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公开(公告)号：CN102347263A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110184662.5
申请日：2011-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/92125 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T428/24959 , Y10T428/265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括含有依次层压的基材和压敏粘合剂层的切割带，和设置于切割带的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合剂层具有20μm至40μm的厚度。
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公开(公告)号：CN102222634A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110099946.4
申请日：2011-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/54486 , H01L2224/16225 , H01L2924/12042 , Y10T428/1467 , Y10T428/1471 , Y10T428/28 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片连接至被粘物上的用于保护半导体元件背面的倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层为放射线固化型压敏粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的压敏粘合力通过放射线照射而降低。
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公开(公告)号：CN102206467A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110079634.7
申请日：2011-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09J133/10 , C08K5/20 , C09J7/22 , C09J7/245 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2205/102 , C09J2205/106 , C09J2427/00 , C09J2433/00 , Y10T428/28 , Y10T428/2852 , Y10T428/2891 , C08L27/06
Abstract: 本发明的目的在于提供能在各种环境下获得稳定的卷剥离性和粘接特性的卷状粘合带或片。一种卷状粘合带或片，该卷状粘合带或片是在热塑性树脂薄膜的单面形成压敏性粘合剂层、并卷绕成卷状而成的，其至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一方中含有脂肪酸双酰胺、以及脂肪酸单酰胺和/或脂肪酸。
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公开(公告)号：CN102169849A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010623081.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , B32B7/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L24/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , Y10T428/24331 , Y10T428/24777 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
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公开(公告)号：CN101993668A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010249245.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J4/06 , C09J4/02 , H01L21/68 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/385 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L2221/6834 , Y10T428/264
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆(20)表面来保持保护半导体晶圆(20)的粘合片(10)，在基材层(12)的单面配置有粘合剂层(11)，粘合层(11)的厚度为4～42μm，且25℃下的弹性模量为0.5～9MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101245152A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710005976.8
申请日：2007-02-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08F220/36 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C08G2170/40 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J175/16 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面上切割用压敏粘着带或片。该粘着带或片包括基材，和布置在所述基材的至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层，其中所述的压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和至少一种辐射聚合性化合物(B)，该辐射聚合性化合物(B)选自具有一个或多个含碳－碳双键的基团的氰脲酸酯和具有一个或多个含碳－碳双键的基团的异氰脲酸酯，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5－150重量份。
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公开(公告)号：CN101177597A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710185071.3
申请日：2007-11-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C09J7/21 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/249962
Abstract: 本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或IC部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。该喷水激光切割用粘合片在基材膜上叠层了粘合剂层，基材膜包括由纤维形成的网状物。
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公开(公告)号：CN101070454A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710103227.9
申请日：2007-05-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , H01L21/00 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L33/14 , C08L2312/06 , C08L2666/04 , C09J7/385 , C09J133/04 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明涉及用于加工半导体晶片或半导体基材的压敏粘着片，其包括基层材料和通过能量射线可聚合和硬化的压敏粘着剂层，所述压敏粘着剂层布置在所述基层材料的表面上，其中所述压敏粘着剂层包括原料聚合物，基于多官能团丙烯酸酯的低聚物，该低聚物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有1000至2500的分子量，以及基于多官能团丙烯酸酯的化合物，该化合物具有能量射线可聚合的碳碳双键并具有200至700的分子量。本发明的压敏粘着片，对于具有深度为约0.4至40μm，例如通过激光照射印刷的标记的微小不平坦性具有出色的随动(follow－up)性质，显示出足够的粘着力，并能够在完成粘合的目的后被剥离而不产生粘着剂残留。
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公开(公告)号：CN105666976B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201610020536.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。
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公开(公告)号：CN106057722B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610599500.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜。本发明涉及要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中当所述膜形成于所述半导体元件背面上时，所述膜在其不面向所述半导体元件背面的一个面的表面粗糙度(Ra)在固化前在50nm‑3μm范围内，其中相对于100重量份有机树脂组分无机填料的量为5～95重量份，并且，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜形成在压敏粘合剂层的整个表面上。
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