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公开(公告)号：CN104576803A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510030070.6
申请日：2015-01-21
申请人： 中电投西安太阳能电力有限公司
IPC分类号： H01L31/077 , H01L31/054 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/077 , B82Y40/00 , H01L31/0328 , H01L31/052 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1856
摘要： 本发明公开了一种基于GaN纳米线三维结构的太阳能电池及其制备方法。其包括N型硅衬底(6)和背面电极(7)；在N型硅衬底(6)的上表面通过干法刻蚀形成梯形形状；该梯形上依次通过转移形成GaN纳米线绒面层(5)、通过沉积形成本征多晶硅层(4)和P型多晶硅层(3)、通过溅射形成ITO氧化铟锡透明导电薄膜(2)，最终得到三维倒梯形整体结构；该结构顶端采用电子束蒸发形成正面电极(1)。所述GaN纳米线绒面层中每根GaN纳米线直径为50-100nm，长度为10-20μm，该层具有强烈的陷光特性，能够降低硅衬底表面的光反射率。本发明提高了器件对光子的吸收和利用，改善了太阳能电池的转换效率，可用于光伏发电。
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公开(公告)号：CN104505419A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410699068.3
申请日：2014-11-27
申请人： 湖南共创光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/02167 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后，加入了前氢化干燥处理，同时，在完成此过渡层的工艺后，加入了后氢化处理方式，两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过渡层的晶硅及碳化硅薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。
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公开(公告)号：CN104505418A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410699067.9
申请日：2014-11-27
申请人： 湖南共创光伏科技有限公司
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0735 , H01L31/077 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/075 , H01L31/077 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。所述制备方法在硅片完成制绒、抛光和清洗后，加入了前氢化干燥处理，同时，在完成此过渡层的工艺后，加入了后氢化处理方式，两种方法用于改善界面质量和结构的稳定性。采用这种过渡层并采用了前氢化干燥处理和后氢化处理过的具有过渡层的晶硅及锗化硅薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。
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公开(公告)号：CN104409553A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410612819.3
申请日：2014-11-04
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/1864
摘要： 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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公开(公告)号：CN104253172A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410277666.1
申请日：2014-06-19
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/0328 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 本发明涉及混合CZTSSe光伏器件。一种包括第一接触和混合吸收体层的光伏器件。所述混合吸收体层包括硫属化物层和与所述硫属化物层接触的半导体层。在所述吸收体层上形成缓冲层，以及在所述缓冲层上形成透明导电接触层。
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公开(公告)号：CN104037269A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410254559.7
申请日：2014-06-10
申请人： 上海大学
IPC分类号： H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L21/02686 , H01L31/077
摘要： 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。
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公开(公告)号：CN102449775B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201080023680.9
申请日：2010-06-03
申请人： 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/076 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0522 , H01L27/142 , H01L31/028 , H01L31/03046 , H01L31/0392 , H01L31/0475 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/1852 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种半导体基板，具有：含硅的基底基板，和形成在基底基板上，具有露出基底基板表面的开口，用于阻碍结晶生长的阻碍体、和接触被露出于开口内部的基底基板表面，形成在开口内部的光吸收构造体，光吸收构造体具有第1半导体和第2半导体，所述第1半导体包含：第1传导型第1半导体、形成在第1传导型第1半导体的上方，具有与第1传导型第1半导体相反的传导型的第2传导型第1半导体、以及形成在第1传导型第1半导体和第2传导型第1半导体之间，有效载流子浓度比第1传导型第1半导体及第2传导型第1半导体更低的低载流子浓度第1半导体；所述第2半导体包含：与第2传导型第1半导体晶格匹配或准晶格匹配且具有与第2传导型第1半导体相反的传导型的第1传导型第2半导体、以及形成第1传导型第2半导体的上方，具有与第1传导型第2半导体相反的传导型的第2传导型第2半导体、形成在第1传导型第2半导体和第2传导型第2半导体之间且有效载流子浓度比第1传导型第2半导体及第2传导型第2半导体更低的低载流子浓度第2半导体。
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公开(公告)号：CN101755340B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200880025511.1
申请日：2008-12-05
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/028 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。
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公开(公告)号：CN102292828A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005253.8
申请日：2010-02-19
申请人： LG电子株式会社
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/546 , Y02E10/547
摘要： 示出一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体基板；包括晶体部分的第一非晶半导体层；所述半导体基板上的第一电极部分；和所述半导体基板上的第二电极部分。
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公开(公告)号：CN102105991A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128810.2
申请日：2009-10-02
申请人： 三菱重工业株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽泄漏的情况的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成到达顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而将中间接触层(93)分离的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。中间接触层分离槽(14)在顶层(91)的i层内形成终端。
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