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公开(公告)号：CN108369912A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201580085210.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/52 , H01L24/32 , H01L29/45 , H01L2224/04026 , H01L2224/05124 , H01L2924/3512 , H01L2924/37001
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有铝电极(2)。焊料连接用的金属膜(3)形成于铝电极(2)之上。有机保护膜(4)在铝电极(2)之上与金属膜(3)分离地形成。有机保护膜(4)与金属膜(3)的间隔大于或等于有机保护膜(4)的厚度的一半。由此，即使在烧结接合时有机保护膜(4)发生变形，其应力也不会传递至金属膜(3)。因此，能够防止焊料连接用的金属膜(3)破裂。
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公开(公告)号：CN105009266A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201380074382.6
申请日：2013-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/49531 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03848 , H01L2224/04026 , H01L2224/05007 , H01L2224/05011 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05563 , H01L2224/05565 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/26145 , H01L2224/29027 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2924/00
Abstract: 元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。
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公开(公告)号：CN119905472A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411474986.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/482 , H01L23/492 , H01L23/373 , H10D12/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供能够改善短路耐量的半导体装置。本发明的半导体制造装置构成为具有：半导体基板，其在表面形成有半导体元件；表面电极，其形成于表面之上，与半导体元件连接；金属膜，其形成于表面电极之上；抑制膜，其形成于表面电极之上，对涂敷于金属膜之上的焊料的扩展进行抑制；以及导热膜，其在表面电极之上与金属膜及抑制膜相比形成在外周侧，该导热膜的膜厚比金属膜厚，导热率比抑制膜高。
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公开(公告)号：CN116686092A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180090268.7
申请日：2021-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中野诚也
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明的目的在于提供能够对由来自上方的加压引起的特性变动进行抑制的半导体装置及半导体模块。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有设置有半导体元件的元件部、在俯视观察时设置于元件部的周围的末端部；第1电极，其设置于半导体基板之上；第2电极，其设置于第1电极之上的与元件部相当的位置；层间膜，其设置于第1电极之上的与元件部及末端部相当的位置；以及保护膜，其设置于层间膜之上的与元件部及末端部相当的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114930546A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092316.1
申请日：2020-01-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及的肖特基势垒二极管具有：n型的半导体基板；至少1个p型的保护环，其设置于半导体基板的上表面侧；阳极电极，其设置于半导体基板的上表面；阴极电极，其设置于半导体基板的背面；以及绝缘膜，其设置于至少1个保护环中的最内侧的内侧保护环之上，阳极电极搭至绝缘膜之上，阳极电极的端部设置于内侧保护环的正上方，阳极电极与内侧保护环分离地设置，绝缘膜的厚度大于或等于1.0μm。
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公开(公告)号：CN105009266B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201380074382.6
申请日：2013-10-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/49531 , H01L23/49562 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L2224/0345 , H01L2224/0347 , H01L2224/03848 , H01L2224/04026 , H01L2224/05007 , H01L2224/05011 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05563 , H01L2224/05565 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/26145 , H01L2224/29027 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32257 , H01L2224/33181 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/4878 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2224/03 , H01L2924/00
Abstract: 元件电极(103)设置于半导体元件(101)的表面。金属膜(105)设置于元件电极(103)上，并具有内侧区域(105a)和位于内侧区域(105a)周围的外侧区域(105b1)。在金属膜(105)中设置有在内侧区域(105a)及外侧区域(105b1)之间将元件电极(103)露出的开口(TR)。元件电极(103)具有比金属膜(105)的焊料浸润性低的焊料浸润性。外部电极(117)与金属膜(105)的内侧区域(105a)进行焊料接合。
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公开(公告)号：CN109923647B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201680090598.5
申请日：2016-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中野诚也
IPC: H01L21/283
Abstract: 具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。
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公开(公告)号：CN109923647A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201680090598.5
申请日：2016-11-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 中野诚也
IPC: H01L21/283
Abstract: 具备：表面金属，其形成于衬底；第1保护膜，其形成于该表面金属之上；第2保护膜，其具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于该第1保护膜之上，该第2部分与该第1部分相连，该第2部分设置于该表面金属之上，该第2保护膜相对于光是透明的；以及金属膜，其具有主体部和上攀部，该主体部设置于该表面金属之上，该上攀部与该主体部相连，该上攀部攀至该第1保护膜上，该主体部比该第1保护膜厚，该第1部分比该上攀部厚，该第2部分比该主体部厚。
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公开(公告)号：CN102810523B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210172592.6
申请日：2012-05-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L24/48 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够防止紧邻金属膜的端部下方的表面电极由于金属膜的端部的应力而受到损伤。本发明的半导体装置的特征在于，具备：衬底（24）；表面电极（26），在该衬底（24）之上用包含铝的材料形成；金属膜（28），在该表面电极（26）之上用能够进行焊接的材料形成；端部固定膜（30），该表面电极（26）之上的部分和与该金属膜（28）的端部重叠的重叠部分（30a）一体地形成，固定该金属膜（28）的端部。
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