公开(公告)号：CN101163540B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200580047233.6

申请日：2005-10-19

申请人： 莫门蒂夫功能性材料公司

发明人： 马克·菲利普·D'伊夫林 ,  罗伯特·阿瑟·吉丁斯 ,  弗雷德·谢里菲 ,  苏贝赫拉吉特·戴伊 ,  洪慧从 ,  约瑟夫·亚历山大·卡普 ,  阿肖克·库马尔·哈雷

IPC分类号： B01J3/00 ,  B01J3/04

CPC分类号： B01J3/008 ,  B01J3/002 ,  B01J3/03 ,  B01J3/046 ,  B01J3/06 ,  B01J2203/0665 ,  B01J2203/068 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00162 ,  Y02P20/544 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092

摘要： 公开了用于在超临界流体中处理材料的装置和方法。所述装置包括：封壳，构造为包含超临界流体；高强度壳体，其围绕所述封壳设置；以及感测器，其构造为感测封壳的内部和外部之间的压力差。所述装置还包括压力控制设备，其构造为响应由感测器感测到的压力差，调节封壳的压力差。所述装置进一步包括至少一个分隔结构，所述分隔结构设置在封壳中，以将封壳分隔成籽晶成长腔室和养料腔室。

公开(公告)号：CN101522961A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780035269.1

申请日：2007-09-21

申请人： 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

发明人： V·塔塔拉切科 ,  C·D·琼斯 ,  S·A·扎内拉 ,  J·W·洛切 ,  F·普拉纳迪

IPC分类号： C30B15/34 ,  C30B29/20

CPC分类号： C30B15/206 ,  C30B15/14 ,  C30B15/34 ,  C30B29/20 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/23986

摘要： 本发明揭示了一种用来制备C－平面单晶蓝宝石的方法和设备。所述方法和设备可以使用边缘限制的膜进料生长技术来制备具有低多晶性和/或低位错密度的单晶材料。

公开(公告)号：CN101522960A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036545.6

申请日：2007-09-26

申请人： BP北美公司

发明人： 罗杰·F·克拉克

IPC分类号： C30B15/06 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/14 ,  C30B15/007 ,  C30B15/06 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/102 ,  Y10T117/1048 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1092

摘要： 一种用于从液体进料材料例如硅的熔体池连续地生产晶体带状物的设备和方法。使硅熔化并且流入生长托盘中以提供液体硅的熔体池。通过允许热从熔体池向上流经烟囱状物而被动地除热。在经过烟囱状物发生热损失时，同时对生长托盘加热以保持硅处于它的液相。当经过烟囱状物损失热时，模板被设置成与熔体池接触，从而硅开始“凝固”(即固化)并且附着到模板上。然后从熔体池提拉模板，由此生产晶体硅的连续带状物。

公开(公告)号：CN101495680A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780023521.7

申请日：2007-06-20

申请人： REC斯坎沃佛股份有限公司

发明人： 鲁内·罗利吉特恩 ,  耶尔特鲁德·里安 ,  施泰因·朱尔斯鲁德

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B35/002 ,  C04B35/591 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/368 ,  C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及用于制造半导体级硅锭料的可重复使用的坩埚，该坩埚由氮化物结合氮化硅(NBSN)制成。该坩埚可通过如下制得：混合氮化硅粉末与硅粉末，形成坩埚生坯，然后在含氮气氛中加热生坯，使得硅粉末氮化而形成NBSN坩埚。该坩埚可通过组装待成为方形截面坩埚的底部(1)和壁部(3，5)的NBSN材料板状元件而得到，任选地通过施用含有硅粉末和任选的氮化硅粒子的糊料来密封结合处，随后在氮气气氛中进行第二次热处理。

公开(公告)号：CN101076618A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580006256.2

申请日：2005-02-25

申请人： 索拉克斯有限公司

发明人： 大卫·L·本德

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/12 ,  C30B15/002 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： 用于单晶硅锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。

公开(公告)号：CN101074488A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710079489.6

申请日：2007-04-11

申请人： 史考特公司

发明人： 马蒂亚斯·米勒 ,  马库斯·芬克拜纳 ,  乌韦·萨赫尔 ,  英戈·施维利希 ,  迈克尔·克劳斯

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  C30B35/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B11/003 ,  C30B35/002 ,  H01L31/04 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/102 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及一种使用垂直梯度凝固法制造单晶或多晶材料、尤其是用于光伏应用的硅的装置和方法。根据本发明实现少量的损耗，这是因为坩埚的横截面为多边形、尤其是长方形或正方形。在坩埚圆周四周安置扁平或平面的加热元件、尤其是夹套加热器，其产生不均匀的温度分布。这与坩埚中心所形成的温度梯度相对应。所述扁平加热元件的热输出从坩埚顶端到底端降低。所述扁平加热元件包含多个平行的加热辐板，所述辐板在垂直或水平蜿蜒路径上延伸。通过改变导体横截面来设定来自所述辐板的热输出。为避免坩埚角落区域中的局部过热，在所述辐板的蜿蜒路径的倒转区处设置横截面的收缩。所述扁平加热元件可由多个互连的个别区段形成。

