公开(公告)号：CN109817717A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811257796.3

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴以雯 ,  杨复凯 ,  李振铭 ,  王美匀 ,  李志鸿 ,  卢柏全

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置与其制作方法。在一实施例中，本发明提供半导体装置，其包括第一鳍状结构与第二鳍状结构，各自由基板延伸；第一栅极段位于第一鳍状结构上与第二栅极段位于第二鳍状结构上，且第一栅极段与第二栅极段沿着纵向方向对准；第一隔离结构位于沟槽中，且沟槽在上视图中沿着大致平行于第一鳍状结构与第二鳍状结构的方向，其中第一隔离结构分隔第一栅极段与第二栅极段；第一源极/漏极结构，位于第一鳍状结构上并与第一栅极段相邻；第二源极/漏极结构，位于第二鳍状结构上并与第二栅极段相邻；以及第二隔离结构，也位于沟槽中。第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间隔有第二隔离结构，且第二隔离结构的组成不同于第一隔离结构的组成。

公开(公告)号：CN109817603A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201810995566.0

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王朝勋 ,  尹煜峰 ,  赵高毅 ,  王美匀 ,  张峰瑜 ,  高承远

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/49

Abstract: 导电层形成在金属栅极结构与接触部件之间，上述金属栅极结构包含高介电常数栅极介电层及栅极电极。导电层可选择性地沉积在栅极电极的上表面上方；或通过例如控制沉积的时间，而不具选择性地形成在栅极介电层及栅极电极的上表面上。导电层具有镶入栅极电极内的底部。导电层及接触部件可由不同的沉积技术形成，但导电层及接触部件可包含相同的组成。

公开(公告)号：CN109427896A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711276681.4

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许劭铭 ,  李振铭 ,  吴以雯 ,  杨复凯 ,  王嘉亨 ,  王美匀

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供一结构；蚀刻第一和第二介电层以暴露第一和第二S/D特征；掺杂一p-型掺质至第一和第二S/D特征；以及在掺杂p-型掺质之后，对第一和第二S/D特征实施一选择性蚀刻制程，其中比起使第二S/D特征凹陷，选择性蚀刻制程较快地使第一S/D特征凹陷。上述结构包括：一基板；一第一栅极结构和一第二栅极结构，位于基板之上；一第一源极/漏极(S/D)特征及一第二S/D特征，位于基板之上，其中第一S/D特征与第一栅极结构相邻，第二S/D特征与第二栅极结构相邻，且第一和第二S/D特征包括不同的材料；一第一介电层，位于第一和第二栅极结构的侧壁之上且位于第一和第二S/D特征之上；以及一第二介电层，位于第一介电层之上。

公开(公告)号：CN102969233B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210048831.7

申请日：2012-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡雯琪 ,  赖加瀚 ,  陈永君 ,  王美匀 ,  吴启明 ,  陈方正 ,  陈煌明 ,  雷明达

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。

公开(公告)号：CN104867862A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410193203.7

申请日：2014-05-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 聂君文 ,  许宏彰 ,  林威戎 ,  蔡彦明 ,  李振铭 ,  王美匀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明提供了用于形成电接触件的方法。在半导体衬底上方形成第一FET和第二FET。在介电层中蚀刻开口，其中，介电层形成在衬底上方，并且该开口延伸至FET的源极和漏极区。在FET的源极和漏极区上方形成硬掩模。去除硬掩模的第一部分，其中，第一部分形成在第一FET的源极和漏极区上方。在第一FET的源极和漏极区上方形成第一硅化物层。去除硬掩模的第二部分，其中，第二部分形成在第二FET的源极和漏极区上方。在第二FET的源极和漏极区上方形成第二硅化物层。在开口内沉积金属层以填充开口。

公开(公告)号：CN101350308A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200710166451.2

申请日：2007-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗加聘 ,  赖隽仁 ,  吴启明 ,  王美匀 ,  林大文

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/24 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种在金氧半导体场效应电晶体(MOSFET)的源/漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源/漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层；沉积一金属层在该源/漏极区中并进行反应；以及快闪退火处理该基板。本发明还公开了一种金氧半导体场效应电晶体和一种半导体元件的制造方法。本发明借由利用非晶硅化布植工艺、硅化镍工艺和快闪退火处理的系统和方法来减轻源/漏极区缺陷。

公开(公告)号：CN113054019B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202011629168.0

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊翰 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极/漏极区；位于外延源极/漏极区上方的一个或多个层间介电(ILD)层；延伸穿过ILD层的第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件连接至外延源极/漏极区；围绕第一源极/漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113363155B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202011309334.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈健源 ,  林芮萍 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种示例性方法包括：形成从半导体衬底延伸的鳍；在鳍上沉积层间介电(ILD)层；在ILD层上形成掩模层；在掩模层上形成切割掩模，切割掩模包括第一介电材料，切割掩模具有暴露掩模层的第一开口，第一开口中的每个的所有侧由第一介电材料围绕；在切割掩模上和第一开口中形成线掩模，线掩模具有槽开口，槽开口暴露切割掩模的部分和掩模层的部分，槽开口是垂直于鳍延伸的带；通过蚀刻掩模层的由第一开口和槽开口暴露的部分图案化掩模层；以及使用图案化的掩模层作为蚀刻掩模在ILD层中蚀刻接触开口。本申请的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN115497876A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210842604.5

申请日：2022-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凯璿 ,  林诗哲 ,  黄柏瑜 ,  吴仕杰 ,  吴以雯 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半导体结构的制造方法。根据本公开的范例性方法包含接收鳍状结构，鳍状结构包含第一通道区与第二通道区及第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构，第一虚设栅极结构与第二虚设栅极结构分别设置于第一通道区与第二通道区的上方。此方法也包含将第一虚设栅极结构的一部分、第一通道区的一部分与基板在第一虚设栅极结构下方的一部分移除以形成沟槽，在沟槽中形成混合介电部件，将混合介电部件的一部分移除以形成空气间隙，将空气间隙密封，以及将空气间隙密封后，以栅极堆叠取代第二虚设栅极结构。

公开(公告)号：CN115440661A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210792103.0

申请日：2022-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴以雯 ,  李振铭 ,  杨复凯 ,  王美匀

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，所述气隙与延伸到装置的源极/漏极部件的接触元件相邻。所述方法的一些实施例包括沉积虚设层，且随后移除所述虚设层以形成气隙。形成诸如氮化硅的SAC介电层在相邻的金属栅极结构上方之后，可以形成虚设层及后续的气隙。