公开(公告)号：CN102376614B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201110184582.X

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。本发明涉及要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm‑3μm范围内。

公开(公告)号：CN102376616B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201110204481.4

申请日：2011-07-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  H01L23/28 ,  C08L33/08 ,  C08L33/12 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K7/18 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  C09J163/00 ,  H01L21/561 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16258 ,  H01L2224/16268 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。

公开(公告)号：CN102347263B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110184662.5

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  C09J7/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T428/24959 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括含有依次层压的基材和压敏粘合剂层的切割带，和设置于切割带的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合剂层具有20μm至40μm的厚度。

公开(公告)号：CN105153954A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510557774.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜为卷绕成卷形物的形式。

公开(公告)号：CN102382585B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110212301.7

申请日：2011-07-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G59/621 ,  B32B27/38 ,  C08K3/36 ,  C08L63/00 ,  C09J163/00 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T83/04 ,  Y10T428/31511

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1到8×103(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。

公开(公告)号：CN102382586B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110212304.0

申请日：2011-07-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3164 ,  C09J163/00 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在10GPa-30GPa范围内的在热固化后在25℃下的拉伸贮能弹性模量，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜在热固化后在25℃下的拉伸贮能弹性模量落入其在热固化前在25℃下的拉伸贮能弹性模量的4倍-20倍范围内。

公开(公告)号：CN104093804A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007921.4

申请日：2013-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/30 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/122 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00

Abstract: 本发明的目的在于提供在各种环境下都能够得到稳定的粘接特性和剥离特性、并且能够将对被粘物的污染限制在最小的粘合带。一种粘合带，其为在热塑性树脂薄膜的单面形成有压敏性粘合剂层的粘合带，其中，至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一者中含有亚甲基双脂肪酸酰胺和脂肪酸，且实质上不含作为生成亚甲基双脂肪酸酰胺时的副产物的脂肪酸单酰胺。

公开(公告)号：CN101568611B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200880001164.9

申请日：2008-10-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  浅井文辉 ,  桥本洋邦

IPC: C09J7/02 ,  G01R1/04 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种粘合片，是在基材薄膜上设有粘合剂层的粘合片，其特征在于，所述基材薄膜由导电性纤维形成，在所述粘合剂层和基材薄膜之间形成有电导通路径。由此，即便在贴合有半导体晶片、或通过切割半导体晶片而形成的半导体芯片的状态下，也可以进行电导通检查，可以防止该检查中半导体晶片的变形(翘曲)或破损、背面的瑕疵或划痕的产生。

公开(公告)号：CN103305146A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310078333.1

申请日：2013-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  本田哲士 ,  土生刚志 ,  盛田美希 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种高度差追随性优异的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层，其中，该粘合剂层在70℃下的弹性模量E’与厚度之积为0.7N/mm以下，且该基材层在70℃下的弹性模量E’为1.0MPa以下。通过制成具备这样的基材层和粘合剂层的粘合片，可以提供贴附时与被粘物的密合性提高、高度差追随性优异的粘合片。

公开(公告)号：CN103242751A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310048503.1

申请日：2013-02-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  龟井胜利 ,  生岛伸祐 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C09J123/14 ,  C09J123/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供粘合带，其粘合力和剥离性之间的平衡及高度差追随性优异、且能够通过共挤出成形而制造。本发明的粘合带具备由包含无定形丙烯-（1-丁烯）共聚物的树脂组合物构成的粘合剂层，将该粘合带粘贴于具有30μm高度差的被粘物时，该粘合带在该高度差下部附近浮起，该粘合带不与该被粘物相接触部分的宽度为650μm以下，利用根据JIS Z0237（2000）的方法（贴合条件：2kg辊往复1次、剥离速度：300mm/分钟、剥离角度：180°）测定的、该粘合带对硅制半导体镜面晶圆的粘合力为2.0N/20mm以下。