公开(公告)号：CN105723499A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062114.7

申请日：2014-09-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 滨田宪治 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L21/322 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/744 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。本发明在基板(11)上形成漂移层(12)。另外，在漂移层表面形成离子注入层(13)。另外，在漂移层内形成剩余碳区域(31)。另外，对漂移层进行加热。在形成剩余碳区域的情况下，在比离子注入层和漂移层的界面深的区域中形成剩余碳区域。在对漂移层进行加热的情况下，激活离子注入层的杂质离子而形成激活层(113)，使晶格间碳原子扩散到激活层侧。

公开(公告)号：CN103828056A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201180073630.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  末川英介 ,  油谷直毅 ,  日野史郎 ,  三浦成久 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802

Abstract: 在碳化硅半导体装置的MOSFET中，同时实现源极区域的低电阻化和栅极氧化膜的漏电流的降低。在MOSFET的栅极氧化膜（6）中产生的漏电流，通过使源极区域（4）和栅极氧化膜（6）的界面的粗糙部减小而受到抑制。在提高源极区域（4）的表面部分的杂质浓度的情况下，栅极氧化膜（6）通过干式氧化或CVD法而形成。在栅极氧化膜（6）通过湿式氧化形成的情况下，将源极区域（4）的表面部分的杂质浓度抑制得较低。

公开(公告)号：CN103098198A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180042203.1

申请日：2011-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木之内伸一 ,  中武浩 ,  海老池勇史 ,  古川彰彦 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/822 ,  G01K7/01 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。

公开(公告)号：CN102947934A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201080067692.1

申请日：2010-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川彰彦 ,  香川泰宏 ,  三浦成久 ,  日野史郎 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  今泉昌之

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/0485 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7815

Abstract: 在具备感测焊盘的进行高速转换的功率半导体器件中，由于在进行转换时流过位移电流并与该电流通路的阻抗相互作用，而在感测焊盘下部的阱区产生高电压，有时由于高电压而导致如栅绝缘膜那样的薄的绝缘膜被介质击穿从而破坏功率半导体器件。本发明的功率半导体器件具备设置在感测焊盘下部的阱区之上、并贯通比栅绝缘膜厚的场绝缘膜来与源极焊盘连接的感测焊盘阱接触孔，因此能够提高可靠性。

公开(公告)号：CN101366105B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200680052573.2

申请日：2006-11-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  藤平景子 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其的目的在于恰当地决定场缓和区的杂质浓度分布并降低通态电阻。为了实现上述目的，该半导体装置具备：基板(1)、第1漂移层(2)、第2漂移层(3)、第1阱区(4a)、第2阱区(4b)、电流控制区(15)以及电场缓和区(8)。第1阱区(4a)，毗连第2漂移层(3)的与外周附近邻接的端部以及外周附近的下方的第1漂移层(2)而配置。电场缓和区(8)与第1阱区(4a)邻接地配置于第1漂移层(2)上。

公开(公告)号：CN101258608A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200680032886.1

申请日：2006-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  大塚健一 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在使用SiC基板的半导体装置中，JTE层几乎不会受到固定电荷的影响，可取得稳定的绝缘击穿耐压。本发明的第一方式的半导体装置具备：SiC外延层(2)，其具有n型导电性；杂质层(3)，其形成在SiC外延层(2)的表面内，并具有p型导电性；以及JTE层(5)，其与杂质层(3)邻接地形成，并具有p型导电性，且杂质浓度低于杂质层(3)。此处，JTE层(5)形成在从SiC外延层(2)的上表面隔开预定的距离的位置，JTE层(5)的上方形成有具有n型导电性的SiC区域(10)。

公开(公告)号：CN102859654B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201180020657.9

申请日：2011-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 富田信之 ,  浜野健一 ,  多留谷政良 ,  三谷阳一郎 ,  黑岩丈晴 ,  今泉昌之 ,  炭谷博昭 ,  大塚健一 ,  古庄智明 ,  泽田隆夫 ,  阿部雄次

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供表面平坦性极其良好且在外延生长后表现的胡萝卜缺陷及三角缺陷显著低密度的碳化硅外延晶片的制造方法。通过如下制造碳化硅外延晶片，即，第一工序，将与 面的倾斜角比5度更小的碳化硅块状衬底在还原性气体气氛中，在第一温度T1及处理时间t的条件下进行退火；第二工序，在还原性气体气氛中降低衬底温度；第三工序，以比第一工序中的退火温度T1更低的第二温度T2下供给至少包含硅原子的气体和包含碳原子的气体进行外延生长。

公开(公告)号：CN104969357A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480007472.8

申请日：2014-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 香川泰宏 ,  田中梨菜 ,  福井裕 ,  三浦成久 ,  阿部雄次 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/0259 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供能够缓和栅极绝缘膜的电场并且抑制导通电阻的增大的绝缘栅型碳化硅半导体装置及其制造方法。其特征在于，具备：在主面是设置了大于0°的偏离角的{0001}面4H型的碳化硅基板1上的第1导电类型的漂移层(2a)、在漂移层(2a)的表层侧的第2导电类型的第1基区(3)、第1导电类型的源极区域(4)、沟槽(5)、在沟槽侧壁处的栅极绝缘膜(6)、与沟槽(5)的底部相接地设置在漂移层(2a)内的第2导电类型的保护扩散层(13)、以及为了将保护扩散层(13)与第1基区(13)连接而与沟槽侧壁的多个面中的一面的至少一部分相接地设置了的第2导电类型的第2基区(14)，第2基区(14)相接的沟槽侧壁面是对与 方向平行的面朝向 方向附加大于0°的沟槽偏离角而得到的面。

公开(公告)号：CN103098198B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180042203.1

申请日：2011-08-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木之内伸一 ,  中武浩 ,  海老池勇史 ,  古川彰彦 ,  今泉昌之

IPC: H01L21/822 ,  G01K7/01 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/01 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7828 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够迅速并且正确地检测与内置的半导体晶体管的温度相关的信息的半导体装置。在本发明中，MOSFET（1）具有多个单元，具有：主单元群（2），包括多个单元中的、用于对负载供给电流的单元；以及传感单元群（3），包括用于检测与MOSFET（1）的温度相关的温度信息的单元。对于主单元群（2）和传感单元群（3），表示相对温度的变化的电气特性的变化的温度特性不同。温度检测电路（10）例如根据主单元群（2）中流过的主电流的值和传感单元群（3）中流过的传感电流的值，检测MOSFET（1）的温度。

公开(公告)号：CN104425574A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410432842.4

申请日：2014-08-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  今泉昌之 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606

Abstract: 由于在肖特基电极的外周端处存在的前端尖锐形状的蚀刻残渣，易于在SBD高频开关动作时由于位移电流而在上述残渣部处引起电场集中。本发明的碳化硅半导体装置具有：第1导电型的漂移层(1b)；在漂移层(1b)中形成的第2导电型的保护环区域(2)；以将保护环区域(2)包围的方式形成的场绝缘膜(3)；肖特基电极(4)，其以在保护环区域(2)的内侧将在表面露出的漂移层(1b)和保护环区域(2)覆盖的方式形成，其外周端存在于场绝缘膜(3)上；以及在肖特基电极(4)上形成的表面电极焊盘(5)，表面电极焊盘(5)的外周端越过肖特基电极(4)的外周端而与所述场绝缘膜(3)接触。