公开(公告)号：CN104362175A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410668050.7

申请日：2014-11-20

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘张李

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0821

摘要： 本发明提供了一种部分耗尽绝缘体上硅三极管结构，包括：布置在衬底上的埋氧层、布置在埋氧层上的集电极区、布置在集电极区上方的基区、分别布置在基区两侧的超浅沟槽隔离区和基极区域、以及布置在超浅沟槽隔离区的与基区相对的一侧的集电极接触区；其中，集电极接触区的掺杂浓度大于集电极区的掺杂浓度，集电极区连接集电极接触区，集电极接触区、超浅沟槽隔离区、基区和基极区域处于硅片表面；而且，所述部分耗尽绝缘体上硅三极管结构还包括：布置在硅片表面上的多晶硅发射极。

公开(公告)号：CN104282739A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331664.6

申请日：2014-07-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·康拉斯 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/7308

摘要： 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

公开(公告)号：CN104051508A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410059004.7

申请日：2014-02-21

申请人： 凌力尔特公司

发明人： 托马斯·劳埃德·博特金

IPC分类号： H01L29/735 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/402 ,  H01L29/735 ,  H03K17/16

摘要： 本发明案涉及一种具有降低的1/f噪声的双极晶体管及其操作方法。在双极晶体管中，在基极表面区上方于射极与集极之间形成优选地小于的薄栅极氧化物。接着在所述栅极氧化物上方形成例如掺杂多晶硅等导电栅极并将其偏置于射极电压下。在PNP晶体管的实例中，当相对于基极正向偏置所述射极以接通所述晶体管时，所述栅极相对于所述基极处于正电位。此致使所述基极中传导射极-集极电流的空穴被排斥而远离表面且所述基极中的电子被吸引到所述表面，使得所述射极-集极电流中的较多电流较深地流动到所述基极中。因此，减轻了所述基极表面处的缺陷的效应，且减少了1/f噪声。本发明同等适用于PNP及NPN晶体管。还产生其它益处。

公开(公告)号：CN103633128A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310669550.8

申请日：2013-12-10

申请人： 杭州士兰集成电路有限公司

发明人： 李小锋 ,  张佼佼 ,  何金祥 ,  杨锐

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66234

摘要： 本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于第一层间介质层和第一互连线上的第二层间介质层；形成于第二层间介质层上的第二互连线；其中，电压调变介质层覆盖于淡基区上，并通过第一互连线实现电性引出。在本发明提供的双极NPN晶体管及其制造方法中，通过改变电压调变介质层的感应电荷数量使得淡基区表面的电荷浓度发生改变，从而实现小电流放大倍数可调。

公开(公告)号：CN103035689A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210163783.6

申请日：2012-05-23

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 钱文生

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/763 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 本申请公开了一种锗硅HBT的集电区引出结构，包括集电区电极；还包括填充结构，其顶面接触集电区电极的底面。所述填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中。所述填充结构包括下层的无掺杂多晶硅和上层的掺杂多晶硅，所述掺杂多晶硅中掺杂有与衬底相反类型的杂质。掺杂多晶硅的深度＞集电区的深度＞隔离区的深度。两个掺杂多晶硅的侧面接触集电区。本申请还公开了其制造方法。本申请可以降低集电区引出结构与衬底之间的寄生电容。

公开(公告)号：CN102986033A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180034492.0

申请日：2011-07-08

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 贝内德托·博诺 ,  马丁·多梅杰

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

摘要： 本发明涉及一种制造碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的方法以及一种SiC BJT。SiC BJT（100）包括集电极区域（120）、基极区域（140）、以及发射极区域（160）。本发明的方法包括以下步骤：提供设置在基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由基极区域（140）和发射极区域（160）构成。通过调节影响中间区域（180）内少数载流子的扩散电流的中间区域（180）的至少一个参数，确定集电极区域（120）内电导率调制的程度。

公开(公告)号：CN1918710B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200480036161.0

申请日：2004-12-02

申请人： ST微电子公司

发明人： 让-吕克·莫朗 ,  让-巴蒂斯特·夸兰 ,  弗雷德里克·拉努瓦

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/73 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

摘要： 本发明涉及一种半导体元件，其有源连接相对于半导体芯片的表面以垂直方向延伸基本上达到其整个厚度。所述连接与可连接的区域一起由基本上穿过整个可接触区域的导电指状件(32、34)保持。

公开(公告)号：CN101622705B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880006469.9

申请日：2008-03-28

申请人： 英特尔公司

发明人： J·T·卡瓦列罗斯 ,  S·达塔 ,  R·S·周 ,  D·L·肯克

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0705 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7606 ,  H01L29/7881

摘要： 一种异质BiMOS注入系统包括形成在衬底上的MOSFET晶体管和形成在衬底内的异质双极晶体管。该双极晶体管可以用于将电荷载流子注入到MOSFET晶体管的浮栅中。这是通过操作所述MOSFET晶体管以在其沟道区中形成反型层以及操作所述双极晶体管以将少数电荷载流子从衬底驱动到所述MOSFET晶体管的浮栅中来实现的。衬底为所述双极晶体管提供硅发射极和含硅锗的基极。反型层为所述双极晶体管提供硅集电极。

公开(公告)号：CN101728427A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910137570.4

申请日：2009-05-14

申请人： 吴国成

发明人： 吴国成

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/7322 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/152 ,  H01L29/20 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7308

摘要： 本发明有关于一种半导体晶体管组件，其包括一个或多个导电基极区、第一半导体能阻区、第二半导体能阻区、导电射极区及导电集极区。第一半导体能阻区或第二半导体能阻区的尺寸小于100第一肖特基能阻接合形成于第一半导体能阻区与导电基极区的界面。第二肖特基能阻接合形成于第二半导体能阻区与导电基极区的界面。第三肖特基能阻接合形成于导电射极区与第一半导体能阻区的界面。第四肖特基能阻接合形成于导电集极区与第二半导体能阻区的界面。

公开(公告)号：CN101562049A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910126405.9

申请日：2004-08-12

申请人： 南泰若股份有限公司

发明人： C·L·伯丁 ,  T·吕克斯 ,  B·M·塞加尔

IPC分类号： G11C23/00 ,  H01H59/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  H01H1/0094 ,  H01H1/027 ,  H01H2001/0005 ,  H01L27/28 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/94 ,  Y10T29/49002

摘要： 本发明是关于具有多个控件的基于纳米管的开关元件以及由其制成的电路。开关元件包括一输入节点、一输出节点、以及具有至少一个导电纳米管的纳米管通道元件。一控制结构相对于该纳米管通道放置，以可控地在输入节点及输出节点之间形成与解除一导电通道。该输出节点被构建与安排为使该通道的形成实质上不受输出节点的电气状态的影响。该控制结构包括置于该纳米管通道元件的相对两侧的一个控制电极和一个释放电极。该控制与释放可用来形成一差动输入，或者如果该装置被适当构建，则以非易失性方式操作该电路。该开关元件可被安排在具有差动输入和/或取决于该构建的非易失性行为的逻辑电路和闩锁中。