金属化系统
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1188908C

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN98119187.8

    申请日:1998-09-15

    申请人: 西门子公司

    IPC分类号: H01L21/768 H01L23/532

    摘要: 一种有复合介质层的多层集成电路金属化系统,包括金刚石或蓝宝石层。在半导体衬底上配置多层构图的金属化层。复合介质层配置在一对金属化层间。复合介质层包括金刚石或蓝宝石层。金刚石或蓝宝石层配置在构图的金属化层之一表面上。导电通路穿过复合层,且其一端与金刚石或蓝宝石层接触。构图的金刚石或蓝宝石层,在第二金属化层淀积中构成掩模。下一层金属化层的引线将直接淀积到在金属刻蚀工艺中将用作刻蚀中止的金刚石或蓝宝石层上边。