公开(公告)号：CN1938458A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010595.8

申请日：2005-03-31

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  森勇介

发明人： 森勇介 ,  峯本尚 ,  北冈康夫 ,  木户口勲 ,  川村史朗 ,  佐佐木孝友 ,  高桥康仁

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B9/08

CPC分类号： C30B9/10 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096

摘要： 本发明提供了一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，使用该方法可以提高生长速率，并且在短时间内生长出较大的高质量晶体，还提供其中所用的制造装置以及使用该方法和该装置得到的半导体元件。该方法是一种制造第III族元素氮化物晶体的方法，其包括使含有第III族元素、氮及碱金属和碱土金属中的至少一种的材料溶液在含氮气体的气氛中加压加热，以使材料溶液中的氮和第III族元素相互反应生长晶体的晶体生长过程。该方法还包括在晶体生长过程之前制造材料溶液的材料制造过程，制造方式是在含氮气体的气氛中将环境温度和环境压力的至少之一设置到高于晶体生长过程的条件，从而使氮可以溶解在含有第III族元素及碱金属和碱土金属中的至少一种的熔体中。本发明的方法可使用例如图7所示的制造装置进行。

公开(公告)号：CN103917699B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201280054252.1

申请日：2012-09-03

申请人： 原子能和代替能源委员会

发明人： F.库斯蒂尔 ,  D.卡梅尔 ,  A.儒伊尼 ,  E.皮汉

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/1092

摘要： 坩埚形成装置(10)，用于通过定向固化制造晶体材料，包括底部(2)和至少一个侧壁(4)。底部(2)包括具有第一热阻的第一部分(2a)和具有第二热阻的第二部分(2b)，第二热阻低于第一热阻。第二部分(2b)设计为容放籽晶(3)以制造晶体材料。底部(2)和侧壁(4)至少部分地由紧密密封件(1)形成，紧密密封件(1)包括至少一个参与限定所述第一和第二部分(2a、2b)的缺口。第一部分(2a)由具有附加第一热阻的第一抗粘合层覆盖。第二部分(2b)可由具有附加第二热阻的第二抗粘合层(9b)覆盖，附加第二热阻低于第一热阻。

公开(公告)号：CN103890240B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201280052983.2

申请日：2012-08-31

申请人： 原子能和代替能源委员会

发明人： J-P.加兰德特 ,  A.乔尼 ,  D.佩雷蒂尔

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C30B35/00 ,  C30B28/06 ,  C01B33/02 ,  H01L31/00

CPC分类号： C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B11/008 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B35/00 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092

摘要： 结晶系统包括坩埚(1)以及装置(4)，坩埚(1)设置有旨在容纳要固化的材料的底部(2)和侧壁(3)，装置(4)用于在垂直于坩埚(1)的底部(2)的方向上在坩埚(1)内产生主热梯度。附加感应加热装置(6)设置在坩埚(1)的侧壁(3)面对液态材料而不与固相重叠。该附加感应加热装置(6)构造以加热晶体材料位于液态材料、固化的材料和坩埚(1)之间的三线附近的部分，使得该液态材料和该固化的材料之间的界面(10)在该三线附近形成凸弯月形。

公开(公告)号：CN103774210A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310487288.5

申请日：2013-10-17

申请人： 日立金属株式会社

发明人： 佐佐边博 ,  佐藤薰由 ,  柴田真佐知

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42

CPC分类号： C30B11/006 ,  C30B11/003 ,  C30B11/06 ,  C30B29/42 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明提供一种立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法，通过采用安瓿封入方式，在掺杂Si的GaAs结晶的生长中，在任意的时刻向坩埚内追加B2O3，可以制造能够控制结晶中的Si浓度、且尺寸比现有技术长、长度方向的载流子浓度稳定的掺杂Si的GaAs单晶。在立式晶舟法的结晶制造装置（10）和使用该装置的结晶制造方法中，坩埚（11）中含有作为原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，具备：设置于安瓿（12）内与原料不同位置的追加B2O3（23）、将追加B2O3（23）与原料独立地加热的B2O3追加用加热器（24），在结晶（15）的生长中，利用B2O3追加用加热器（24）控制追加B2O3（23）的温度，使追加B2O3（23）的至少一部分熔融并且供给到坩埚（11）内。