池的电特性进行测量的电特性测量单元以及一边参酌测量到的电特性，一边指示电刺激源的电刺激值的控制单元。
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