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公开(公告)号：CN101345527B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810116352.8
申请日：2008-07-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在一起，作为共同的DL端；每个CeRAM单元的BL端相互独立；DL端连接到镜像电流源的Iin端。相比于传统的数模变换器，本发明结构简单，转换速度快，在转换信号位数较多时此种优势更加明显。同时本发明应用了新型的TMO材料和CeRAM单元，在国内外均属于新颖且空白的领域，有利于占据前沿技术中的领先地位。
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公开(公告)号：CN101621286A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910151268.4
申请日：2009-07-01
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
发明人： 谢鸿元
CPC分类号： H03J3/20 , H03J1/0008 , H03J2200/10
摘要： 本发明揭露了一种调谐电路与其方法。该调谐电路包含有多个调谐单元，该些调谐单元以阵列的方式设置形成一矩阵结构。其中每该调谐单元包含有一调谐元件与一存储单元。调谐元件依据存储单元储存的逻辑值来控制该调谐单元的输出。
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公开(公告)号：CN101393768A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201661.5
申请日：2008-10-23
申请人： 复旦大学
摘要： 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏置；(3)该电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换后，取消所述电信号偏置。本发明提供的激活操作方法具有低电压操作的特点，可以使电阻存储器的驱动电路中不需要电荷泵电路来产生额外的高压，并能避免因激活操作的电压过高而引起存储介质击穿、失去存储性能等问题。
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公开(公告)号：CN101330093A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810125333.1
申请日：2008-06-20
申请人： 株式会社船井电机新应用技术研究所 , 船井电机株式会社
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L45/04 , H01L45/124
摘要： 本发明公开了一种存储元件阵列，包括排列成阵列的多个存储元件，其中所述存储元件是开关元件，每个开关元件包括纳米量级的间隙，其中通过在电极之间施加预定电压来产生电阻的开关现象，并且所述存储元件阵列设置有隧道元件，所述隧道元件分别串联连接所述开关元件，在施加所述预定电压时，每个所述隧道元件防止产生流向另一开关元件的潜通路电流。利用本发明，仅仅通过设置隧道元件这样的简单配置，就能够实现读取、写入以及删除数据的简化，并且能够提高开关元件的开关操作的稳定性，以及提高存储元件阵列的集成度。
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公开(公告)号：CN100386820C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200310115607.6
申请日：2003-11-10
申请人： 夏普株式会社
发明人： 田尻雅之
IPC分类号： G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L28/20 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/147
摘要： 本发明提供一种非易失性可变电阻器，非易失性可变电阻器的定标方法，以及使用非易失性可变电阻器的存储器件。本发明的非易失性可变电阻器具有在进行定标以减小平面上的投影面积的情况下抑制电阻增加的结构。所述非易失性可变电阻器包括：彼此面对并形成在衬底上的第一电极和第二电极；和形成在第一电极和第二电极之间的非易失性可变电阻主体，其特征在于第一电极是圆柱形或棱形，非易失性可变电阻主体形成在第一电极的外表面上，第二电极形成在非易失性可变电阻主体的外表面上，第一电极和第二电极在衬底表面的方向彼此面对。
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公开(公告)号：CN1722302A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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公开(公告)号：CN1688038A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510016722.7
申请日：2005-04-18
申请人： 中国科学院长春应用化学研究所
摘要： 本发明属于一种有机存储器及其制造方法，涉及一种单层有机存储器及其制造方法。采用夹层结构，把有机薄膜NPB或染料掺杂的NPB夹在两个交叉的电极之间，其中一个电极为金属Ag电极。当在两个电极之间加电压，器件就会从一个状态开关到另一个状态，这样，通过改变电压，存储的信息就能够被读、写和擦掉，这个存储过程与所选有机材料和Ag电极密切相关。这种单层有机存储器具有制造工艺简单，成本低，体积小，存储容量大，功耗低，读写快，稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN1543652A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01823537.9
申请日：2001-08-13
申请人： 先进微装置公司
IPC分类号： G11C11/21
CPC分类号： G11C13/0064 , B82Y10/00 , G11C11/34 , G11C11/5664 , G11C13/0009 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/52 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/28 , H01L27/285 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0041 , H01L51/0042 , H01L51/0051 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0094 , H01L51/0595
摘要： 发明涉及计算机工程领域并可用于不同种类计算机的存储器装置中，也可用于发展新世代的影像与声音设备，用于发展关联存储器系统，以及生成用于类神经网络之突触(synapses)(具有可编程的电子阻抗的电子电路组件)。本发明的存储器单元可提供存储数个数据位并具有高速切换。所述存储器单元包含二个连续的铝电极1与2，介于该铝电极1与2之间具有由作用层3、阻障层4以及被动层5所构成之多层功能区域。
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公开(公告)号：CN1288236A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00133114.0
申请日：2000-09-14
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
发明人： P·佩赫米勒
摘要： 存储单元(MC)设置在字线(WLi)和位线(BL,/BL)交叉点上。包括设置在至少一个第一基准字线(RWL1,RWL1’)和位线(BL,/BL)交叉点上的第一基准单元(RC1),并且该基准单元在正常工作方式下在阅读所述存储单元(MC)前用于在所述位线中产生一个基准电位。还包括设置在至少一个第二基准字线(RWL2,RWL2’,RWL3)和位线(BL,/BL)交叉点上的第二基准单元(RC2,RC3),并且该基准单元在校验工作方式下在阅读所述第一基准单元(RC1)前用于在所述位线中产生一个基准电位。
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